一种带反射式高能电子衍射仪的MOCVD腔体

    公开(公告)号:CN114717539B

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202210514782.5

    申请日:2022-05-12

    Abstract: 本申请涉及薄膜监测技术领域,公开了一种带反射式高能电子衍射仪的MOCVD腔体,所述MOCVD反应腔的侧面开设有第一安装孔和第二安装孔,所述第一安装孔用于连接所述电子枪结构,所述第二安装孔用于连接所述荧光屏结构;所述电子枪结构和所述第一安装孔的连接处、所述荧光屏结构和所述第二安装孔的连接处均设置有阀板闸,两个所述阀板闸分别用于控制所述MOCVD反应腔和所述电子枪结构之间的连通和隔绝、所述MOCVD反应腔和所述荧光屏结构之间的连通和隔绝;本发明具有监测效果好和隔热效果好的有益效果。

    电容薄膜真空计传感器及其制作方法和电容薄膜真空计

    公开(公告)号:CN116429317B

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202310683461.2

    申请日:2023-06-09

    Abstract: 本申请涉及生物组织工程技术领域,具体而言,涉及一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法和电容薄膜真空计,该制作方法包括:制备壳体和膜片,壳体底部有第一凸环,膜片顶部有第二凸环,第一凸环的外径与第二凸环的内径相等;在壳体下表面镀第一金属膜,第一金属膜位于第一凸环的内侧,在膜片上表面镀第二金属膜,第二金属膜位于第二凸环的内侧;将壳体扣合在膜片上,使第一凸环与第二凸环配合,并旋压壳体使壳体固定在膜片上,得到电容薄膜真空计传感器,该方式可减少在电容薄膜真空计传感器制作过程中产生不必要的应力,从而保证电容薄膜真空计传感器的性能。

    一种Micro-LED的检测装置
    43.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116500054A

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202310758442.1

    申请日:2023-06-26

    Abstract: 本申请涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种Micro‑LED的检测装置,包括:箱体、送料机构、夹盘机构;箱体的内壁上设置有测试组,测试组包括多个激光发生部和多个第一激光接收端;夹盘机构包括第一固定架、第一夹盘和多个第二激光接收端,第一夹盘和多个第二激光接收端均设置在第一固定架上,第一夹盘用于夹取晶圆,夹盘机构与送料机构连接,送料机构用于驱动第一固定架以将晶圆送至箱体内;多个激光发生部用于向晶圆提供不同角度的激光照射,每个第一激光接收端和每个第二激光接收端均用于接收至少两个激光发生部照射并由晶圆反射的反射光,从而使晶圆的整体检测效果更加准确。

    电容薄膜真空计传感器及其制作方法和电容薄膜真空计

    公开(公告)号:CN116429317A

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202310683461.2

    申请日:2023-06-09

    Abstract: 本申请涉及生物组织工程技术领域,具体而言,涉及一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法和电容薄膜真空计,该制作方法包括:制备壳体和膜片,壳体底部有第一凸环,膜片顶部有第二凸环,第一凸环的外径与第二凸环的内径相等;在壳体下表面镀第一金属膜,第一金属膜位于第一凸环的内侧,在膜片上表面镀第二金属膜,第二金属膜位于第二凸环的内侧;将壳体扣合在膜片上,使第一凸环与第二凸环配合,并旋压壳体使壳体固定在膜片上,得到电容薄膜真空计传感器,该方式可减少在电容薄膜真空计传感器制作过程中产生不必要的应力,从而保证电容薄膜真空计传感器的性能。

    一种Micro-LED-Wafe外观检测装置及方法

    公开(公告)号:CN115993371A

    公开(公告)日:2023-04-21

    申请号:CN202310291080.X

    申请日:2023-03-23

    Abstract: 本申请涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种Micro‑LED‑Wafe外观检测装置及方法,Micro‑LED‑Wafe外观检测装置通过在圆筒罩底部设置有第一喷气口,由第一喷气装置将气体从第一喷气口喷出以使晶圆悬浮于圆筒罩中,通过在圆筒罩的周壁上均匀设置有多组第二喷气口,由第二喷气装置将气体从各第二喷气口喷出以保持晶圆位于圆筒罩的轴心线上,并由第一摄像头组和第二摄像头组对晶圆的表面图像进行拍摄,从而,无需对晶圆进行夹持也能实现对晶圆的全面检测,而且各个摄像头与晶圆之间不存在除空气以外的其他介质,减少了由于其它中间介质的存在而导致的检测误差,从而保证了检测结果的准确性。

    一种分子束外延源炉加热丝缠绕工装及缠绕方法

    公开(公告)号:CN115673184A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202211399743.1

