公开(公告)号：CN119630149A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202311167829.6

申请日：2023-09-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 田朋飞 ,  廖悦 ,  林润泽

IPC: H10H29/14 ,  H10H20/812 ,  H10H20/825 ,  H10F39/18 ,  H04B10/116 ,  H04B10/40

Abstract: 本发明提供单片集成微米级LED芯片，包括衬底和多个微米级LED器件，微米级LED器件包括n‑氮化镓层、铟镓氮/氮化镓多量子阱结构、p‑铝镓氮层、p‑氮化镓层、电流扩散层和钝化层，量子势垒厚度为0.5‑5nm，单片集成微米级LED芯片能通过高压偏置电路用于光探测，高压偏置电路提供反向偏压电压为0‑200V，带宽为10MHz‑10GHz；单片集成微米级LED芯片能用于光发射，带宽为10MHz‑10GHz。本发明单片集成微米级LED芯片在极高反向偏压下具有较好光电响应特性和带宽特性。本发明还提供单片集成微米级LED芯片作为窄带光电探测器的应用和在高速可见光通信中的应用，还提供可见光通信装置。

公开(公告)号：CN115998254B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202211676483.8

申请日：2022-12-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 田朋飞 ,  严林涛 ,  林润泽 ,  崔旭高

IPC: A61B5/00 ,  H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L31/0224 ,  H01L27/15

Abstract: 本发明公开了一种基于micro‑LED的肤色检测装置，包括发射模块、探测模块和驱动模块，其中，发射模块和探测模块分别为在同一InGaN/GaN外延片上生长制备的第一micro‑LED阵列、第二micro‑LED阵列。第一micro‑LED阵列中各像素单元的尺寸小于第二micro‑LED阵列中各像素单元的尺寸，驱动模块可以向第一micro‑LED阵列施加正向偏置电压，以便发射模块发出光信号，驱动模块可以向第二micro‑LED阵列施加负向偏置电压，以便探测模块通过检测经过皮肤反射后的光信号强度，得到光电流大小。该装置可以对不同部位的皮肤颜色进行实时检测。

公开(公告)号：CN110148561A

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201910306510.4

申请日：2019-04-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 田朋飞 ,  赵德胜 ,  林润泽 ,  刘冉 ,  郑立荣

IPC: H01L21/335

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种Si基AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管转移至柔性衬底方法。本发明方法包括，采用化学机械抛光、干法或湿法刻蚀结合的方式，实现非柔性Si衬底的剥离；并利用器件键合技术，通过Norland等粘附材料中间层将去除衬底的高电子迁移率晶体管器件转移至柔性衬底上，实现柔性AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件制备。该方法刻蚀速度快，工艺成本低，且适用范围广，包括但不限于基于Si衬底、蓝宝石衬底等硬质衬底半导体器件。

公开(公告)号：CN115998254A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211676483.8

申请日：2022-12-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 田朋飞 ,  严林涛 ,  林润泽 ,  崔旭高

IPC: A61B5/00 ,  H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L31/0224 ,  H01L27/15

Abstract: 本发明公开了一种基于micro‑LED的肤色检测装置，包括发射模块、探测模块和驱动模块，其中，发射模块和探测模块分别为在同一InGaN/GaN外延片上生长制备的第一micro‑LED阵列、第二micro‑LED阵列。第一micro‑LED阵列中各像素单元的尺寸小于第二micro‑LED阵列中各像素单元的尺寸，驱动模块可以向第一micro‑LED阵列施加正向偏置电压，以便发射模块发出光信号，驱动模块可以向第二micro‑LED阵列施加负向偏置电压，以便探测模块通过检测经过皮肤反射后的光信号强度，得到光电流大小。该装置可以对不同部位的皮肤颜色进行实时检测。