公开(公告)号：CN1941321A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610083378.8

申请日：2006-06-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  曾伟雄 ,  罗冠腾 ,  汪青蓉

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/963 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是有关于一种利用超临界流体处理的双镶嵌结构及其形成方法，该方法是提供一单一制程，以去除光阻同时避免及修补电浆蚀刻损伤，并且移除该介电层中的吸收水气。该方法包括提供一基底，包括一最上层的光阻层以及一开口延伸穿过一金属层间介电层的一厚度，以暴露一下方金属区域。进行至少一超临界流体处理以移除最上层的该光阻层。此超临界流体处理包含超临界二氧化碳、一辅溶剂、以及一添加物。此添加物是选自由一金属腐蚀抗剂及一金属抗氧化剂所组成的群组。此超临界流体处理亦包含一选择性介电绝缘层的化学键形成剂。本发明可以减少电浆蚀刻损伤并且改善低介电值材料的绝缘特性。

公开(公告)号：CN1734738A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510088732.1

申请日：2005-07-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧义理 ,  陈择毅 ,  黄见翎 ,  彭进兴 ,  汪青蓉 ,  余振华

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种冷却装置，用以控制一静电承载座上的一半导体晶圆的温度。上述冷却装置包括一多孔隙流动层、一多孔隙接触层、一多孔隙热交换层、一入口端、一出口端以及循环装置。前述多孔隙热交换层设置于多孔隙流动层与多孔隙接触层之间。前述多孔隙接触层连接静电承载座与出口端，多孔隙流动层则连接入口端。工作流体自入口端依序流经多孔隙流动层、多孔隙热交换层以及多孔隙接触层，并经由出口端流出多孔隙接触层，借以与半导体晶圆进行热交换。前述循环装置连接入口端以及出口端，用以驱动工作流体循环地于冷却系统内流动。本发明不仅构造简单且成本低廉，可节省人力以及硬设备的支出，此外亦可改善制程的稳定性进而提升产品的良率。