公开(公告)号：CN119652261A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411617192.0

申请日：2024-11-13

Applicant: 清华大学 ,  北京电子控股有限责任公司

Inventor： 崔文普 ,  李震 ,  崔杰 ,  喻国芳 ,  付军 ,  任天令 ,  杜井庆 ,  赵迪

IPC: H03B5/30 ,  G01N29/00

Abstract: 本发明涉及一种基于声表面波振荡器的传感系统，包括：两个谐振器、两个振荡电路、温度控制器、流体管道、混频器、放大功能比较器及分频器；所述温度控制器、谐振器及振荡电路设置在所述流体管道上，两个所述谐振器分别位于所述温度控制器的上下两侧，两个所述振荡电路分别位于两个所述谐振器的上下两侧；所述温度控制器通过所述流体管道将热量分别传递至上下两侧的谐振器，所述谐振器分别根据温度变化调整谐振频率并分别输出不同频率至相邻的振荡电路，两个所述振荡电路分别连接所述混频器，所述混频器输出差频信号至放大功能比较器，所述的放大功能比较器将方波信号输出至所述分频器。

公开(公告)号：CN102969242B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201210431011.6

申请日：2012-11-01

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  许平

IPC: H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种嵌入式外延外基区双极晶体管制备方法，为解决现有制备方法，步骤多且繁琐、生产效率低、生产成本高等问题而设计，本发明制备方法依次包括：制备第一掺杂类型的集电区、在集电区上制备第二掺杂的基区、在基区上制备介质层、在介质层上光刻、刻蚀出发射极窗口、在发射极窗口内淀积并平坦化多晶、在多晶表面形成一多晶表面氧化层、腐蚀掉介质层、制作多晶以及多晶表面氧化层的侧墙、以侧墙以及所述多晶表面氧化层为掩体，刻蚀基区、集电区；在被蚀刻后的基区和集电区基础上通过原位掺杂选择性外延制备第二掺杂类型的外基区；在上述结构上制备触孔，引出发射极电极和集区电极，具有步骤少且简单、生产效率高以及制作成本低等优点。

公开(公告)号：CN102683399B

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201210153147.5

申请日：2012-05-16

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  许平

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括重掺杂的埋层集电区、集电区、选择性注入集电区、基区、外基区、发射极以及侧墙，外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成，而且嵌入在集电区内。外基区的一部分位于侧墙的下方。外基区在基区上产生应力。本发明提供一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管避免了TED效应，同时也降低了器件的外基区电阻，使器件的性能得到提升。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法实现了上述嵌入式外延外基区双极晶体管结构，步骤简练，成本低，操作简易，所得结构性能良好。

公开(公告)号：CN104810596A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510209336.3

申请日：2015-04-29

Applicant: 清华大学

Inventor： 彭亚涛 ,  付军 ,  王玉东

IPC: H01P7/08

Abstract: 本发明公开了一种多模谐振器及其双频带滤波器，为解决现有技术面积大等问题而发明。包括一基片，在所述的基片中部设有传输线，在所述的传输线两侧的基片上轴对称设有第一耦合线与第二耦合线；其中，第一耦合线的输入端口一、第二耦合线的输入端口一与传输线的端口一相接；第一耦合线的隔离端口一、第二耦合线的隔离端口一与第一传输线的端口一相接；第一耦合线和第二耦合线的隔离端口和直通端口开路。本发明应用耦合线作为多模谐振器，通过耦合系数调节谐振频率的相对位置，构成的双频带滤波器的频率比范围比传统的技术要大；且电路结构十分紧凑，占用的电路面积很小。

公开(公告)号：CN103035686B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201210558864.6

申请日：2012-12-20

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  张伟 ,  刘志弘 ,  许平

IPC: H01L29/73 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种隐埋硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品及方法不能有效减小基极电阻RB的缺点而发明。本发明隐埋硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管的抬升外基区由隐埋低电阻金属硅化物层、第一导电类型重掺杂多晶硅层和Si/SiGe/Si多晶层组成；金属硅化物层一直延伸至发射区-基区隔离介质区外侧。本发明晶体管在现有技术的基础上进一步减小RB、提高器件的高频性能、改善器件的噪声性能。本发明隐埋硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管制备方法实现了单晶发射区与抬升外基区低电阻金属硅化物之间的自对准结构，在保持较低基极-集电极电容CBC的同时进一步减小了RB，优化了器件性能。

公开(公告)号：CN102664190B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201210153063.1

申请日：2012-05-16

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  许平

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/732 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括集电区，在集电区上的基区和外基区、在基区上的发射极、以及在发射极两侧的侧墙，外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成且嵌入在集电区内。外基区的一部分位于侧墙的下方。外基区在基区上产生应力。本发明提供一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管避免了TED效应，同时也降低了器件的外基区电阻，使器件的性能得到提升。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法实现了上述嵌入式外延外基区双极晶体管结构，步骤简练，成本低，操作简易，所得结构性能良好。

公开(公告)号：CN102683395B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201210160811.9

申请日：2012-05-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/737 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻RB大等缺陷而设计。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、基区、基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅抬升外基区、外基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅发射区、发射区低电阻金属硅化物层、发射区-基区隔离介质区、重掺杂单晶发射区。基区低电阻金属硅化物层延伸至发射区-基区隔离介质区外侧。本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管制备方法，用于制备上述双极晶体管。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法有效地降低了基极电阻RB，工艺步骤简单，成本低。

公开(公告)号：CN102339865B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201110308925.9

申请日：2011-10-12

Applicant: 清华大学

Inventor： 严利人 ,  周卫 ,  付军 ,  王玉东 ,  刘志弘 ,  张伟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了属于半导体器件范围的一种带有应变增强结构的半导体应变MOS器件及制备工艺。在MOS器件源漏接触区两侧制作开槽结构，阻断或者减弱来自源漏两侧的对沟道区的作用，排除了沟道两侧材料对于沟道区的影响，从而使得器件沟道区只受应变帽层的应力作用，使得应力作用的效果做到最大化，而提升器件的性能。

公开(公告)号：CN103035686A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210558864.6

申请日：2012-12-20

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  张伟 ,  刘志弘 ,  许平

IPC: H01L29/73 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种隐埋硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品及方法不能有效减小基极电阻RB的缺点而发明。本发明隐埋硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管的抬升外基区由隐埋低电阻金属硅化物层、第一导电类型重掺杂多晶硅层和Si/SiGe/Si多晶层组成；金属硅化物层一直延伸至发射区-基区隔离介质区外侧。本发明晶体管在现有技术的基础上进一步减小RB、提高器件的高频性能、改善器件的噪声性能。本发明隐埋硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管制备方法实现了单晶发射区与抬升外基区低电阻金属硅化物之间的自对准结构，在保持较低基极-集电极电容CBC的同时进一步减小了RB，优化了器件性能。

公开(公告)号：CN103022109A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210559040.0

申请日：2012-12-20

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  张伟 ,  刘志弘 ,  许平

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种局部氧化抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品和方法只适于制备本征集电区窗口和单晶发射区较窄的器件的缺陷而设计。本发明局部氧化抬升外基区全自对准双极晶体管包括衬底、硅埋层集电区、硅外延层、硅集电极引出区、场区介质层、选择注入集电区、本征基区外延层、发射区-基区隔离介质区、多晶发射区、单晶发射区、抬升外基区、以及氧化硅隔离介质层。本发明局部氧化抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法有效缓解了对器件尺寸的限制，适于制备具有从窄到宽各种尺寸本征集电区窗口和单晶发射区的器件，在保持高性能的基础上进一步拓宽了技术的应用领域和范围。