计算机基于层叠式主成分分析法智能识别视频中人眼状态的方法

    公开(公告)号:CN103745192B

    公开(公告)日:2016-11-16

    申请号:CN201310624554.4

    申请日:2013-11-27

    Inventor: 张伟 成波

    Abstract: 本发明公开了一种计算机基于层叠式主成分分析法智能识别视频中人眼状态的方法,包括以下步骤:(1)采集人眼训练图像,对人眼训练图像进行主成分分析,获得特征眼子空间和系数子空间;(2)将视频中每幅待测人眼图像投影到特征眼子空间和系数子空间中得到另一组新系数向量;取出所有新系数向量的第一个值作为系数值;以视频中的帧数为X轴,相应帧人眼图像对应的系数值为Y轴构建一条帧数‑系数值的原始数据曲线;(3)获得一条与原始数据曲线相对应的基准曲线以及差值曲线;(4)将差值曲线上的差值与预设的系数阈值作比较;判断视频中人眼状态。该方法具有很强的自适应性,能够有效克服不同人眼睛的差别带来的影响。

    一种基于PSD的交通流检测系统

    公开(公告)号:CN104485002B

    公开(公告)日:2016-09-07

    申请号:CN201410759858.6

    申请日:2014-12-12

    Abstract: 本发明公开了一种基于PSD的交通流检测系统,利用安装在公路上端支架上的PSD测距模块进行测距,根据系统检测出PSD所测距离的变化曲线判断出交通流量,距离变短时则视为有车辆通过,且根据距离变化大小确定车辆类型,通过车辆通过前后PSD测距模块的时间差判别车辆方向并计算出车速,最后把所测的交通流、车辆类型、车流方向及车辆速度无线传送至交通流管理平台。该交通流检测系统装配简单,易于操作,具有很高的推广应用价值和广阔的市场前景。

    基于移动互联网的实时油耗远程监控设备

    公开(公告)号:CN103279103B

    公开(公告)日:2016-06-08

    申请号:CN201310204328.0

    申请日:2013-05-28

    Inventor: 张伟 成波

    CPC classification number: Y02P90/02

    Abstract: 本发明公开了一种基于移动互联网的实时油耗远程监控设备,其特征在于:它包括油耗检测装置、车载移动终端及信息管理中心,所述油耗检测装置将检测到的油耗信息周期性地传送给车载移动终端,所述车载移动终端从接收到的油耗信息中计算出实际油耗量,同时实时检测行车信息,将实际油耗量与行车信息周期性地通过GPRS无线通信网络传送给信息管理中心,所述信息管理中心接收从车载移动终端传来的信息进行跟踪处理,实时监管车辆油耗和行车轨迹,可以从根本上解决偷油卖油、谎报费用、公车私用、车辆去向不明等问题。

    基于红外测距传感器的公交车客流统计系统

    公开(公告)号:CN103714603B

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201310731307.4

    申请日:2013-12-26

    Inventor: 张伟 成波

    Abstract: 本发明公开了一种基于红外测距传感器的公交车客流统计系统,其特征在于所述系统包括红外测距传感器模块、数据处理模块和GPS定位模块,所述红外测距传感器模块,用于探测公交车进门和出门处物体的数据信号,并将采集到的数据信号传输给数据处理模块;所述GPS定位模块用于实时获取公交车的位置信息,并将公交车的位置信息发送给数据处理模块;所述数据处理模块根据红外测距传感器模块提供的数据信号进行处理分析,获取公交车在指定时间、指定位置进出公交车的上下车人数。该系统采用红外测距传感器的测距原理来实现客流数据的采集,提高客流数据统计的精确性和鲁棒性,为公交车的运营分析理念、客流规划、调度、管理技术提供切实可行的解决方案。

    报文发送方法和装置
    45.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102918878B

    公开(公告)日:2016-03-09

    申请号:CN201180001436.7

    申请日:2011-05-31

    CPC classification number: H04W8/08 H04W12/06

    Abstract: 本发明实施例提供了一种报文发送方法和装置,涉及通信领域,所述方法包括:接收来自第一用户设备的认证请求,根据该第一用户标识,向该第一用户的家乡用户服务器HSS发送用户绑定认证请求,使得该第一用户的HSS根据保存的IMSI和用户标识的绑定关系判断该第一用户设备的IMSI和该第一用户标识的绑定关系是否合法;当该第一用户的HSS确定该第一用户设备的IMSI和该第一用户标识的绑定关系合法时,从该第一用户的HSS下载该第一用户设备的IMSI和该第一用户标识的绑定关系,并在第一用户设备与第二用户设备建立通信后,当接收到来自该第一用户设备的报文时,将符合下载的绑定关系的报文发送给第二用户设备。本发明防止数据传输过程中用户标识伪造的发生,提高了数据传输的安全性。

