公开(公告)号：CN111462798B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202010247625.3

申请日：2020-03-31

Applicant: 复旦大学

Inventor： 解玉凤 ,  王渝 ,  胡显武 ,  冯佳韵 ,  吴丹青 ,  李东洋

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/12

Abstract: 本发明提供一种存储器或存内计算的阵列单元结构，其特征在于，包括：第一晶体管；第二晶体管；以及电阻变化特性器件，为在包括电流、电压、磁场的外部作用下其等效阻值可以在高阻和低阻之间变化的特性器件。其中，第一晶体管和第二晶体管的源极连接地线、连接电源线或作为计算源线(CSL)连接外界输入。利用晶体管选用NMOS和PMOS的不同以及连接方式的不同，实现特定电压条件下在存储器低阻态或高阻态时开启或关闭，实现计算位线(CBL)电流的抽取或注入，从而有效解决了低阻态或高阻态的波动问题，同时克服了存内计算中非线性问题。

公开(公告)号：CN111462798A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010247625.3

申请日：2020-03-31

Applicant: 复旦大学

Inventor： 解玉凤 ,  王渝 ,  胡显武 ,  冯佳韵 ,  吴丹青 ,  李东洋

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/12

Abstract: 本发明提供一种存储器或存内计算的阵列单元结构，其特征在于，包括：第一晶体管；第二晶体管；以及电阻变化特性器件，为在包括电流、电压、磁场的外部作用下其等效阻值可以在高阻和低阻之间变化的特性器件。其中，第一晶体管和第二晶体管的源极连接地线、连接电源线或作为计算源线(CSL)连接外界输入。利用晶体管选用NMOS和PMOS的不同以及连接方式的不同，实现特定电压条件下在存储器低阻态或高阻态时开启或关闭，实现计算位线(CBL)电流的抽取或注入，从而有效解决了低阻态或高阻态的波动问题，同时克服了存内计算中非线性问题。