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公开(公告)号：CN102045068B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201010237434.5
申请日：2010-07-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G09G3/3688 , G09G2310/027 , G09G2320/02 , G09G2330/021
Abstract: 本发明提供一种数字模拟转换电路及数字模拟转换方法，该电路包括第一、第二数字模拟转换解码器以及缓冲器。第一数字模拟转换解码器，用以根据数字输入码的第一位数，输出具有第一电压电平的第一输出信号，而第一电压电平相应于多个第一输入端之一所接收的电压电平；第二数字模拟转换解码器，用以根据数字输入码中的第二位数，输出具有第二电压电平的第二输出信号，第二电压电平相应于多个第二输入端之一所接收的电压电平。缓冲器用以根据第一和第二输出信号的第一和第二电压电平，输出具有一电压电平的第三输出信号。本发明的优点是在维持LCD的解析度和亮度的情况下，减少将DAC解码器连接至共用DAC的导线数目。
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公开(公告)号：CN101635169B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200910126307.5
申请日：2009-02-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C11/419 , G11C11/412
Abstract: 本发明提出了静态随机存取存储器(SRAM)单元，其包括耦合在正电源电压和电源地之间且具有至少第一存储节点的交叉耦合的反相锁存器；和串行连接在所述第一存储节点和预设的电压源之间的第一和第二切换器件，其中所述第一切换器件由字选择信号控制，和所述第二切换器件由第一位选择信号控制，其中所述字选择信号或所述第一位选择信号均仅在写操作时被激活。
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公开(公告)号：CN102457229A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110249556.0
申请日：2011-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H03B27/00 , H03B5/1215 , H03B5/1228
Abstract: 本发明提供了一种正交振荡器及生成正交信号的方法。正交振荡器包含一第一振荡器，具有一第一二阶谐波节点，一第二振荡器，具有一第二二阶谐波节点，至少一电容器与所述第一二阶谐波节点和所述第二二阶谐波节点耦合。第一振荡器用于提供一同相信号，第二振荡器用于提供一正交信号。本发明提供的正交振荡器能够提升相位噪声性能，且在没有任何相位噪声降低、额外功耗、电压余量耗散或任何LC谐振频率影响的情况下具有相对紧凑的芯片面积。
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公开(公告)号：CN102237172A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010527778.X
申请日：2010-10-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01F21/02 , H01F21/005 , H01F2021/125
Abstract: 一种集成化的可调电感器、连续可调电感器及调整集成化于集成电路的可调电感器的方法，该集成化的可调电感器包括具备多个电感器弯折的主电感器、邻近于主电感器的至少一封闭回路涡电流线圈、以及串联于涡电流线圈的至少一可变电阻器。本发明允许电感值可横跨一个范围连续地调整。
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公开(公告)号：CN101738579A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910221735.6
申请日：2009-11-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01R31/30
CPC classification number: G01R31/3004 , G01R31/31703
Abstract: 本发明涉及被测试装置电路、集成电路以及半导体晶圆工艺监视电路。发明公开一种数字工艺监视的电路及方法。公开对应具有工艺相关特性的装置比较电流或电压对电流或电压的电路，转换正比于工艺相关电路特性的电流或电压测量为数字信号以及输出数字信号作为监控。工艺相关电路特性可能选自晶体管临界电压、晶体管饱和电流以及温度相关数量。使用数字技术例如数字滤波以及数字信号处理实施校正。数字工艺监视电路可能成为用于晶圆特性描述的切割道电路或放置于集成电路晶片中作为巨集。工艺监控电路可能使用探测垫或扫描测试电路存取。公开使用数字输出监控工艺特性的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101527540A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910000787.0
申请日：2009-01-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H03B5/1228 , H03B5/1203 , H03B5/1212 , H03B5/1215 , H03B5/1231 , H03B5/124
