一种降低近红外发射硅量子点的制备温度的方法

    公开(公告)号:CN117946668A

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202311451559.1

    申请日:2023-11-03

    Abstract: 本发明公开了一种降低近红外发射硅量子点的制备温度的方法,其包括以下步骤:1)通过水解‑缩合反应生成干凝胶;2)将干凝胶在三个平台温度下依次进行煅烧,之后将其研磨得到棕色粉末;3)将棕色粉末进行刻蚀,得到氢钝化的硅量子点粉末;4)将氢钝化的硅量子点粉末通过氢化硅烷化反应,得到烷基功能化的硅量子点粉末。优点是相对现有技术,1)降低了近红外发射硅量子点的制备温度,可以实现在720~900℃下制备出近红外发射硅量子点,性能等同于现有技术在1100~1400℃所制备的近红外发射硅量子点;2)对煅烧设备的石英管损耗较小且能耗较小,导致了成本较低,有利于近红外发射硅量子点技术的产业应用和推广。

    一种双向测量大量程自供电加速度传感器

    公开(公告)号:CN117405921A

    公开(公告)日:2024-01-16

    申请号:CN202311451563.8

    申请日:2023-11-03

    Abstract: 一种双向测量大量程自供电加速度传感器,包括绝缘封装外壳和封装于绝缘外壳内的传感系统和刚性绝缘隔离层,传感系统包括正向测量模块、反向测量模块;所述的正向测量模块分布在刚性绝缘隔离层的上方,正向测量模块包括第一摩擦层和第一电极层;第一摩擦层附着在刚性绝缘隔离层的上表面,第一电极分布在第一摩擦层的上表面;第一电极层的左侧表面设有第一电极引出点及由第一电极引出点引出的第一导线;第一电极层的上方设置有一体式岛状质量块;第一摩擦层为负电序列材料,第一电极层采用与第一摩擦层电序列相反的材料并在质量块的带动下与负电序列摩擦层接触分离;反向测量模块分布在刚性绝缘隔离层的下方包括第二摩擦层和第二电极层与正向测量模块结构相同。该传感器双向大量程测量的优点可以满足工业和军事的迫切需求。

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