公开(公告)号：CN116592778A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310618051.X

申请日：2023-05-29

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 ,  厦门大学

Inventor： 田定琪 ,  芮阳 ,  黄柳青 ,  徐慶晧 ,  王黎光 ,  曹启刚 ,  马成 ,  王忠保 ,  盛旺 ,  邹啟鹏 ,  陈炜南 ,  罗学涛

IPC: G01B11/14 ,  C30B29/06 ,  C30B15/00

Abstract: 本发明提供单晶炉液口距的检测方法，涉及单晶硅制备的技术领域，在单晶炉炉盖上，安装双目相机，根据炉内液口距的确定方法，使得炉内液口距H为目标液口距，然后从引晶开始，通过所述双目相机对同一位置的倒影同时进行连续拍摄，拍摄的倒影分别在双目相机的像面上成像，每次拍摄得到的图像均进行计算得到实际液口距H1与目标液口距H的位置差ΔH，ΔH=H1‑H，当检测得到ΔH≠0时，进行干预调整坩埚升降速度V1，使得ΔH=0，进而使得在拉晶过程中，检测的实际液口距准确，并且通过干预使得实际液口距始终与目标液口距的差值控在±0.1mm以内，使得热场的稳定性提高，进而提高单晶的存活率，减少NG，并且使得拉制的单晶质量提高。

公开(公告)号：CN115194566B

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202210473559.0

申请日：2022-04-29

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 田定琪 ,  马成 ,  王忠保 ,  芮阳 ,  闫龙 ,  徐慶晧

IPC: B24B5/04 ,  B28D5/00

Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶棒等径零位的定位方法，属于半导体硅单晶棒加工技术领域，在晶棒与晶冠之间预设零位面，以零位面为第一基准面，在第一预定方向、平行移动预定距离建立参考面并进行标记，参考面标记后对晶棒进行辊磨加工，加工完毕后，以参考面作为第二基准面，在第二预定方向、平行移动预定距离下确定辊磨加工后的零位面，在辊磨加工后，以零位面为基准线对晶棒进行切割，使得晶冠与晶棒等径的部分不被误认为是晶棒的长度而被切割，使得产品的良率不被降低。

公开(公告)号：CN117107352A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310923647.0

申请日：2023-07-26

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 商润龙 ,  马成 ,  徐慶晧 ,  王黎光 ,  曹启刚 ,  芮阳 ,  王忠保 ,  李小红 ,  张兴茂 ,  田定琪 ,  赵泽慧

IPC: C30B29/06 ,  C22F1/06 ,  C30B15/00

Abstract: 一种降低硅单晶拉制过程中微缺陷形成的装置及安装方法，该装置包括降温部件、法兰和辅助降温组件；降温部件包括内筒和外筒，内筒的中间为空心结构，用于在硅单晶拉制过程中通过硅单晶，内筒的上端与法兰固定；外筒密封包裹在内筒的外表面，外筒的上端与法兰的下表面固定，外筒和内筒之间的密封空间内设置有水道，该水道的进水口和出水口分别正对设置于外筒两侧；辅助降温组件包裹在降温部件的外表面上，且降温部件的外表面与该辅助降温组件的内表面之间存在间隙，该辅助降温组件上设置有若干个气体导向孔，用于在单晶硅拉制过程中氩气通过气体导向孔吹向降温部件的外表面。本方案能够降低单晶硅中缺陷的含量，从而提高拉制的单晶硅的质量。

公开(公告)号：CN115194566A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210473559.0

申请日：2022-04-29

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 田定琪 ,  马成 ,  王忠保 ,  芮阳 ,  闫龙 ,  徐慶晧

IPC: B24B5/04 ,  B28D5/00

Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶棒等径零位的定位方法，属于半导体硅单晶棒加工技术领域，在晶棒与晶冠之间预设零位面，以零位面为第一基准面，在第一预定方向、平行移动预定距离建立参考面并进行标记，参考面标记后对晶棒进行辊磨加工，加工完毕后，以参考面作为第二基准面，在第二预定方向、平行移动预定距离下确定辊磨加工后的零位面，在辊磨加工后，以零位面为基准线对晶棒进行切割，使得晶冠与晶棒等径的部分不被误认为是晶棒的长度而被切割，使得产品的良率不被降低。