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公开(公告)号：CN108470793A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810162471.0
申请日：2018-02-26
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/105
Abstract: 本发明提供了一种紫外-红外双波段集成p-i-n型光电探测器，包括由下至上层叠设置的衬底、缓冲层、n型超短周期超晶格、非掺杂i型超短周期超晶格、p型超短周期超晶格；n型超短周期超晶格在非掺杂i型超短周期超晶格的侧面具有一外露区域；外露区域的上表面设置n型欧姆接触电极，p型超短周期超晶格的上表面设置p型欧姆接触电极；非掺杂i型超短周期超晶格既能满足载流子在价带与导带量子能级间的光吸收跃迁，也能通过先紫外光照射再协同红外光入射的方式使得价带内载流子吸收光子并进行带内量子能级间的跃迁，实现针对紫外和红外双波段的光信号探测识别；红外波段的光信号通过改变p型超短周期超晶格的掺杂浓度实现响应探测。
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公开(公告)号：CN108445570A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810229079.3
申请日：2018-03-20
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种基于表面等离极化激元与光学腔强耦合的波长选择器，包括：由下至上依次层叠设置的平面衬底、超薄下金属反射镜、金属纳米阵列嵌入式法布里-珀罗复合光学腔、以及超薄上金属反射镜；所述金属纳米阵列嵌入式法布里-珀罗复合光学腔的折射率大于所述平面衬底的折射率；所述金属纳米阵列嵌入式法布里-珀罗复合光学腔包括法布里-珀罗光学腔，以及嵌入腔中的金属纳米阵列；所述中的金属纳米阵列中的单颗粒呈周期性阵列排布。本发明提出一种基于表面等离极化激元与光学腔强耦合的波长选择器，解决了当前表面等离极化激元波长选择器件不易集成、单一波长选择性的问题。
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公开(公告)号：CN105480942B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610033401.6
申请日：2016-01-19
IPC: B82B3/00
Abstract: 一种单层密排纳米微球阵列的制备方法，涉及纳米微球。利用搭建的单层密排纳米微球阵列制备装置，把基片按一定位置和方向安置到装置中，通过水的浮力和表面活性剂的作用让纳米微球单层密排在水面上，缓慢平移一套装有待排列纳米微球阵列的第二基片夹支架，将第二基片置于水面单层密排纳米微球区域正下方，再缓慢排水以让纳米微球阵列转移到基片表面，并通过退火以让纳米微球阵列密排在基片上。装置成本低廉、结构简单、操作简便、对液面扰动小。所形成的纳米微球阵列除了本身二维结构特性应用，还可作为纳米微球模板用于制备更精细结构的大面积二维纳米球壳阵列、二维纳米颗粒阵列及二维异质结纳米薄层阵列，适用于纳米科学、纳米加工工程等领域。
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公开(公告)号：CN105742158A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610085270.6
申请日：2016-02-15
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02403 , H01L21/02554 , H01L21/02631 , H01L21/02658
Abstract: 一种氧化镁衬底生长氧化锌薄膜的方法，涉及薄膜材料的制备。包括以下步骤：1)将衬底清洗后用氮气吹干，然后转入分子束外延生长系统，进行氧等离子退火；2)将步骤1)经氧等离子退火后的衬底进行氮等离子处理，随后进行镁原子沉积；3)在步骤2)完成后，通过低温生长氧化锌缓冲层和高温生长氧化锌薄膜，即完成氧化镁衬底生长氧化锌薄膜。采用分子束外延生长设备在MgO衬底上制备高质量氧化锌单晶样品，通过衬底表面预处理工艺，获得高质量的氧化锌单晶薄膜，可以运用于紫外发光、激光二极管等方面，有很大的应用前景，工艺简单，可重复性好。
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公开(公告)号：CN105480942A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201610033401.6
申请日：2016-01-19
IPC: B82B3/00
CPC classification number: B82B3/0009
Abstract: 一种单层密排纳米微球阵列的制备方法，涉及纳米微球。利用搭建的单层密排纳米微球阵列制备装置，把基片按一定位置和方向安置到装置中，通过水的浮力和表面活性剂的作用让纳米微球单层密排在水面上，缓慢平移一套装有待排列纳米微球阵列的第二基片夹支架，将第二基片置于水面单层密排纳米微球区域正下方，再缓慢排水以让纳米微球阵列转移到基片表面，并通过退火以让纳米微球阵列密排在基片上。装置成本低廉、结构简单、操作简便、对液面扰动小。所形成的纳米微球阵列除了本身二维结构特性应用，还可作为纳米微球模板用于制备更精细结构的大面积二维纳米球壳阵列、二维纳米颗粒阵列及二维异质结纳米薄层阵列，适用于纳米科学、纳米加工工程等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103320753B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310250357.0
