半导体装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109216533A

    公开(公告)日:2019-01-15

    申请号:CN201710946886.2

    申请日:2017-10-12

    Abstract: 一种半导体装置包括:衬底;第一热电传导支路,设置在所述衬底上,且掺杂有第一类型的掺杂剂;第二热电传导支路,设置在所述衬底上,且掺杂有第二类型的掺杂剂,其中所述第一热电传导支路及所述第二热电传导支路在空间上彼此间隔开,但在所述衬底上沿共同的行设置;以及第一中间热电传导结构,设置在所述第二热电传导支路的第一端部上,且掺杂有所述第一类型的掺杂剂。

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