公开(公告)号：CN113314561B

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202110585698.8

申请日：2021-05-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 田朋飞 ,  单心怡 ,  崔旭高 ,  顾而丹

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  A61L2/10

Abstract: 本发明提供一种深紫外波段发光单片集成器件，包括基于AlGaN材料的UVC LED单元组成的LED阵列，每个LED单元的n电极和p电极之间具有多量子阱层；在LED阵列中，第一类LED单元用于发光，第二类LED单元用于探测光；在第一类LED单元发光时，第二类LED单元产生的光电流与第一类LED单元的发光强度相对应，所述光电流用以反馈控制LED阵列的光输出强度和UVC辐射剂量。本发明还提供了上述深紫外波段发光单片集成器件的制备方法。本发明能够实时监测UVC LED光输出强度的变化，使UVC LED能够安全稳定地应用于日盲通信、医疗、航空航天等领域。

公开(公告)号：CN115621382A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211385222.0

申请日：2022-11-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 田朋飞 ,  李琰哲 ,  汪舟 ,  崔旭高 ,  顾而丹

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/50 ,  H01L27/15

Abstract: 本发明公开了一种微型LED全彩色显示器件的制备方法，属于半导体光电器件领域，该方法包括：在蓝宝石衬底上制备白光micro‑LED阵列；在第一玻璃衬底上制备彩色滤光片；将彩色滤光片覆盖在白光micro‑LED阵列表面，得到基于白光micro‑LED阵列的全彩色显示器件。该方法能够避免繁琐的颜色转换工艺和micro‑LED器件巨量转移工艺，制备出大面积、高分辨率的微型LED全彩色显示器件。

公开(公告)号：CN115000254A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210777569.3

申请日：2022-07-02

Applicant: 复旦大学

Inventor： 田朋飞 ,  汪舟 ,  袁泽兴 ,  崔旭高 ,  顾而丹

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/46 ,  H01L27/15

Abstract: 本发明公开了一种微型LED显示器件及其制备方法，包括：在外延片上蒸镀铟锡氧化物薄膜后进行图案化曝光显影并蚀刻，暴露出部分n型氮化镓层，使外延片形成台面结构和包围台面的墙壁结构；在处理后的外延片表面上沉积介电材料，形成第一钝化层；在第一钝化层表面进行图案化曝光显影，蒸镀预定厚度的金属反射膜并剥离，使金属反射膜覆盖墙壁结构，形成金属薄膜反射墙；再次沉积介电材料形成第二钝化层；对第二钝化层进行图案化曝光显影并蚀刻，在n型氮化镓层表面和台面结构表面开孔，在开孔处分别蒸镀n金属电极和p金属电极，得到微型LED显示器件。该方案能够提高微型LED显示器件的发光效率，降低微型LED之间的光学耦合串扰。

公开(公告)号：CN113314561A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202110585698.8

申请日：2021-05-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 田朋飞 ,  单心怡 ,  崔旭高 ,  顾而丹

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  A61L2/10

Abstract: 本发明提供一种深紫外波段发光单片集成器件，包括基于AlGaN材料的UVC LED单元组成的LED阵列，每个LED单元的n电极和p电极之间具有多量子阱层；在LED阵列中，第一类LED单元用于发光，第二类LED单元用于探测光；在第一类LED单元发光时，第二类LED单元产生的光电流与第一类LED单元的发光强度相对应，所述光电流用以反馈控制LED阵列的光输出强度和UVC辐射剂量。本发明还提供了上述深紫外波段发光单片集成器件的制备方法。本发明能够实时监测UVC LED光输出强度的变化，使UVC LED能够安全稳定地应用于日盲通信、医疗、航空航天等领域。

公开(公告)号：CN110148561A

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201910306510.4

申请日：2019-04-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 田朋飞 ,  赵德胜 ,  林润泽 ,  刘冉 ,  郑立荣

IPC: H01L21/335

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种Si基AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管转移至柔性衬底方法。本发明方法包括，采用化学机械抛光、干法或湿法刻蚀结合的方式，实现非柔性Si衬底的剥离；并利用器件键合技术，通过Norland等粘附材料中间层将去除衬底的高电子迁移率晶体管器件转移至柔性衬底上，实现柔性AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件制备。该方法刻蚀速度快，工艺成本低，且适用范围广，包括但不限于基于Si衬底、蓝宝石衬底等硬质衬底半导体器件。

公开(公告)号：CN106960874A

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201710297916.1

申请日：2017-04-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 胡光喜 ,  钱海生 ,  田朋飞 ,  刘冉 ,  郑立荣

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种提高AlGaN/GaN高电子迁移率场效应器件（HEMT）击穿电压的方法。本发明方法，是利用在HEMT器件的GaN缓冲层中进行p型掺杂，以及在漏端欧姆接触区域中使用双掺杂漏（DDD）掺杂技术，调制器件沟道电场的分布，减小器件流过GaN缓冲层的电流，降低器件漏端发生击穿的概率，以尽量利用器件的耗尽区承担漏极所加的高电压，从而提高器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN105911522A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610442008.2

申请日：2016-06-20

Applicant: 复旦大学

Inventor： 田朋飞 ,  郑立荣 ,  邹卓 ,  朱逸飞 ,  刘冉

IPC: G01S5/16

CPC classification number: G01S5/16

Abstract: 本发明属于无线通信技术领域，公开一种基于可见光通信的精确定位系统。基于LED可见光通信技术，本发明通过可见光LED阵列发送时钟信号，结合时分码分正交频分复用TC?OFDM系统，并结合IEEE1588网络同步技术，可以发送出精确时钟信号；在接收机端，使用复合抛物面聚光器结构，增加进入高速光电探测器的光强，以提高接收机的灵敏度；并结合静态目标定位和动态目标定位，来提高精度。本发明可以提高可见光通信定位的精度和灵敏度，在LED照明的同时实现精确定位。

公开(公告)号：CN221485664U

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202323497869.5

申请日：2023-12-20

Applicant: 复旦大学

Inventor： 田朋飞

IPC: G02B6/42

Abstract: 本申请涉及光纤耦合的领域，尤其是涉及一种基于micro‑LED与光纤的耦合模块包括底座、准直调节组件、聚焦调节组件以及固定座。底座上安装有发光孔，准直调节组件包括准直透镜和准直调节件，准直调节件上开设有准直孔，准直透镜固定连接在准直孔内，准直调节件安装在底座上，准直调节件与底座之间的距离可调。聚焦调节组件包括聚焦透镜和聚焦调节件，聚焦调节件上开设有聚焦孔，聚焦透镜固定连接在聚焦孔内，聚焦调节件安装在准直调节件上，准直调节件与准直调节件之间的距离可调。固定座上开设有接收孔，固定座安装在聚焦调节件上，固定座与聚焦调节件之间的距离可调。本申请具有提高micro‑LED与光纤耦合效率的效果。