公开(公告)号：CN1776929A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200510122238.2

申请日：2005-12-08

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘晖 ,  李志青

IPC: H01L43/06 ,  H01L43/10 ,  G01R33/07

Abstract: 本发明涉及一种微型的霍尔元件，以通式为FexGe1－x的纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料作为活性层，其中x为铁金属颗粒所占的体积百分比，0.45＜x＜0.60，薄膜厚度为4～8纳米，采用“十”字形设计，活性层的线度在0.3～1微米。本发明的微型的霍尔元件的工作温度在－250℃到+200℃范围内，并具有125VA/T以上的霍尔电阻灵敏度，其线性度优于千分之三，热漂移小于140ppm/K，零磁场偏移量在千分之五以内。在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN113571632B

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202111109797.5

申请日：2021-09-23

Applicant: 南开大学

Inventor： 程雅慧 ,  李岩 ,  张瑞 ,  陈菲菲 ,  刁凌雪 ,  刘晖

IPC: H01L43/06 ,  H01L43/10 ,  H01L43/04 ,  H01L43/14 ,  C30B23/04 ,  C30B29/52 ,  C23C14/04 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明提供了一种反常霍尔元件及其制备方法，以在单晶MgO（100）上外延生长的Fe、Cr共掺杂的单晶Ni薄膜作为活性层材料，活性层形状为“十”字形，薄膜厚度为2nm~30 nm,采用离子束沉积法生长。本发明的微型反常霍尔元件具有较小的体积，较大的反常霍尔电阻率，较小的电阻率和功耗，较宽的工作温度范围，在磁电信号转换等领域有广泛的应用。

公开(公告)号：CN109860061B

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201910059719.5

申请日：2019-01-22

Applicant: 南开大学

Inventor： 王维华 ,  吴茂坤 ,  卢峰 ,  刘晖 ,  程雅慧 ,  王卫超 ,  董红 ,  解新建

IPC: H01L21/383 ,  H01L21/40

Abstract: 卤化物为缓冲层的金属硫属化合物半导体材料的掺杂方法，所述的金属硫属化合物为过渡金属硫族化物，所述金属卤化物为MX3(M为金属，X为卤族元素)，用二维材料MX3为缓冲层，以卤族元素原子、碱金属原子或碱土金属原子为掺杂原子。

公开(公告)号：CN110860298A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201911199059.7

申请日：2019-11-29

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘晖 ,  张瑞 ,  程雅慧 ,  孙兴军

IPC: B01J23/89 ,  C02F1/30

Abstract: 金属/多晶面Cu2O复合可调控光催化剂及其制备方法，于所述光催化剂采用化学沉淀法和光还原法相结合制备，制备方法具体步骤如下：1)采用化学沉淀法制备多晶面Cu2O颗粒，2)采用光还原法将金属生长于步骤1)得到的多晶面Cu2O颗粒表面，得到金属/多晶面Cu2O复合可调控光催化剂。

公开(公告)号：CN110129736A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910369713.8

申请日：2019-04-30

Applicant: 南开大学

Inventor： 程雅慧 ,  郑灵程 ,  刘晖

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/06 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明涉及一种Fe/C60颗粒薄膜霍尔器件材料及其制备方法。该新型霍尔器件材料为纳米金属Fe颗粒随机分布于有机半导体C60母体中构成的Fe/C60复合薄膜，薄膜采用共蒸发的方法制备，制备过程中通过调控Fe和C60蒸发源的输入电流来改变Fe和C60的体积比，通过改变沉积时间来调控颗粒薄膜的厚度。该方法制备出的Fe/C60颗粒薄膜具有很高的反常霍尔电阻率和反常霍尔系数，反常霍尔电阻率的温度稳定性好。

公开(公告)号：CN110038572A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910369715.7

申请日：2019-04-30

Applicant: 南开大学

Inventor： 程雅慧 ,  张瑞 ,  刘晖

IPC: B01J23/745 ,  B01J35/10 ,  C02F1/30 ,  C02F1/72 ,  C02F101/34 ,  C02F101/36 ,  C02F101/38

Abstract: 本发明提供了一种用于降解有机污染物的α-Fe2O3/Fe光催化剂及其制备方法，本发明所制备的催化剂α-Fe2O3/Fe为纳米片结构，大大增加了反应时与有机污染物的接触面积和活性位点数量，提高了有机物的降解速率；降解有机物的驱动力为光照，不需要其他外部能源消耗，是一种高效、节能、环保的有机物降解过程；本发明所涉及的光催化剂通用性强，对较大pH范围内的有机废水中有机物的都有很好的降解效果。

公开(公告)号：CN104009153A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410242631.4

申请日：2014-05-30

Applicant: 南开大学

Inventor： 程雅慧 ,  贺婕 ,  刘晖 ,  刘孟寅

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明涉及一种Ni/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件及其制备方法。该新型磁电阻器件在制备过程中采用旋涂与离子束沉积相结合的方法，该方法灵活简便，成本低，与现有薄膜工艺兼容性好，获得的薄膜质量较高，制得的磁电阻器件具有较高的室温磁电阻。

公开(公告)号：CN103990795A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410242512.9

申请日：2014-05-30

Applicant: 南开大学

Inventor： 程雅慧 ,  刘晖 ,  贺婕 ,  胡啸宇 ,  王卫超 ,  王维华 ,  卢峰

IPC: B22F1/02 ,  B22F9/24 ,  B82Y40/00 ,  H01F1/12

Abstract: 本发明涉及一种Ni-Ni2O3纳米复合材料，特别是一种铁磁性的Ni-Ni2O3纳米复合材料及水热一步合成该材料的方法。其中Ni为纳米线形态，而Ni2O3为颗粒，通过二者的共同作用，使得材料在光学、光催化、磁性等方面的性能大幅提升。

公开(公告)号：CN101789488B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN201010123102.4

申请日：2010-03-12

Applicant: 南开大学

Inventor： 程雅慧 ,  李鲁艳 ,  罗晓光 ,  刘晖

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/14 ,  H01L43/06

Abstract: 一种薄膜材料及其制备方法，特别是一种可以应用于霍尔元件磁敏感活性层的Fe2.95Pt0.05O4薄膜材料及其制备方法。所涉及的纳米晶Fe2.95Pt0.05O4磁敏感薄膜厚度在4～400纳米；所涉及的纳米晶Fe2.95Pt0.05O4薄膜与传统的半导体薄膜相比，具有电阻率低、工作温度范围宽、线性度好、体积小等优点，而且制备简单、成本低，因而在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN101789488A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN201010123102.4

申请日：2010-03-12

Applicant: 南开大学

Inventor： 程雅慧 ,  李鲁艳 ,  罗晓光 ,  刘晖

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/14 ,  H01L43/06

Abstract: 一种薄膜材料及其制备方法，特别是一种可以应用于霍尔元件磁敏感活性层的Fe2.95Pt0.05O4薄膜材料及其制备方法。所涉及的纳米晶Fe2.95Pt0.05O4磁敏感薄膜厚度在4～400纳米；所涉及的纳米晶Fe2.95Pt0.05O4薄膜与传统的半导体薄膜相比，具有电阻率低、工作温度范围宽、线性度好、体积小等优点，而且制备简单、成本低，因而在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。