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公开(公告)号：CN103387236B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201310342874.0
申请日：2013-08-08
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种高纯硅的精炼装置及其方法，涉及一种硅的精炼装置及其方法。提供低成本、高效、工艺简单和适合产业化推广的一种高纯硅的精炼装置及其方法。所述装置设有中频感应熔炼炉、升降装置、等离子熔炼装置、透气塞装置、真空系统和浇注用石墨模具。将硅料放入坩埚中，抽真空后启动熔炼炉对硅料加热；熔化后提高熔炼炉功率，使硅液在1600～1850℃保温；通入工作气体熔炼；启动熔炼装置，引弧后，将引弧装置转移，对硅液表面进行等离子熔炼；熔炼完成后关闭熔炼装置，透气塞降至坩埚底部，当透气塞降至坩埚底部后关闭透气塞装置，停止通气；将硅液倒入浇注用模具中，即得高纯硅锭。
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公开(公告)号：CN103011169A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210546258.2
申请日：2012-12-14
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种片状硅的制备方法，涉及一种工业硅除硼工艺和片状硅的制备方法。提供可显著减低硼含量，所得片状硅可作为冶金法提纯太阳能级多晶硅的后道工序即酸洗除杂工序理想的低硼原料的一种片状硅的制备方法。采用冶金级硅料作为原料，将原料硅放在石墨坩埚中，通过感应线圈电磁加热，熔化硅料；硅料熔化时，加入造渣剂，控制加热功率，使反应过程中硅液的温度保持在1550～1850℃，造渣精炼结束后，静置，除去浮于硅液上层的废渣；将硅液温度控制在1500～1700℃，然后浇到水冷旋转轮毂上进行淬冷；水冷旋转轮毂为常温；调整水冷旋转轮毂的转速，使硅液飞离水冷旋转轮毂并落入容器中，则在容器中收集得到本发明所述的片状硅。
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公开(公告)号：CN116732380A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310705476.4
申请日：2023-06-14
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供一种高熵碳化物的制备方法，包括如下步骤：S1：将废钨渣与铜转炉渣、碳粉按质量比1：(0.6～1.0)：(0.06～0.08)混合均匀；S2：将混合均匀的样品通过冷等静压形成柱状坯体；S3：将坯体放置于坩埚中，在惰性气氛中升温至样品全部熔化，熔体液面下降至坩埚高度的1/3，通过多次投料将坯体投入熔体中，使熔体体积增加至坩埚体积的4/5，接着进行恒温处理，得到稳定熔体；S4：将坩埚底部与感应线圈底部齐平，并朝下移动预设高度，如此循环多次，得到富含高熵碳化物及粘结相的复合体；本发明所得产物具有强度高，耐腐蚀，耐磨等特性，通过外加元素调控的方式，回收废钨渣中稀散有价金属的同时，制备出更高强度，组织分布更均匀的高熵碳化物复合体。
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公开(公告)号：CN116592778A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310618051.X
申请日：2023-05-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 , 厦门大学
Abstract: 本发明提供单晶炉液口距的检测方法，涉及单晶硅制备的技术领域，在单晶炉炉盖上，安装双目相机，根据炉内液口距的确定方法，使得炉内液口距H为目标液口距，然后从引晶开始，通过所述双目相机对同一位置的倒影同时进行连续拍摄，拍摄的倒影分别在双目相机的像面上成像，每次拍摄得到的图像均进行计算得到实际液口距H1与目标液口距H的位置差ΔH，ΔH=H1‑H，当检测得到ΔH≠0时，进行干预调整坩埚升降速度V1，使得ΔH=0，进而使得在拉晶过程中，检测的实际液口距准确，并且通过干预使得实际液口距始终与目标液口距的差值控在±0.1mm以内，使得热场的稳定性提高，进而提高单晶的存活率，减少NG，并且使得拉制的单晶质量提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116581063A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310616244.1
申请日：2023-05-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 , 厦门大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/306
