-
公开(公告)号：CN119170723A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411282739.6
申请日：2024-09-13
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本申请涉及深紫外LED技术领域，特别涉及一种深紫外LED复合周期性电极及其制备方法、深紫外LED。该制备方法包括以下步骤：准备芯片的外延片；对外延片的P型半导体空穴注入层的表面依次进行旋涂增粘液处理、旋涂光刻胶处理，而后进行烘烤处理；利用MLA光刻系统对外延片进行光刻处理，获得所需光刻图案，光刻图案呈等间距经纬分布，使其由若干矩形方格阵列式排布而成，矩形方格包括四条矩形边，且矩形边与矩形边的端部相交处采用圆点连接；将外延片进行I CP刻蚀后镀上导电电极材料，即得。本申请制得的深紫外LED复合周期性电极采用点线结合和复合有序的经纬排布设计，可使得正面深紫外光的透光效果显著提升，有利于获得高光提取效率的深紫外LED。
-
公开(公告)号：CN118302029A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410407077.4
申请日：2024-04-07
Abstract: 本发明公开了一种SOT器件及其制备方法，SOT器件包括SOT耦合层以及设置在SOT耦合层上方的磁隧道结；磁隧道结包括铁磁自由层、势垒层与铁磁固定层由下至上依次层叠形成；SOT耦合层用于产生使磁隧道结内磁化翻转的自旋轨道矩，包括III族氮化物衬底与二维Janus过渡金属硫族化合物，利用III族氮化物原位多物理场调控Janus TMDC材料的Rashba效应；SOT耦合层中二维Janus过渡金属硫族化合物与磁隧道结的铁磁自由层相接触。本发明相比于传统器件提升了SOT效率，大幅降低器件阈值电流密度。
-
公开(公告)号：CN111293134B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202010081740.8
申请日：2020-02-06
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种无需巨量转移的三色Micro/Nano LED阵列及其制作方法，在n型GaN基底上形成包含极性面和半极性面的六边形微纳米孔阵结构，再经二次外延同时形成红绿蓝光多量子阱结构及p型层，利用光刻、刻蚀、镀膜等工艺制作出晶圆级的三色Micro/Nano LED阵列，该阵列的所有单个重复单元内包含三颗同轴嵌套六边形结构的RGB三色波长LED。本发明简化了三色Micro/Nano LED的制备工艺，缩短了器件的制备周期，为降低单个显示像素的尺寸提供有力途径。这种无需巨量转移的方法可制成覆盖Micro至Nano尺寸级别的三色LED阵列和超高分辨率的Micro/Nano LED显示屏。
-
公开(公告)号：CN108470793B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN201810162471.0
申请日：2018-02-26
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/105
Abstract: 本发明提供了一种紫外‑红外双波段集成p‑i‑n型光电探测器，包括由下至上层叠设置的衬底、缓冲层、n型超短周期超晶格、非掺杂i型超短周期超晶格、p型超短周期超晶格；n型超短周期超晶格在非掺杂i型超短周期超晶格的侧面具有一外露区域；外露区域的上表面设置n型欧姆接触电极，p型超短周期超晶格的上表面设置p型欧姆接触电极；非掺杂i型超短周期超晶格既能满足载流子在价带与导带量子能级间的光吸收跃迁，也能通过先紫外光照射再协同红外光入射的方式使得价带内载流子吸收光子并进行带内量子能级间的跃迁，实现针对紫外和红外双波段的光信号探测识别；红外波段的光信号通过改变p
-
公开(公告)号：CN101289173B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810071176.0
申请日：2008-06-04
Applicant: 厦门大学
Abstract: 选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法，涉及一种III族氮化物半导体材料。提供一种用于制备电阻率小、空穴浓度高的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法。选择同质或者异质的基质材料；在基质材料上外延生长形成变换叠加的垒层和阱层，在垒层与阱层的界面和阱层与垒层的界面掺入施主杂质和受主杂质，得选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料，其中，每个生长周期的步骤为：生长带隙较宽的垒层，同时掺入受主杂质；生长施主杂质或受主杂质δ掺杂层；生长非掺的带隙较窄的阱层；生长受主杂质或施主杂质δ掺杂层；在N2气氛下对所得的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料退火，即得目标产物。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101621108A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910112318.8
