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公开(公告)号：CN115000258B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202210775763.8
申请日：2022-07-01
IPC: H10H20/812 , H10H20/815 , H10H20/01
Abstract: 本申请涉及一种用于提高微型LED调制带宽的外延结构及其制备方法，涉及半导体光电器件的领域，其包括包括外延衬底，外延衬底上依次生长有GaN缓冲层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源区、p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN层，InGaN/GaN多量子阱有源区包括交错堆叠的GaN量子势垒层和InGaN量子阱层，InGaN/GaN多量子阱有源区和n型GaN层之间设置有第一二维材料层，相邻GaN量子势垒层和InGaN量子阱层之间均穿插有第二二维材料层，InGaN/GaN多量子阱有源区和p型AlGaN电子阻挡层之间设置有第三二维材料层。本申请具有阻挡穿透位错的生长还可以降低量子势垒层与量子阱层之间的晶格失配，进而减弱微型LED器件的极化电场，提高电子空穴的空间重叠率，从而提升微型LED器件的调制带宽以及发光效率的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115000258A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210775763.8
申请日：2022-07-01
Abstract: 本申请涉及一种用于提高微型LED调制带宽的外延结构及其制备方法，涉及半导体光电器件的领域，其包括包括外延衬底，外延衬底上依次生长有GaN缓冲层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源区、p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN层，InGaN/GaN多量子阱有源区包括交错堆叠的GaN量子势垒层和InGaN量子阱层，InGaN/GaN多量子阱有源区和n型GaN层之间设置有第一二维材料层，相邻GaN量子势垒层和InGaN量子阱层之间均穿插有第二二维材料层，InGaN/GaN多量子阱有源区和p型AlGaN电子阻挡层之间设置有第三二维材料层。本申请具有阻挡穿透位错的生长还可以降低量子势垒层与量子阱层之间的晶格失配，进而减弱微型LED器件的极化电场，提高电子空穴的空间重叠率，从而提升微型LED器件的调制带宽以及发光效率的效果。
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公开(公告)号：CN115000254A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210777569.3
申请日：2022-07-02
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种微型LED显示器件及其制备方法，包括：在外延片上蒸镀铟锡氧化物薄膜后进行图案化曝光显影并蚀刻，暴露出部分n型氮化镓层，使外延片形成台面结构和包围台面的墙壁结构；在处理后的外延片表面上沉积介电材料，形成第一钝化层；在第一钝化层表面进行图案化曝光显影，蒸镀预定厚度的金属反射膜并剥离，使金属反射膜覆盖墙壁结构，形成金属薄膜反射墙；再次沉积介电材料形成第二钝化层；对第二钝化层进行图案化曝光显影并蚀刻，在n型氮化镓层表面和台面结构表面开孔，在开孔处分别蒸镀n金属电极和p金属电极，得到微型LED显示器件。该方案能够提高微型LED显示器件的发光效率，降低微型LED之间的光学耦合串扰。
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公开(公告)号：CN115692583A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211384384.2
申请日：2022-11-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L33/48 , H01L33/62 , H01L25/075
Abstract: 本申请涉及一种实现微型LED显示器件封装制作方法，通过设计新型的微型LED阵列显示器件结构，结合电极外引光刻工艺与贴片封装工艺，以进行微型LED阵列显示器件与驱动电路板的封装集成。一方面通过制备电极外引结构，可以增大像素的电极面积，使得贴片键合过程更容易操作且精确度更高，有效简化键合的步骤；另一方面结合漏印锡膏技术，将芯片与基板键合，减少金线或者合金等物料的使用，并且通过采用芯片高像素密度阵列式制作，提升生产效率，并降低生产成本。
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公开(公告)号：CN113690270A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110941505.8
申请日：2021-08-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体光电器件技术领域，具体为一种用于单芯片micro‑LED全彩显示的多量子阱外延生长方法。本发明方法是在同一晶圆上生长包含多发射波长的多量子阱结构；再按照显示要求制备对应尺寸的micro‑LED芯片阵列；并通过PWM方式改变驱动电流占空比来调制单芯片的显示亮度，从而实现单芯片多波长亮度均一的micro‑LED显示。本发明在同一外延衬底上实现单芯片micro‑LED器件发射不同颜色的波长，并通过该外延材料直接制备micro‑LED阵列，通过PWM调制方式完成均一亮度不同颜色的单芯片发射，避免使用色转换材料进行色转换时给显示设备带来的不稳定问题，避免将不同发光波长的micro‑LED器件先制备再集成带来的高成本和低转移精度的问题。
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公开(公告)号：CN113328014A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110586828.X
申请日：2021-05-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种micro‑LED显示器件及其制备方法，所述制备方法包括：提供衬底，在所述衬底上依次生长U‑GaN缓冲层和n‑GaN层；生长若干发光元件；及后处理；生长发光元件的步骤包括：沉积：在所述n‑GaN层上沉积介电材料，形成钝化层；涂覆光刻胶层，覆盖所述钝化层；清除：对光刻胶层光刻处理，形成若干孔，作为外延区；刻蚀所述外延区内的介电材料；清除剩余光刻胶层；生长：在所述外延区内，生长若干发光元件；循环上述沉积‑清除‑生长步骤，依次分别获得若干第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件。本发明提供的方法成本低、可靠性高、稳定性高，能够实现micro‑LED显示器件的大规模批量化生产。
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