    申请日:2022-11-09

    Abstract: 本申请涉及加热工装技术领域,具体涉及一种分子束外延源炉加热丝缠绕工装及缠绕方法,加热丝缠绕工装包括:固定柱、第一固定板、第二固定板、第一旋转环和第二旋转环;第一固定板和第二固定板相互平行并分别可拆卸地与固定柱的两端连接,第一固定板和第二固定板的周面均间隔环布有多个定位凹槽,且各个定位凹槽沿厚度方向贯通第一固定板或第二固定板的两个侧面;第一旋转环和第二旋转环分别可转动且可拆卸地设置在第一固定板和第二固定板的周面上,第一旋转环和第二旋转环均设置有一个开口,开口贯通第一旋转环或第二旋转环的内外周面,开口的大小与定位凹槽相适配;降低加热丝产生塑性变形的几率,有效保证分子束外延源炉的温度场分布均匀。

    集成式分子束外延坩埚制作方法、外延坩埚及分子束源炉

    公开(公告)号:CN115637490A

    公开(公告)日:2023-01-24

    申请号:CN202211378289.1

    申请日:2022-11-04

    Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域,具体公开了一种集成式分子束外延坩埚制作方法、外延坩埚及分子束源炉,其中,制作方法包括步骤:S1、准备石墨材质的芯轴组件;S2、在芯轴组件外周外延沉积生成第一热解氮化硼层;S3、在第一热解氮化硼层外周折弯缠绕加热丝,使加热丝紧贴固定在第一热解氮化硼层表面;S4、在第一热解氮化硼层外周外延沉积生成第二热解氮化硼层,第二热解氮化硼层完全覆盖加热丝;S5、氧化消除芯轴组件;该制作方法在无需增加额外工艺手段的前提下能制作出结构简单、制作成本低、制作效率高、热效率高、热场分布均匀且保温效果出众的集成式分子束外延坩埚。

    金刚石薄膜电容及其制造方法、真空计及其制造方法

    公开(公告)号:CN115386856A

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202211279601.1

    申请日:2022-10-19

    Abstract: 本发明公开了一种金刚石薄膜电容及其制造方法、真空计及其制造方法,属于真空计领域,金刚石薄膜电容制造方法包括以下步骤:在两片衬底的正面沉积金刚石;其中一片衬底直接沉积得到第一部件,另一片衬底用金属环包围外沿后沉积得到第二部件;取下金属环,并去除第一部件和第二部件背面的衬底;在第二部件一面的中央和第一部件背面的中央沉积金属层;在金属层上焊上导线,且在第一部件或在第二部件上开设导线通孔;将第一部件和第二部件金属层相对且不接触地盖合;在第二部件朝上的状态下沉积金刚石,得到高精度、耐腐蚀的金刚石薄膜电容,用于真空计中可以有效降低弹性后效和弹性滞后引起的测量精度不高的问题。

    真空度检测方法、装置、电子设备、存储介质及系统

    公开(公告)号:CN114659706B

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN202210544153.7

    申请日:2022-05-19

    Abstract: 本申请属于真空计量技术领域,公开了一种真空度检测方法、装置、电子设备、存储介质及系统,通过获取内环电容产生的第一电压信号和外环电容产生的第二电压信号;分别对所述第一电压信号和所述第二电压信号进行峰值检测处理,得到第一峰值信号和第二峰值信号;对所述第一峰值信号和所述第二峰值信号进行差分处理,得到电压差值信号;对所述电压差值信号进行计算处理,得到真空度检测结果,其中差分处理可以减少信号干扰,提高检测精度,从而保证真空度检测结果的可靠性。

    变径磁过滤等离子体引出装置及真空离子束镀膜设备

    公开(公告)号:CN111778484B

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN202010513293.9

    申请日:2020-06-08

    Abstract: 本申请实施例提供了一种变径磁过滤等离子体引出装置及真空离子束镀膜设备。该变径磁过滤等离子体引出装置,包括:一管体,所述管体包括第一端和第二端,所述管体在所述第一端与所述第二端之间的横截面的尺寸按照预设规律变化;一导电线,其沿着所述管体的外侧壁逐圈缠绕,以在所述管体的外壁上形成与所述管体外壁轮廓对应的导电螺线管。本申请实施例通过该管体的变化设置及导电线的提供的磁场,可以解决现有过滤阴极过滤管道及磁路设计困难,大颗粒杂质过滤效果差,沉积端离子束光斑不可变等问题,同时可以提高等离子体的利用效率,可以提高沉积形成的膜层的质量以及均匀性。

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