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公开(公告)号：CN102916017A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210379410.2
申请日：2012-10-09
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L27/12
Abstract: 本发明涉及集成电路领域，具体涉及一种抗辐射加固SOI结构。本发明在多晶硅衬底上覆盖有多晶硅氧化层（201），氧化层上覆盖有半绝缘多晶硅膜（301），半绝缘多晶硅层上覆盖有二氧化硅层（401），二氧化硅层上覆盖有多晶硅层（601）。在多晶硅衬底和该结构最上方的多晶硅层之间有通孔（501）。本发明提出了特别设计在双层SiO2层中加入具有平衡电荷作用的半绝缘性多晶硅膜（SIPOS）而形成的结构作为SOI结构的隐埋绝缘层，并在该隐埋绝缘层上设计出通孔结构，将其作为利用选择外延生长形成顶层SOI层的窗口，并兼有导热和传导电荷作用，改善了SOI器件导热、散热能力和抗总剂量辐射性能，达到了提高SOI器件的热稳定性和抗辐射加固目的。
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公开(公告)号：CN102208456B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201110129276.6
申请日：2011-05-18
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/872
Abstract: 本发明提供的是一种叠置P+-P结势垒控制肖特基二极管。包括N+衬底区(100)、N型漂移区(101)、叠置P+-P结构P+部分(102)、阳极电极(104)、阴极电极(105)、二氧化硅层(106)、肖特基接触(107)、欧姆接触(108)，还包括叠置P+-P结构P部分(103)，叠置P+-P结构P+窗口部分(102)在叠置P+-P结构P窗口部分(103)上面。本发明在形成区域叠置P+-P结构P+部分前，形成类似JBS网状的一层相互分离的区域叠置P+-P结构P部分，在不牺牲器件正向导通特性的前提下，提高结势垒肖特基二极管器件的反向耐压，同时降低输出电容。本发明具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。
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公开(公告)号：CN102624397A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210077500.6
申请日：2012-03-22
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H03M3/02
Abstract: 本发明属于MEMS惯性器件领域，具体涉及一种电容式微加速度计数字输出的全差分数字加速度计接口电路系统。本发明包括驱动信号产生部、全差分电荷积分器、全差分后级放大器、全差分前置补偿器、相关双采样与采样保持电路、全差分电学积分器、1位动态比较器、1位数模转换器和1位静电力反馈，本发明提高了加速度计系统线性度，有效降低了模数转换的量化噪声，抑制了零点漂移，减小了开关电荷注入和衬底噪声产生的共模干扰，提高了电源抑制比，减小了谐波失真。
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公开(公告)号：CN102263139A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110136633.1
申请日：2011-05-24
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/872 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/872
Abstract: 本发明提供的是一种改进的混合整流二极管结构，包括N+衬底区(100)、N型漂移区(101)、有源区结P+部分(102)、第一部分阳极电极(104)、阴极电极(105)、二氧化硅层(106)、第二部分阳极电极(107)；还包括有源区结P部分(103)，所述有源区结P部分(103)包围有源区结P+部分区域(102)。本发明将结终端保护环与二极管有源区同时形成，并且所有区域102都在区域103中形成，在不牺牲器件正向特性，输出电容的前提下，提高了结势垒肖特基二极管器件的耐压。本发明与普通MPS、JBS工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。
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公开(公告)号：CN114421766B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202111646553.0
申请日：2021-12-30
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明属于电源管理芯片技术领域，具体涉及一种应用于开关电源具有抖频及斜坡补偿的高精度振荡器电路。本发明采用基准电流源产生的零温度系数电流源给电容充放电技术、利用三位的数字调频技术通过改变充电镜像电流，改变输出振荡器频率；利用抖频电容改变总电容改善EMI；采用源级负反馈构成的可调整斜率的斜坡补偿模块。本发明在具有传统振荡器高精度输出频率的基础上，能够在较宽的范围内线性切换输出频率，为调制电路提供可调斜率的斜坡补偿电流三角波信号，可对振荡器输出在一定范围内进行修调，较适合电源管理芯片电路中对时钟信号的稳定性和高精度的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114488034B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202210066927.X