    基于智能手机的出租车自动寻呼系统

    公开(公告)号:CN103035122B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201210543679.X

    申请日:2012-12-14

    Inventor: 张伟 成波

    Abstract: 本发明公开了一种基于智能手机的出租车自动寻呼系统,包括智能手机终端、信息控制中心和车载移动终端,其特征在于:所述信息控制中心可以接收和管理司机或乘客的信誉信息,并根据乘客信誉情况判断是否为其提供服务,可以从智能手机终端接收并转发乘客的打车订单信息、确定下单信息,从车载移动终端接收并转发出租车动态位置信息、确定接单信息和出租车标识信息,可以执行出租车优化选择算法;本发明通过设计信誉评估制度、执行出租车优化呼叫选择算法,有效地解决了出租车空驶率高、污染环境、交通阻塞等问题。

    嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN102651390B

    公开(公告)日:2015-09-30

    申请号:CN201210153148.X

    申请日:2012-05-16

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管,为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括集电区、集电区上的基区和外基区,基区上的发射极,以及发射极两侧的侧墙,外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成,而且嵌入在所述集电区内。本发明提供一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管避免了TED效应,同时也降低了器件的外基区电阻,使器件的性能得到提升。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法实现了上述嵌入式外延外基区双极晶体管结构,步骤简练,成本低,操作简易,所得结构性能良好。

    金属硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN103022110B

    公开(公告)日:2015-07-29

    申请号:CN201210559190.1

    申请日:2012-12-20

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开一种金属硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法,为解决现有产品及方法不能有效减小基极电阻RB的缺点而发明。本发明金属硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管包括衬底、埋层集电区、轻掺杂外延层、集电极引出区、场区介质层、选择注入集电区、本征基区外延层、发射区-基区隔离介质区、重掺杂多晶发射区、重掺杂单晶发射区、抬升外基区、以及氧化硅隔离介质层。抬升外基区包括抬升外基区低电阻金属硅化物层、Si/SiGe/Si多晶层和重掺杂多晶硅层。本发明金属硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法在保持现有技术所具有的优点的同时进一步地减小了RB,优化了器件性能。

    超薄氧化层的激光处理生长方法及装置

    公开(公告)号:CN102945798B

    公开(公告)日:2015-07-29

    申请号:CN201210426177.9

    申请日:2012-10-30

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开一种超薄氧化层的激光处理生长方法,为解决现有超薄氧化层生长厚度难以精确控制等问题而发明。本发明超薄氧化层的激光处理生长方法为在硅片的浅表面引入氧化剂后对该硅片进行激光照射,通过激光给能促使化学反应发生而形成超薄氧化层。氧化剂的引入方法为:将硅片放置在氧化性气氛中;或,对硅片浅表面进行低能离子注入氧元素;亦或,在硅片浅表面内低能离子注入氧元素后将该硅片放置在氧化性气氛中。本发明超薄氧化层的激光处理生长装置包括进气孔、出气孔、密封工艺腔室、载片台、激光器和透明窗口。本发明超薄氧化层的激光处理生长方法及装置结构合理,使用方便,可生成质量好的薄氧化层,适用于多种半导体器件中薄氧化层的制备。

    侧向双极晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN103000676B

    公开(公告)日:2015-05-27

    申请号:CN201210535471.3

    申请日:2012-12-12

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开一种侧向双极晶体管及其制备方法,为解决现有器件中收集区面积过大的缺陷而设计。本发明侧向双极晶体管包括发射区、本征基区、收集区、发射极介质层、外基区、基区介质层和衬底介质层。衬底介质层环绕发射区并延伸进入发射区。本征基区位于基区介质层的下方,且位于衬底介质层的上方。收集区位于衬底介质层的上方。本发明侧向双极晶体管的制备方法实现了本发明侧向双极晶体管。本发明侧向双极晶体管有效地减小了收集区的面积,降低了器件的收集区寄生电容,有助于减少辐照对于器件的影响。本发明侧向双极晶体管的制备方法工艺步骤简明,对设备等技术条件要求低,适于大规模的产线生产。

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