一种槽型半导体功率器件
    41.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102832237B

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:CN201210226454.1

    申请日:2012-07-03

    Abstract: 本发明公开了一种槽型半导体功率器件,涉及槽型半导体功率器件技术领域,包括衬底层和有源层,所述有源层中形成有槽栅,槽栅纵向至少伸入到有源层中;在体接触区和漏区之间形成有阶梯型的介质槽,阶梯型的介质槽宽度较大的那一端更接近衬底层,介质槽分别与漏区和体接触区接触;介质槽中介质的介电系数小于有源层材料的介电系数;本发明具有以下优点:第一、器件耐压大大提高;第二、槽栅增大了器件有效拓展纵向导电区域和介质槽辅助耗尽漂移区,使得比导通电阻降低,进而降低功耗,同时栅槽也作为介质隔离槽,节省了隔离槽的面积;第三、介质槽折叠了漂移区以及在介质槽界面处的电荷积累区也是漏区或体接触区,大大缩小了器件尺寸。

    一种基于特征空间距离度量的SAR干扰识别方法

    公开(公告)号:CN116975603B

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202311193638.7

    申请日:2023-09-15

    Abstract: 本发明公开了一种基于特征空间距离度量的SAR干扰识别方法,包括:获取至少一条待识别干扰信号数据;采用预设短时傅里叶变换参数对至少一条待识别干扰信号数据进行短时傅里叶变换,得到至少一个时频图;将至少一个时频图输入训练完备的干扰特征向量提取模型,输出至少一个特征向量;训练完备的干扰特征向量提取模型是采用多个训练数据对训练得到的;每个训练数据对包含一个时频图和该时频图的干扰类型标签;根据每个特征向量与干扰特征向量库中干扰类型已知的各个干扰特征向量之间的距离,确定特征向量对应的待识别干扰信号数据的干扰类型;干扰特征向量库是根据训练完备的干扰特征向量提取模型从干扰类型已知的时频图中提取出的特征向量构建的。

    基于KAN的空频双域隐式引导采样遥感图像融合方法

    公开(公告)号:CN119515706B

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202510066205.8

    申请日:2025-01-16

    Abstract: 本发明属于图像处理技术领域,涉及一种基于KAN的空频双域隐式引导采样遥感图像融合方法,包括训练样本构建,创建基于KAN的空频双域隐式引导采样网络,网络训练及将待融合图像输入至训练好的网络中,经过映射生成融合后的高空间分辨率和高光谱分辨率的融合图像。网络包括编码单元、空间隐式引导单元、频率隐式引导单元及解码单元,编码单元由并行的KAN构成将高光谱和多光谱遥感图像映射到深度潜在空间,空间隐式引导单元和频率隐式引导单元分别在空间和频域对HSI进行引导式隐式采样,解码单元对空频域采样特征进行融合并生成最终的融合图像。本发明为纯KAN驱动的架构,取代了以往对多层感知器的依赖,具有较好的轻量化程度。

    一种双向测量大量程自供电加速度传感器

    公开(公告)号:CN117405921A

    公开(公告)日:2024-01-16

    申请号:CN202311451563.8

    申请日:2023-11-03

    Abstract: 一种双向测量大量程自供电加速度传感器,包括绝缘封装外壳和封装于绝缘外壳内的传感系统和刚性绝缘隔离层,传感系统包括正向测量模块、反向测量模块;所述的正向测量模块分布在刚性绝缘隔离层的上方,正向测量模块包括第一摩擦层和第一电极层;第一摩擦层附着在刚性绝缘隔离层的上表面,第一电极分布在第一摩擦层的上表面;第一电极层的左侧表面设有第一电极引出点及由第一电极引出点引出的第一导线;第一电极层的上方设置有一体式岛状质量块;第一摩擦层为负电序列材料,第一电极层采用与第一摩擦层电序列相反的材料并在质量块的带动下与负电序列摩擦层接触分离;反向测量模块分布在刚性绝缘隔离层的下方包括第二摩擦层和第二电极层与正向测量模块结构相同。该传感器双向大量程测量的优点可以满足工业和军事的迫切需求。