Abstract: 一种压控振荡器包括：第一合并的器件，其具有第一双极晶体管和第一MOS晶体管，所述第一双极晶体管具有与所述第一MOS晶体管的一个源/漏结共用共同有源区的集电极，和与所述第一MOS晶体管的其他源/漏结共用共同有源区的发射极；第二合并的器件，其具有第二双极晶体管和第二MOS晶体管，所述第二双极晶体管具有与所述第二MOS晶体管的一个源/漏结共用共同有源区的集电极，和与所述第二MOS晶体管的其他源/漏结共用共同有源区的发射极；和第一电感，其与所述第一双极晶体管的集电极和所述第二双极晶体管的基极均相连。
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公开(公告)号：CN101106208A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710079913.7
申请日：2007-02-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01P3/16 , H01P3/18 , H01L23/552
CPC classification number: H01P3/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路中的波导以及电磁波屏蔽，特别涉及一种半导体集成电路中的波导，包括：一水平的第一金属板；一水平的第二金属板，位于该第一金属板之上，且通过一第一绝缘材料与该第一金属板分隔；以及多个第一金属导通孔，互相分隔且排列形成两个互相平行的平面，其中所述第一金属导通孔垂直地形成于该第一绝缘材料中，且接触该第一金属板及该第二金属板；其中该第一金属板、该第二金属板以及由所述第一金属导通孔所形成的两个互相平行的平面形成一第一金属围封物。本发明所提供的半导体集成电路中的波导以及电磁波屏蔽，以高密度的导通孔作为波导的侧壁可产生完全的三维围封物，具有屏蔽电磁波的功能。
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公开(公告)号：CN1897466A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610101573.9
申请日：2006-07-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 薛福隆
IPC: H03M1/36
CPC classification number: H03M1/0646 , H03M1/146
Abstract: 一种平均模拟/数字转换器，包括一个或多个第一级比较器，根据比较电压输入和一组电压参考值，以产生第一组第一级比较器的数字输出以及第一组的第一级比较器模拟输出；开关网络，可选择第一级比较器的模拟输出作输出；比例电容网络，可被第一级比较器共享，以接收第一级比较器的模拟输出并产生第二组中间值模拟输出以判断输入电压的预先决定电压电平，中间值模拟输出电压电平在两个预先决定参考电压值之间；一组第二级比较器，输出多个第二级比较器的数字输出；以及译码器子系统，以接收第二级比较器的数字输出以译码出预先决定数量的最低有效位。比例电容网络被超过两个第一级比较器共享，本发明可大幅减少电路所占的面积，因此减少电流消耗量。
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公开(公告)号：CN109216533A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201710946886.2
申请日：2017-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体装置包括：衬底；第一热电传导支路，设置在所述衬底上，且掺杂有第一类型的掺杂剂；第二热电传导支路，设置在所述衬底上，且掺杂有第二类型的掺杂剂，其中所述第一热电传导支路及所述第二热电传导支路在空间上彼此间隔开，但在所述衬底上沿共同的行设置；以及第一中间热电传导结构，设置在所述第二热电传导支路的第一端部上，且掺杂有所述第一类型的掺杂剂。
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公开(公告)号：CN107394320A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710206955.6
申请日：2017-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H03H7/0115 , H03H7/0161 , H03H7/175 , H03H7/1758 , H03H7/1775 , H03H2250/00 , H01P1/20 , H03H1/00 , H03H2001/0014 , H03H2001/0092
Abstract: 本揭露揭示一种滤波器，其包含耦合于参考节点与输入端口、输出端口、第一节点及第二节点中的每一者之间的分流电路。共振网络耦合于所述输入端口与所述第二节点之间，且耦合于所述第一节点与所述输出端口之间。存储元件电路耦合于所述输入端口与所述第一节点之间，且耦合于所述第二节点与所述输出端口之间。所述分流电路具有部分地定义所述滤波器的高通带频率的等效分流电路频率响应，所述共振网络具有部分地定义所述滤波器的低通带频率的等效共振网络频率响应，且所述存储元件电路具有定义介于所述低通带频率与所述高通带频率之间的所述滤波器的止频带频率的等效存储元件电路频率响应。
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