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公开(公告)号：CN117275553A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202210673793.8
申请日：2022-06-15
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供一种可进行乘加存内计算的MRAM存储单元、阵列、电路及其工作方法，采用磁阻变化特性器件实现非易失性存储，采用加电流读电压的方式替换了现有技术中加电压读电流的方式，阵列中每一列的各个MRAM存储单元共用一份电流，使存算功耗降低了1/N，N为阵列的行数，因此可以获得更好的存内计算能效。同时，本发明的串联存内计算使用电阻值作为计算数值，替换了并联结构的电导值，避免了并联结构多行开启后整列阻值过低，使得运算结果对版图寄生线电阻分布和高低阻值MTJ的空间分布过于敏感。综上所述，本发明能够降低存算的工作功耗，同时有效避免先进工艺下MTJ串的等效电阻受到高低阻值MTJ的空间分布的影响，有利于扩大存算电路的规模。
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公开(公告)号：CN109144678B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201710463133.6
申请日：2017-06-19
Applicant: 复旦大学 , 中兴通讯股份有限公司
IPC: G06F9/48 , G06F18/23213
Abstract: 本发明提供了一种应用关联启动的处理方法、装置及存储介质，包括：将与第一应用关联启动的其他应用按照时间进行聚类，得到第一应用的聚类中心，其中，聚类中心中包括其他应用；根据聚类中心确定第一应用请求关联启动的第二应用的关联状态；根据第二应用的关联状态对第二应用进行关联启动处理。通过本发明，解决了应用的关联启动处理不完善，用户体验差的问题，达到完善应用的关联处理以及提高用户体验的效果。
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公开(公告)号：CN111462798B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202010247625.3
申请日：2020-03-31
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供一种存储器或存内计算的阵列单元结构，其特征在于，包括：第一晶体管；第二晶体管；以及电阻变化特性器件，为在包括电流、电压、磁场的外部作用下其等效阻值可以在高阻和低阻之间变化的特性器件。其中，第一晶体管和第二晶体管的源极连接地线、连接电源线或作为计算源线(CSL)连接外界输入。利用晶体管选用NMOS和PMOS的不同以及连接方式的不同，实现特定电压条件下在存储器低阻态或高阻态时开启或关闭，实现计算位线(CBL)电流的抽取或注入，从而有效解决了低阻态或高阻态的波动问题，同时克服了存内计算中非线性问题。
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公开(公告)号：CN113704139A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110974491.X
申请日：2021-08-24
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F12/02
Abstract: 本发明提供一种用于存内计算的数据编码方法和存内计算方法，由于采用了用于存内计算的数据编码方法分别对存储器内的原始数据以及输入的原始数据进行了针对存内计算的编码，得到编码后的存储数据以及输入数据，因此，明显降低了存内计算数据二进制表示中1的个数，从而降低了存内计算功耗；还由于采用了三角形排列方法将编码后的存储数据存储到存储器的单元矩阵中，因此，将编码后的输入数据直接作用到该单元矩阵上，在单元矩阵的列方向上产生的电流或电荷积累即为存储数据和输入数据乘加的计算结果，从而能够以这样的方式快速直接地得到存内模拟计算结果，提高了计算效率。
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公开(公告)号：CN106231214B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201610655090.7
申请日：2016-08-11
Applicant: 复旦大学
IPC: H04N5/374 , H04N19/176
Abstract: 本发明属于CMOS传感器技术领域，具体为一种基于可调宏块的高速CMOS传感器图像近似无损压缩方法。本发明方法包括：取高速CMOS传感器产生的N帧连续图像作为一组处理对象，并将第一帧作为参考帧；对每一帧图像采用自适应分块，以宏块为单位，在与参考帧作差后进行数据编码；对与参考帧近似相同的宏块，采用很短的标识码代替常规的无损编码；对其他与参考帧不相同的宏块，在差分编码后采用普通的无损压缩编码进行无损压缩。本发明方法能够保证数据压缩后有用信息不丢失；减小算法复杂度，提高算法执行速度；最大化压缩比，降低存储成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110442323A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910734434.7
申请日：2019-08-09
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F7/57