申请日：2009-07-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法，涉及一种发光二极管。提供一种基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法。所述基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构自底层至顶层依次为：同质基质材料层或异质基质材料层，n型GaN基半导体层，InN/GaN应变量子阱，p型GaN基半导体层，n型GaN基半导体层上设有负电极，p型GaN半导体层设有正电极。选择基质材料；在基质材料上外延生长n型GaN基半导体层；在n型GaN基半导体层上交替生长GaN垒层和InN阱层3～11个周期；在最上一层InN阱层上生长p型GaN基半导体层，退火，在p型和n型GaN层上制备正负电极。
-
公开(公告)号：CN213869660U
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202022509016.9
申请日：2020-11-03
IPC: E06B11/08
Abstract: 一种仅供行人、手推车和轮椅通行的旋转门，包括门轴、门栅和围栏；围栏设于旋转门的左右两侧，门轴内安装有自由旋转的轴承，门栅绕门轴旋转。本实用新型仅允许行人、手推车和轮椅通行，而限制机动车和自行车通过。门扇的长度和组合结构致使机动车和自行车因为尺度过大不能通过，而行人、手推车和轮椅因为尺度适中可以自由通行。旋转门可设计成四扇形、五扇形、六扇形和七扇形，门栅的长度由旋转门的扇数、手推车或轮椅的长宽、以及自行车的长度决定。本实用新型方便行人、婴幼儿推车、老龄人士和残障人士轮椅自由通行，可用于公园、步道等不需要人看管的出入口处。
-
公开(公告)号：CN208062084U
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201820553183.3
申请日：2018-04-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型涉及一种应力调控紫外多波长MSM光电探测器，利用外延于同一衬底上的两组完全应变超短周期超晶格结构完成紫外双波长的窄线宽探测，不仅极大地简化了双波段探测器件材料结构、生长过程及制备工艺，而且通过精确选择、高度集成，为多波长集成的彩色成像提供基础。本实用新型通过调控单周期超晶格的阱分子、垒分子层数，使二者达到共格界面附近力平衡状态并处于完全应变；设计生长两组完全应变的超短周期超晶格，可实现针对紫外光信号的双波长探测。本实用新型通过在外延衬底同一晶向生长不同阱垒比的多组超短周期超晶格，使多个带隙处于预设波长范围，可获得窄线宽的更多波长紫外探测，从而为集成多波长的彩色成像探测提供前提。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN211719593U
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202020154261.X
申请日：2020-02-06
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本实用新型公开了一种无需巨量转移的三色Micro/Nano LED阵列，包括衬底、GaN缓冲层、非故意掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱及p型层；其阵列单元包括形成于n型GaN层的六边形微纳米孔，六边形微纳米孔的侧壁包括第一半极性面和第二半极性面，底面形成下极性面，InGaN/GaN多量子阱形成于第一半极性面、第二半极性面和下极性面上，p型层覆盖InGaN/GaN多量子阱。每个阵列单元包含三颗同轴嵌套六边形结构的RGB三色波长LED。本实用新型可扩展至纳米量级，为降低单个显示像素的尺寸提供有力途径。这种无需巨量转移的三色LED阵列可覆盖Micro至Nano尺寸级别，制成超高分辨率的Micro/Nano LED显示屏。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN208062085U
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201820271210.8
申请日：2018-02-26
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/105
Abstract: 本实用新型提供了一种紫外-红外双波段集成p-i-n型光电探测器，包括由下至上层叠设置的衬底、缓冲层、n型超短周期超晶格、非掺杂i型超短周期超晶格、p型超短周期超晶格；n型超短周期超晶格在非掺杂i型超短周期超晶格的侧面具有一外露区域；外露区域的上表面设置n型欧姆接触电极，p型超短周期超晶格的上表面设置p型欧姆接触电极；非掺杂i型超短周期超晶格既能满足载流子在价带与导带量子能级间的光吸收跃迁，也能通过先紫外光照射再协同红外光入射的方式使得价带内载流子吸收光子并进行带内量子能级间的跃迁，实现针对紫外和红外双波段的光信号探测识别；红外波段的光信号通过改变p型超短周期超晶格的掺杂浓度实现响应探测。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
50
records
(took 0.017 seconds)
