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公开(公告)号：CN101510564A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910048448.X
申请日：2009-03-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 一种基于锆钛酸铅材料的隧道开关，包括：衬底；第一电极，所述第一电极设置于衬底表面；锆钛酸铅材料层，所述锆钛酸铅材料层设置于第一电极远离衬底的表面；介质薄膜层，所述介质薄膜层设置于锆钛酸铅材料层远离第一电极的表面，所述介质薄膜层的材料为高介电常数材料；以及第二电极，所述第二电极设置于介质薄膜层远离锆钛酸铅材料层的表面。本发明的优点在于，采用了高介电常数材料作为介质薄膜层，提高了隧道开关的稳定性和可靠性，更好的满足工业应用的需要。
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公开(公告)号：CN118693164A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310320014.0
申请日：2023-03-23
IPC: H01L29/861 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/329
Abstract: 本申请提供一种半导体器件、其制作方法及电子设备，该半导体器件包括铁电结构和多个电极，铁电结构中的第一突出部内电畴的极化方向与本体内电畴的极化方向之间的夹角为[0°，90°)，铁电结构中的第二突出部内电畴的极化方向与本体内电畴的极化方向之间的夹角为(90°，270°)，第一突出部与本体之间的第一连接处与第二突出部与本体之间的第二连接处构成PN结，多个电极分别与第一连接处和第二连接处接触。如此，可以采用铁电材料构造出PN结，相比于传统的PN结，制作工艺更加简单，无需执行掺杂工艺，使得制作工艺温度较低，制作成本较低。
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公开(公告)号：CN118600377A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410575099.1
申请日：2024-05-10
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C14/35 , H01L31/032 , H01L31/08 , H01L31/18 , H10N70/00 , C23C14/18 , C23C14/58 , C23C14/24 , C23C14/04 , C23C14/48
Abstract: 本发明属于光电器件制备技术领域，具体为一种降低铌酸锂型铁电体器件电畴极化电场的方法。本发明方法包括：对待电极化处理的铌酸锂型铁电单晶基片的两电极之间区域进行半导电化处理，形成低电阻层；与电极接触的铌酸锂型铁电区域晶相绝缘化处理，形成高电阻层；在外加电压作用下，大部分电压施加至与电极接触的高电阻层内，局部电场增强，远远大于电极间平均电场，导致与电极接触区域的电畴首先成核反转。以上成核电畴能够在退极化场驱动下自行长大，长穿电极之间低电阻或低电场铁电区域，从而实现电极间整个电畴反转，平均极化电场可降低10倍，大大减小了铁电器件的极化电压，减少器件在施加高电压极化时所发生的电击穿现象。
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公开(公告)号：CN112309946B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201910690097.6
申请日：2019-07-29
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/683 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种剥离铁电单晶薄膜的方法，包括以下步骤：使用质子交换法在铁电单晶材料表面形成厚度可控的贫Li离子的第二相单晶层；采用离子注入法剥离出铁电单晶材料表面发生质子交换的所述第二相单晶层，获得薄膜层；使用反质子交换法补充所述薄膜层中缺失的Li离子，将薄膜层还原至原先铁电单晶材料的晶体结构和化学配比。与现有技术相比，本发明将质子交换法和离子束剥离技术相结合，降低使用离子束剥离制造大面积铁电单晶薄膜的难度，使离子束剥离铁电单晶薄膜更加有效快捷，可应用于铁电存储器和铁电晶体管制造等领域，降低铁电存储材料的制造成本，提高制造效率。
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公开(公告)号：CN114695651A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011641740.5
申请日：2020-12-31
Abstract: 一种整流器及其使用方法。所述整流器包括铁电层和设置于所述铁电层之上分离设置的第一电极和第二电极。所述整流器用于在所述第一电极和所述第二电极被施加大于第一预设电压的交流信号时，在所述铁电层的第一畴部和第二畴部的畴壁间形成导电通道，以使得所述大于所述第一预设电压的交流信号通过所述导电通道被输出。其中，所述第一畴部为所述铁电层中位于所述第一电极和所述第二电极之间的区域，所述第二畴部为所述铁电层中除所述第一畴部之外的其他区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110491943B
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201910706223.2
申请日：2019-08-01
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , G11C11/22 , H03K17/687
Abstract: 本发明涉及一种可擦除全铁电场效应晶体管及其操作方法，所述场效应晶体管包括基底、源电极、漏电极、栅电极、铁电凸块和衬底，所述源电极和漏电极通过铁电凸块相隔离地设置于基底上，栅电极和源电极、漏电极隔离设置，所述栅电极设置于铁电凸块的上方，所述基底由具有畴壁导电特性的铁电材料制成，所述基底与铁电凸块的电畴极化方向均与栅电极平面法线方向存在夹角不为0并且使所述电畴在源漏电极的连线方向上有分量。与现有技术相比，本发明具有能够实现亚阈值摆幅接近为零，并大幅度降低系统的静态功耗等优点。
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公开(公告)号：CN107230676B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201710362281.9
申请日：2017-05-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11507
Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种高读出电流的非挥发铁电存储器及其操作方法。该非挥发铁电存储器的每个存储单元为面内电容器结构或上下电容器结构；铁电材料的极化方向都分别垂直于电极；当在两个电极上施加与体铁电的电畴极化方向相反的足够大的写电压时，电极所对应区域的铁电畴自极化方向沿电场方向发生反转，电极间电畴极化方向与周边体电畴极化方向相反，在两电畴间形成畴壁，该畴壁通常是导电通道；读取信息时通过导电通道的读电流与导电畴壁周长成正比，导电畴壁周长越长，读电流越大。本发明的铁电存储器可以提高存储单元中的读出电流，有利于提高数据的读取速度和可靠性。
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公开(公告)号：CN107481751B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201710793719.9
申请日：2017-09-06
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/22 , H01L27/11502
Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，具体为铁电存储器集成电路设计及其制造方法。本发明的铁电存储器包括：交叉棒（Crossbar）结构和一个开关晶体管一个电阻式铁电存储单元（1T1R）结构的铁电存储器。铁电存储器单元由铁电层，以及置于铁电存储单元两侧的第一电极和第二电极、绝缘层和硅基读写电路组成。其中，铁电存储单元的电畴极化方向在第一电极和第二电极的连线方向上有分量。以上存储单元的读出电流具有单向导通性，可避免电路中存储单元间信息读写的串扰，降低能耗，提高交叉棒集成的阵列规模和密度，简化电路设计，最终提高存储密度。
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公开(公告)号：CN110534573A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910706362.5
申请日：2019-08-01
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/11585
Abstract: 本发明涉及一种集存算一体的全铁电场效应晶体管，包括基底、源电极、漏电极、栅电极和铁电凸块，所述源电极和漏电极通过铁电凸块相隔离地设置于基底上，栅电极和源电极、漏电极隔离设置，所述基底由具有畴壁导电特性的铁电材料制成。与现有技术相比，本发明从根本上解决了铁电体的高度集成化的问题。
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公开(公告)号：CN110429085A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910700991.7
申请日：2019-07-31
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11507 , H01L27/11509 , G11C11/22
Abstract: 本发明涉及一种铁电三位存储器、制备方法及其操作方法，所述铁电三位存储器包括铁电薄膜层、铁电存储单元和读写电极层，所述铁电存储单元设置于铁电薄膜层上方，所述读写电极层被间隙分割成两部分，形成第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极中至少之一搭在所述铁电存储单元表面的长度大于零且小于铁电存储单元的宽度。与现有技术相比，本发明具有三位信息存储功能，能够提高存储单元的存储密度，具有制备简单、成本低廉等优点。
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