    一种基于双通道电极的光催化分解水反应产物实时检测方法

    公开(公告)号:CN117007662A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202311051013.7

    申请日:2023-08-18

    Abstract: 本发明提供了一种基于双通道电极的光催化分解水反应的产物实时检测方法,利用制备而成的双通道电极,该双通道电极在检测时可以同步进行光催化反应和产物检测,在光催化反应和产物检测过程中可以有效的传输物质,保证检测的实时性和准确性。此外,本发明使用的双通道电极结构保证了两个工作电极表面的物质传输方式由自发扩散来实现,避免了外加扰动带来的噪音的产生,从而实现了对待测溶液中的反应产物实时监测的目标。本发明在光催化反应最初始阶段即可对所产生的产物气体分子进行实时的检测,极大减少了探测盲区。本发明的实时检测方法适用范围较广,可被用于多种光催化剂驱动下的光催化反应产物的实时检测。

    一种基于三维DNA纳米图形的表面增强拉曼基底及其制备方法

    公开(公告)号:CN115980016A

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202211629841.X

    申请日:2022-12-19

    Abstract: 本发明公开了一种三维DNA纳米图形的表面增强拉曼基底及其制备方法,三维DNA纳米图形是通过DNA砖乐高式配对法搭建构成,金属纳米粒子紧密且有序镶嵌在DNA纳米图案的孔洞结构中。DNA纳米图案由多个DNA砖通过乐高式配对法搭建,其结构稳定牢固,纳米粒子与DNA图案进行碱基互补配对镶嵌在图案表面时,可以克服纳米粒子间的强斥力,使更大尺径的纳米粒子紧密牢固的镶嵌在纳米图案表面。采用DNA砖序列不同堆砌成的三维孔洞大小不同,可实现不同直径纳米粒子的固定。采用预设DNA纳米图案孔洞的在图案表面纵向和横向位置,实现纳米粒子有序排列。通过上述方法获得紧密接触且有序排列的纳米粒子SERS基底。本发明提出的SERS基底能产生高强度且密集均匀的拉曼热点,可实现高灵敏度和高复现性的拉曼光谱检测。

    基于球面像差混叠观测的超分辨率成像方法

    公开(公告)号:CN102186016B

    公开(公告)日:2013-03-20

    申请号:CN201110107640.9

    申请日:2011-04-27

    Inventor: 石光明 王琦 彭冬

    Abstract: 本发明公开了一种基于球面像差混叠观测的超分辨率成像方法,主要解决现有方法成像精度低、结构复杂和计算复杂度高的问题。其成像步骤是:(1)搭建具有显著球面像差效应的光学系统;(2)利用理论推导或仿真或实验测量方法得到光学系统的点扩散函数,并据此构造采样矩阵;(3)利用所搭建的光学系统对目标光信号进行混叠观测并通过低分辨传感器阵列采样,得到低分辨混叠图像;(4)根据压缩感知理论,结合采样矩阵,使用一种快速迭代优化算法对所得低分辨混叠图像进行重构,得到高分辨率图像。本发明具有系统结构简单、体积小,制作成本低,重构图像精度高,重构速度快的优点,可用于在小规模采样阵列下图像的获取和高分辨重建。

    一种双栅功率MOSFET器件
    49.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102738240A

    公开(公告)日:2012-10-17

    申请号:CN201210179867.9

    申请日:2012-06-04

    Abstract: 一种双栅功率MOSFET器件,属于半导体功率器件技术领域。本发明在普通双栅LDMOS器件的基础上,通过将与漏极金属相连的漏极接触区向有源层下方延伸,形成纵向漏极接触区(12a),并在有源层和衬底之间引入一层与纵向漏极接触区(12a)下端相连的重掺杂埋层—即横向漏极接触区(12b),缩短了电流导通路径,同时采用双栅结构形成双电流通道,提高电流流通面积,大大降低导通电阻和功耗;对于相同的器件横向尺寸,器件耐压仅略微下降。

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