Abstract: 一种硅片刻蚀工装及硅片刻蚀方法，该工装包括：第一插片板、第二插片板、上端板和下端板；上端板包括第一上连接板、第二上连接板和第一固定板，该第一固定板分别与第一上连接板和第二上连接板固定，使上端板呈工字型结构；该第一上连接板的两端以及第二上连接板的两端均分别与第一插片板和第二插片板的上侧连接；下端板与上端板结构相似，均为工字型结构；第一插片板和第二插片板上侧的中心部分均设置为镂空结构，且第一插片板的下侧和第二插片板的下侧正对设置若干个插片槽，用以将硅片从第一插片板的插片槽中插入，贯穿至第二插片板上对应插片槽中。利用本工装进行硅片刻蚀能够降低刻蚀成本的同时提高刻蚀效率。
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公开(公告)号：CN113502519B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202110666559.8
申请日：2021-06-16
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种稳定FPC基材—覆铜板在电镀铜时涨缩不定的方法，该方法在电镀铜的前处理中采用配有恒温箱的振动台对经过钻孔、等离子和黑孔的铜箔进行干燥振动处理，在干燥铜箔的同时释放残余内应力，之后用适当温度的热水进行水洗和预浸，以保证在正式镀铜之前的涨缩值为正。正式镀铜时合理设置电镀缸内溶液的温度、阴极的电流密度上限值，并通过安装激振器与连接杆于飞靶槽上，通过传递作用使铜箔在电镀杠内持续不断的发生振动，加速溶液的对流，有效的使阴极上的铜细晶化，从而稳定涨缩值，便于技术人员计算并给出相应涨缩补偿值。
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公开(公告)号：CN113307924A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110575583.0
申请日：2021-05-26
Applicant: 厦门大学
IPC: C08G12/40 , C08G12/38 , C09J161/32
Abstract: 本发明提供了一种脲醛树脂胶的制备方法，包括以下步骤：S1，将尿素、甲醛溶液、聚乙烯醇、阴离子聚丙烯酰胺加入反应容器中，用氢氧化钠溶液调pH至7.5‑8.5，60‑70℃保温28‑32分钟；升温至85‑95℃，保温28‑32分钟；S2，用氯化铵溶液调节pH至3.5‑4.5；再用氢氧化钠溶液和氨水回调pH至7.0‑8.0；S3，再加入三聚氰胺，降温至70‑80℃后，反应28‑32分钟；再用氢氧化钠溶液调pH至7.5‑8.5，得白色粘稠液体，即所述脲醛树脂胶。该脲醛树脂胶的甲醛释放量低，胶合强度大，制备工艺简单。
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公开(公告)号：CN113292114A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110563658.3
申请日：2021-05-24
Applicant: 厦门大学
IPC: C01G53/00 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开一种含Ti、Mg共掺杂的高镍三元前驱体制备方法，包括：先将镍钴锰硫酸盐溶液混合，然后进行钛镁杂质掺杂并引入络合剂；掺杂后的混合料与氨液、碱液并流加入通有氮气的反应釜中进行共沉淀反应，反应釜中提前装有反应釜总体积40％‑55％氨液与碱液的混合溶液作为底液；反应釜中的温度控制在50‑55℃，PH值控制在11±0.5，待共沉淀反应生成的结晶颗粒度D50为10±1um后停止反应；将得到的半成品浆料进行洗涤、干燥、筛分、除铁后得到含有Ti、Mg共掺杂的高镍三元前驱体。本发明通过在镍钴锰混合溶液中直接引入金属掺杂元素并加入络合剂，使金属元素均匀分布在高粒度高镍三元前驱体中，制备出了含Ti、Mg共掺杂的高球形度、高振实的NCM811型前驱体。
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公开(公告)号：CN112958479A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110173679.4
申请日：2021-02-06
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种柔性电路板焊盘检测分拣装置，包括待测产品传送装置、红外检测装置及控制器；所述控制器与所述红外检测装置电连接；所述红外检测装置对待测产品传送装置上的待测柔性电路板进行检测，所述控制器根据所述红外检测装置检测到的红外光谱控制所述红外检测装置对待测柔性电路板进行分拣。该装置的检测效率高，不会对产品造成任何损坏，通过检测后清洗，可降低产品不良率，缩短生产时长。
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