Abstract: 本发明提供一种进行浮点数或定点数乘加运算的架构，其特征在于，包括：缓冲存储器，用于对输入的多个浮点数或定点数进行缓冲存储，浮点数包含浮点指数以及浮点尾数；计算单元阵列，含有多列至少包含一个乘法计算单元的乘法单元列，每一列乘法单元列连接到一个加法计算单元；浮点控制与运算器模块，至少包括指数运算器、尾数移位加法器、移位校正器；外部输入输出接口，用于将浮点数输入给缓冲存储器或将浮点乘加结果输出。本发明的架构可以扩展为任意精度，兼顾计算效率和计算精度；同时兼容多种存储器结构，具有极高的适应性。本架构可经过适当修改变体为在存储器内部进行任意精度定点数运算。
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公开(公告)号：CN108958447A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710353923.9
申请日：2017-05-18
Applicant: 复旦大学 , 中兴通讯股份有限公司
IPC: G06F1/32
CPC classification number: G06F1/3206 , G06F1/3234 , G06F9/4418
Abstract: 本发明实施例提供一种唤醒对齐时间间隔计算方法及装置，通过传感器进行数据采集，然后根据预设处理规则对数据采集结果进行处理，预测用户对终端的使用需求状态，最后计算与使用需求状态相匹配的唤醒对齐时间间隔。根据“客观规律”，用户对终端有不同需求状态时，终端所处的设备状态通常不同。而传感器采集的数据能够表征终端当前所处的客观状态，所以根据“客观事实”和“客观规律”可以准确预测用户对该终端的使用需求状态，根据使用需求状态计算得到的唤醒对齐时间间隔也符合用户客观的使用需求，故根据本实施例提供的方案所计算出的唤醒对齐时间间隔，在降低终端的功耗同时也能相对及时的响应各APP的唤醒请求，保证用户体验。
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公开(公告)号：CN106297863A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610644142.0
申请日：2016-08-09
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于信息安全技术领域，具体为一种可双重预充电的PUF存储器及其密码生成方法。本发明PUF存储器包括：非挥发存储阵列，用于产生行选信号和列扫描信号的地址产生模块，地址译码模块，用于产生基准电流的基准电流模块，用于Vref调整的Vref调整模块，预充电电平包括0”和“1”的双重预充电比较模块，用于暂时存储比较结果的存储器模块，以及密码生成模块。本发明还提出比较过程中针对识别不确定单元的读操作流程。本发明针对非挥发-PUF密码生成过程中，电阻差异过小导致的比较器无法识别的现象，利用双重预充电机制确定不确定态的位置信息，并由此生成密码，无需大量循环，无需额外的NVM存储不确定位置，无需在制造阶段进行额外的不确定态筛选工作。
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公开(公告)号：CN103035283B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201110295340.8
申请日：2011-09-29
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/4063
Abstract: 一种多级温度控制自刷新存储设备，包括振荡器(101)、分频器(102)以及DRAM阵列，该设备还包括扩展模式寄存器设置(EMRS)模块(500)、选择电路(300)、多个衬底电压稳定模块(201、202、……20n)，分频器(102)将输入频率frq分频成多个输出频率Refrq1，Refreq2，…Refrqn，衬底电压稳定模块(201、202、……20n)产生DRAM保持期间的衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn，扩展模式寄存器设置(EMRS)模块(500)通过写入编码信号Code，即外部设置码，生成选择信号Refsel，提供给选择电路(300)，选择电路模块300在扩展模式寄存器设置(EMRS)模块(500)的设置控制下从(VBB1，Refrq1)、(VBB2，Refrq2)、……(VBBn，Refrqn)中选择一组输出到DRAM阵列的刷新频率Refrq和晶体管衬底电压VBB上。
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公开(公告)号：CN105023615A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510418611.2
申请日：2015-07-16
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C16/26
Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种可抗旁路攻击的非挥发存储器的读电路结构。该结构包括存储单元，第一参考单元，第二参考单元，电压差放大电路，灵敏放大器，电流源，列选择晶体管，两个参考单元列选择晶体管，两个读使能控制的晶体管，两个传输门；其中存储单元处于导通态或者非导通态，分别表示存储1或者0数据，参考单元跟存储单元有相同结构，分别预先编程为非导通态和导通态；该结构中，读取过程中能同时开启一路互补的参考单元列，以平衡其读功耗曲线，因而可以防止功耗分析的旁路攻击。本发明另一种电路结构是在上述结构基础上，采用处于中间状态的参考单元来进行读操作，将参考单元作为冗余单元用于平衡读功耗，可以进一步平衡读0和读1的功耗曲线，有利于抗功耗分析类的旁路攻击。
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