申请日：2022-01-20
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明公开了一种被动探测与侦察干扰一体化装置及方法，包括共口径天线、微波射频模块、ADC模块、FPGA模块、DSP模块和DAC模块；共口径天线包括接收天线和发射天线；可以单独实现侦察干扰功能，或者单独实现被动探测功能或者同时实现侦察干扰功能和被动探测功能。本发明将被动探测与侦察干扰功能进行一体化整合，对两个功能进行一体化集成和控制既可以单独分时工作也可以同时工作提高了一体化设备的性能；采用共口径天线的设计，一方面使一体化装置的结构更加高效合理，同时可以满足侦察干扰和被动探测的共同需求，减少天线的使用量，减小体积和冗余部件减轻重量。
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公开(公告)号：CN115037319B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202210293249.0
申请日：2022-03-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明提供一种侦察、干扰、探测、通信射频一体化集成装置，本发明侦察、干扰、探测、通信一体化设备采用八个共形天线，可以对0.4GHz～4GHz频段内的辐射源信号进行被动探测；通过另外一组八个共形天线，可以对4GHz～18GHz频段内的辐射源信号进行电子侦察与干扰；利用4GHz～18GHz频段内的共形天线，可以将通信模式集成到整体设备上，与干扰模式共用一个链路，可通过程序控制进行切换，即可实现将通信模式集成到一体化设备。
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公开(公告)号：CN117081383A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311110874.8
申请日：2023-08-30
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明公开一种应用于开关电源转换器中的软启动电路，包括：打嗝模式控制模块和数字软启动模块，打嗝模式控制模块包括：连续过流检测电路部、过载消除检测电路部与睡眠时间控制电路部，数字软启动模块包括：数模转换器部与计数器部；其中，睡眠时间控制电路部的输出与过载消除检测电路部中D触发器的置位端相连，连续过流检测电路部与过载消除检测电路部经过或门再与使能信号经过一个与门输出后接入计数器的置位端，计数器输出接入数模转换器部、此计数器的输出又经过逻辑器件反馈回连续过流检测电路部和过载消除检测电路部。采用本发明的技术方案，大幅度降低过载条件下的平均电流，消除过载后具有完全的自恢复能力。
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公开(公告)号：CN109787633A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811582842.7
申请日：2018-12-24
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 带斩波稳定的适用于混合型ADC结构的ΣΔADC，属于CMOS集成电路设计技术领域。由输入信号采样部、参考电压采样部、积分信号建立部、比较器和计数器组成。本发明采用带斩波稳定的ΣΔADC结构，对内部的整个模拟信号通路进行斩波，有效地消除失调和低频噪声，获得极低的误差和漂移。本发明在传统的采样基础上，增加了对输入信号的采样控制开关，并在传统的双相不交叠时钟clk1和clk2基础上，增加两相不交叠时钟sel_in和sel_vcm；clk1和clk2的周期数为2M+1，M是ADC的数字输出位数，sel_in和sel_vcm的周期数为2M。在完成一次模数转换过程中对输入信号的积分次数为2M次，对参考电压的积分次数为2M+1次，使得转换完成后积分器的输出范围满足后续SAR ADC输入范围的要求，适用于混合型ADC电路中。
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公开(公告)号：CN104184478B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201410386730.X
申请日：2014-08-07
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H03M3/02
Abstract: 本发明提供的是一种互补共源共栅反相器及增量Sigma‑Delta模数转换电路。由二阶ΣΔ调制器(101)、降采样滤波器(102)、时钟信号产生电路(103)和低压‑高压转换器(104)构成，二阶ΣΔ调制器(101)中的带复位端的开关电容积分器中包括互补共源共栅反相器，所述互补共源共栅反相器包括第一PMOS1管和第一NMOS1管，在第一PMOS1管和第一NMOS1管之间串联第二NMOS2管和第二PMOS2管，第二NMOS2管在上，第二NMOS2管的栅端接电源电压VDD，第二PMOS2管在下，第二PMOS2管栅端接地GND。本发明的ADC具有极低的功耗和可在低电源电压下工作的特点，适用于便携式仪器和测量等领域中。
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