申请日：2013-06-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法，涉及铝纳颗粒阵列的制备方法。提供可实现颗粒尺寸密度可调的一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法。在E-Beam生长腔体中，放入样品台，然后将衬底放置于样品台上；将铝置于E-Beam生长腔体内，用高能电子束轰击膜料铝，使之表面产生很高的温度后由固态直接升华到气态，并沉积在衬底上，完成尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备。采用调整放置衬底的样品台倾角的方法，可实现尺寸密度可调控的金属纳米颗粒阵列的制备。制得铝纳米颗粒阵列纳米颗粒尺寸密度可调控，有利于制备电学/光电器件。制备条件简单，不需要复杂设备，在规模化工业生产中具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN104833450A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510288699.0
申请日：2015-05-31
Applicant: 厦门大学
IPC: G01L1/24
Abstract: 一种原位测试LED应力的拉曼测试系统及其测试方法，测试系统设有激光器、光路系统、长波通或带通滤波片、拉曼滤镜、显微镜、CCD；长波通或带通滤波片设在拉曼光路中的显微镜光路前端、显微镜光路后端、拉曼滤镜前端、拉曼滤镜后端或CCD前端等，并与波长远离LED发光光谱的激光器结合。测试方法：首先采用显微镜进行调节样品的位置，使样品处理聚焦状态；关闭显微镜的光源，打开激光器，激光器用来发射拉曼测试需要的激光光线，光路系统传输激光的输入和输出信号，反射光线经过拉曼滤镜进行信号处理和过滤，最终的信号被CCD所探测。提升拉曼信号的信噪比，实现不同电流注入条件下的LED应力的原位测试。
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公开(公告)号：CN102590559A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210026594.4
申请日：2012-02-07
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种纳米结构量子态电注入发光测试方法，涉及一种材料器件电光性能测试方法。提供一种可针对纳米结构中单一量子态进行电注入发光的高空间分辨率、高能量分辨率测试的纳米结构量子态电注入发光测试方法。以双扫描隧道探针、高移动精度的光纤、高分辨率扫描电子显微镜、样品台及光谱仪作为联合实验平台，采用双扫描隧道探针作为电注入端、探针与样品间所产生的隧道电流作为注入电流、光纤作为光信号收集端。选取待测微区，选取待测纳米结构，光纤定位，双探针定位，高能量分辨率电注入发光测试，高空间分辨率载流子选择性注入测试。
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公开(公告)号：CN102544298A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210028309.2
申请日：2012-02-07
Applicant: 厦门大学
Abstract: 有效提高外量子效率的深紫外发光二极管及其制备方法，涉及一种发光二极管。深紫外发光二极管设有衬底，在衬底上依次生长AlN缓冲层、n-AlGaN层、有源层、p-AlGaN层和p-GaN盖层，在p-GaN盖层上沉积铝膜层，在n-AlGaN层上设n型电极，在p-GaN盖层上设p型电极。在衬底上生长AlN缓冲层、n-AlGaN层、有源层、p-AlGaN层和p-GaN盖层；采用ICP技术刻蚀出n型台面，并通过光刻、真空电子束蒸发沉积及快速热退火处理技术分别形成p型、n型的欧姆接触；在p-GaN盖层上沉积铝膜层；在n-AlGaN层上设n型电极，在p-GaN盖层上设p型电极。
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公开(公告)号：CN100538349C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200510078721.5
申请日：2005-06-03
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N23/227 , G01N1/34
Abstract: 纳米级高分辨应力测量方法，涉及一种应力测量方法，提供一种基于俄歇电子能谱仪，以电子作为测量的激发源，可获得高空间分辨的应力分布值的微区应力测量方法。其步骤为确定元素分析和零应力点，用俄歇能谱确定样品的化学元素成分和比例，并以样品的1个本质元素选择一个零应力点搜取其标准谱，作为应力零点标定；利用搜取的零应力点标准谱确定拟合参数得优化拟合理论俄歇谱；建立应力标定曲线后，根据确立的俄歇移动和应力的标定曲线得微区应力值。灵活性强，可根据样品需要建立特殊的模型进行计算，也可建立所有化合物元素的应力变化标定曲线的数据库。得到的空间分辨率和采用的俄歇电子能谱仪一致，可达到纳米量级。
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