-
公开(公告)号：CN102583386A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210024702.4
申请日：2012-02-03
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种掺杂氯化物的渣系去除工业硅中硼磷杂质的方法，涉及工业硅的提纯方法。将工业硅加入石墨坩埚中；启动中频感应电源加热，按功率增加依次添加造渣剂到石墨坩埚中；待物料熔化后，维持功率不变，反应温度控制在1600～1800℃，使硅液和造渣剂混合反应；造渣充分后，降低中频频率，将渣系倒入应接水箱中，水冷后硅与渣基本分离，取样经等离子电感耦合质谱仪分析测量硅中B，P杂质含量。采用掺杂氯化物作为造渣剂的组分，使得渣硅更容易分离，同时对硅中杂质B、P有非常明显的去除效果，造渣完成后结合定向凝固和酸洗等工艺，可得到太阳能级多晶硅。整个工艺流程简单快捷，安全性能好，非常适用于工业化生产。
-
公开(公告)号：CN102424568A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110259241.4
申请日：2011-09-02
Applicant: 厦门大学
IPC: C04B35/10 , C04B41/88 , C04B35/622
Abstract: 一种含钨氧化铝陶瓷发热基板的制备方法，涉及一种陶瓷发热元件的制备方法。提供在可解决水系流延成型过程中溶剂(水)对粉料的湿润性较差、浆料除泡困难、挥发慢和干燥时间长，以及烧结后陶瓷与金属层结合力差等问题，能显著提高烧结合格率和生产效率的一种含钨氧化铝陶瓷发热基板的制备方法。配制陶瓷预混料和钨浆料；球磨；流延成型；丝网印刷；烧结；镀镍。
-
公开(公告)号：CN102392297A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110343249.9
申请日：2010-03-12
Applicant: 厦门大学
IPC: C30B28/06 , C30B29/06 , C25C1/16 , C25C7/00 , C01B33/037
CPC classification number: Y02P10/234
Abstract: 一种锌电解回收装置及处理方法，涉及一种太阳能多晶硅。设有电解槽、整流器、低位集液槽、加温槽、耐酸泵和高位槽。电解槽内的阳极和阴极接整流器输出端，电解槽分别与低位集液槽和加温槽连接，低位集液槽经耐酸泵与高位槽连接，高位槽与加温槽连接。将电解回收后的硅置于坩埚内，掺杂锗，装炉；将炉室抽真空，接通加热电源，使坩埚内的硅料逐渐加热到全部融化；通过定向凝固，使硅从底部向上逐渐凝固，形成定向凝固多晶硅。
-
公开(公告)号：CN102358620A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201110278875.4
申请日：2011-09-16
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种金属硅中除硼的方法，涉及一种金属硅除硼方法。提供一种造渣与酸洗工艺相结合，使其满足太阳能级多晶硅要求的金属硅中除硼的方法。将造渣剂与金属硅混合后碾压成球形硅料，再装入熔炼炉，在氩气氛围下进行造渣处理；将造渣处理后的硅料粉碎、研磨、过筛，得到硅粉；将所得硅粉加入到盐酸和氢氟酸的混合液中浸泡；将所得硅粉加入到硝酸和双氧水的混合液中浸泡；将所得硅粉加入到氢氟酸和有机胺的混合液中浸泡，冲洗、抽滤，得到冲洗干净的硅粉；将所得到的硅粉进行喷雾干燥，得到低硼的冶金硅粉。工艺简单、质量稳定、成本低，便于产业化推广。
-
公开(公告)号：CN101837980B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010177791.7
申请日：2010-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种采用硫化物去除工业硅中硼磷杂质的方法，涉及工业硅。将渣料预熔；将预熔后的渣料与工业硅混合后放入石墨坩埚，抽真空，当真空度小于500Pa时启动罗茨泵，使真空在5Pa以下，接着关闭真空阀，通过石墨通气棒向体系通入Ar气，使真空度维持在5000～10000Pa；启动中频感应电源加热，待熔化后将石墨通气棒降至硅液表面上方1～3cm预热后，通入Ar气，并将通气棒插入硅液，通气搅拌；测量熔液温度，通过调节中频频率使反应温度维持在1600～1800℃；造渣后将通气棒升离坩埚，将熔炼完成的熔液浇注入模具中，凝固，得硅锭，完成采用硫化物去除工业硅中硼磷杂质的工作。可操作性强，适合于产业化。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101555015B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200910111808.6
申请日：2009-05-19
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种多晶硅的除硼提纯方法及装置，涉及一种多晶硅。提供一种低成本，工艺简单，适合产业化推广的多晶硅的除硼提纯方法及装置。多晶硅除硼提纯装置设有真空系统、中频感应熔炼系统、二次加料装置、多孔旋转喷嘴和浇注用石墨模具。将造渣剂预熔，所得矿渣装入加料仓；金属硅放入石墨坩埚，抽真空，接中频感应线圈电源，加热熔化金属硅后使硅液保持在1500～1800℃，将多孔旋转喷嘴降至硅液表面上方预热，通反应气体；旋转加料仓，加入造渣剂，将多孔旋转喷嘴降至石墨坩埚中，启动旋转叶片；待通气造渣完成后，关闭旋转叶片，升起多孔旋转喷嘴，关闭气源，将硅液倒入石墨模具静置，冷却后取出硅锭，去除杂质富集部分，得多晶硅锭。
-
公开(公告)号：CN101628719B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200910112398.7
申请日：2009-08-19
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 真空感应熔炼去除硅中磷杂质的方法，涉及一种硅提纯方法。提供一种真空感应熔炼去除硅中磷杂质的方法。将多晶硅放入坩埚中，抽真空，预热后关闭粗抽阀，开启扩散泵阀门抽真空，接通中频感应加热电源，坩埚开始感应生热，对坩埚内的硅原料进行低温预热，当温度上升到600℃时，硅自身感应生热；增加中频加热功率为50～200kW，当温度达到1415℃以上时，硅开始熔化；熔化后，调节中频加热功率，使硅液温度控制在1550～1850℃；待温度稳定后，将真空度控制在1.2×10-2～1.0×10-1Pa；开始计时，保温时间为45～120min；在水冷铜盘中通入循环水，然后将熔炼完成的硅液浇注入模具中，快速凝固，即完成。
-
公开(公告)号：CN101870472A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010109835.2
申请日：2010-02-09
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种采用稀土氧化物去除工业硅中硼磷杂质的方法，涉及一种半导体材料工业硅。提供一种采用稀土氧化物去除工业硅中硼磷杂质的方法。将工业硅原料和造渣剂放进石墨坩埚；抽真空，启动中频感应电源加热，使石墨坩埚中的硅料和渣料熔化；待石墨坩埚内物料全部熔化后，将坩埚上方的石墨通气棒预热；向体系中开始通入惰性气体，待预热充分后将通气棒开始通气搅拌；渣过程中，通过调整中频功率，使反应温度为1550～1850℃；待造渣充分后将通气棒升离坩埚，然后通过翻转浇铸将硅液倒入石墨模具中，静置，冷却后取出硅锭，去除头尾杂质富集部分，得到提纯后的多晶硅锭，测量熔炼后的硼、磷杂质含量。
-
公开(公告)号：CN101852726A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010109823.X
申请日：2010-02-09
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N21/31
Abstract: 一种利用分光光度计检测偏高岭土活性的方法，涉及一种偏高岭土。提供一种方法操作简单方便、测定快速、结果可靠的利用分光光度计检测偏高岭土活性的方法。样品倒入容器中，加入盐酸，加热反应后，滤液加水定容；置铝片于容器中，用盐酸浸溶至表面氧化层溶解，倒去盐酸溶液，将铝片置于容器中，加入王水，加热溶解，移入容量瓶内，用水稀释，移取到容量瓶内，用水稀释，分别取1μg/mL铝标准溶液于容量瓶内，加入抗坏血酸溶液、铬天青-S乙醇溶液、六亚甲基四胺溶液，加水定容，再移入吸收皿中，于分光光度计波长545nm处测量吸光度，求铝工作标准曲线的斜率；测定酸浸液中铝含量，再计算偏高岭土中活性氧化铝含量。
-
公开(公告)号：CN101844768A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010177776.2
申请日：2010-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种冶金级硅中磷和硼的去除方法，涉及一种冶金级工业硅的提纯。提供一种具有投资较少、生产成本较低、环境污染较小等优点的冶金级硅中磷和硼的去除方法。将块状硅料装入熔炼炉中熔炼，再将造渣剂覆盖在块状硅料上，得硅块混料；对熔炼炉抽真空，当真空抽至800～1200Pa时停止抽气，再充氩气至8000～12000Pa后停止充氩气；将硅块混料加热融化，通入水蒸气，再将熔化的混料浇注在熔炼坩埚下方的承接石墨坩埚上，冷却后，取出硅料；将造渣后的硅料破碎磨粉，得硅粉；将硅粉用盐酸浸泡；将盐酸浸泡后的硅粉用稀王水浸泡；将稀王水浸泡后的硅粉用氢氟酸浸泡，得已去除磷和硼的冶金级硅。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
157
records
(took 0.118 seconds)
