公开(公告)号：CN105891628A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610193008.3

申请日：2016-03-30

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  崔文普 ,  刘志弘

IPC: G01R31/00

CPC classification number: G01R31/00

Abstract: 本发明提出了一种通用四端口在片高频去嵌入方法。所述方法包括针对每个去嵌入陪测结构建立考虑了各去嵌入陪测结构高频特性分布本质的模型；并利用所述模型通过计算或者仿真得到所述N个去嵌入陪测结构的本征Y参数导纳矩阵；将去嵌入所需要剥离的寄生参量四端口网络的相关导纳矩阵元素以及所述计算或者仿真所基于的模型的模型参数作为未知数求解所述去嵌入陪测结构的相关测试以及计算或者仿真数据所满足的方程组。本发明充分考虑了实际所需去嵌入陪测结构的非理想本质，对于必需的去嵌入陪测结构不再像现有技术那样做集总化理想假设，可以说继承并进一步发扬了通用四端口高频去嵌入现有技术的普适通用性优点。

公开(公告)号：CN103022108B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201210537229.X

申请日：2012-12-12

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  吴正立 ,  李高庆

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品基区-集电区结寄生电容过大的缺陷而设计。本发明双极晶体管包括集电区、本征基区、隔离氧化层、外基区、发射区、以及侧墙。本征基区的边缘位于隔离氧化层的上方，外基区全部位于隔离氧化层的上方。本发明双极晶体管制备方法用氮化硅侧墙作为保护进行氧化形成隔离氧化层，然后去掉氮化硅侧墙形成外基区，实现了本发明双极晶体管。本发明双极晶体管有效地减小了基区-集电区结寄生电容，改善了器件的性能。本发明双极晶体管制备方法工艺步骤简明，对设备等技术条件要求低，适于大规模生产加工。

公开(公告)号：CN104716913A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201510160857.4

申请日：2015-04-07

Applicant: 清华大学

Inventor： 彭亚涛 ,  付军 ,  王玉东 ,  崔杰 ,  崔文普

IPC: H03F3/20

Abstract: 本发明公开一种负载调制功率放大器，主要针对现有技术中功率放大器实现最佳性能的条件较苛刻的问题。该负载调制功率放大器包括依次串联连接的功率分配电路、功放电路、负载预匹配电路和负载电阻RL0；其中所述负载预匹配电路用于将RL0转换成调制阻抗，在低功率输入时负载调制效应将调制阻抗转换为Z1T，在高功率输入时负载调制效应将调制阻抗转换为2Z1T，其中Z1T＝RL+jXL。本发明通过负载预匹配电路在负载调制阻抗中引入了虚部XL，使得在计算使功率放大器达到最佳性能的条件时加入了含有RL以及XL的自由变量，从而弱化了负载调制功率放大器实现最佳性能的条件。

公开(公告)号：CN103000677B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201210535538.3

申请日：2012-12-12

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  张伟 ,  刘志弘 ,  吴正立 ,  李高庆

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种带有隔离氧化层的侧向双极晶体管及其制备方法，为解决现有器件中收集区面积过大的缺陷而设计。本发明带有隔离氧化层的侧向双极晶体管包括发射区、本征基区、收集区、发射区介质层、外基区、基区介质层以及衬底复合介质层。衬底复合介质层包括氧化硅层和氮化硅层。本征基区位于衬底复合介质层的上方，收集区位于衬底复合介质层的上方。本征基区的材料为硅、锗硅或锗硅碳。本发明带有隔离氧化层的侧向双极晶体管及其制备方法有效地减小了收集区的面积，降低了器件的收集区寄生电容，有助于减少辐照对于器件的影响。工艺步骤简明，对设备等技术条件要求低，适于大规模的产线生产。

公开(公告)号：CN102790079B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201210161189.3

申请日：2012-05-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/737 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻RB大等缺陷而设计。本发明金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、基区、基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅发射区、发射区-基区隔离介质区、重掺杂单晶发射区、接触孔介质层、发射极金属电极以及基极金属电极。基区低电阻金属硅化物层延伸至发射区-基区隔离介质区外侧。本发明公开一种金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管制备方法，用于制备上述双极晶体管。本发明金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管有效地降低了基极电阻RB。本发明金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管制备方法工艺步骤简单，成本低。

公开(公告)号：CN103022109B

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201210559040.0

申请日：2012-12-20

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  张伟 ,  刘志弘 ,  许平

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种局部氧化抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品和方法只适于制备本征集电区窗口和单晶发射区较窄的器件的缺陷而设计。本发明局部氧化抬升外基区全自对准双极晶体管包括衬底、硅埋层集电区、硅外延层、硅集电极引出区、场区介质层、选择注入集电区、本征基区外延层、发射区-基区隔离介质区、多晶发射区、单晶发射区、抬升外基区、以及氧化硅隔离介质层。本发明局部氧化抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法有效缓解了对器件尺寸的限制，适于制备具有从窄到宽各种尺寸本征集电区窗口和单晶发射区的器件，在保持高性能的基础上进一步拓宽了技术的应用领域和范围。

公开(公告)号：CN102683401B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201210160790.0

申请日：2012-05-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻RB大等缺陷而设计。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、单晶锗硅外延基区、多晶锗硅基区、基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅抬升外基区、外基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅发射区、发射区低电阻金属硅化物层、发射区-基区隔离介质区、重掺杂单晶发射区。基区低电阻金属硅化物层延伸至发射区-基区隔离介质区外侧。本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管制备方法，用于制备上述双极晶体管。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法降低了基极电阻RB，工艺简单，成本低。

公开(公告)号：CN102496626B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201110453797.7

申请日：2011-12-30

Applicant: 清华大学

Inventor： 张伟 ,  付军 ,  王玉东 ,  刘志弘

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/737

Abstract: 本发明公开一种锗硅异质结双极晶体管结构，为解决现有结构基极和集电极之间高寄生电容的缺陷而设计。本发明锗硅异质结双极晶体管结构中在沿垂直于基片的方向上，外基区下方无集电区，且无与集电极相连的导电层。该结构的加工主要步骤包括：在P型衬底上制作两个沿中心线对称的N+埋层区，生长N-硅层；形成N+Sinker、P-区和隔离环；在集电区内注入N型杂质；淀积介质层和多晶硅；对应集电区开窗口并在其中生长单晶SiGe，窗口外生长多晶SiGe；发射极和集电极处开窗口并淀积N型多晶硅；淀积介质层并设电极。本发明锗硅异质结双极晶体管结构适用于射频性能要求高的器件中，尤其是击穿电压BVceo大于8V的功率器件中。

公开(公告)号：CN102280482B

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201110220539.4

申请日：2011-08-02

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  吴正立 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  张伟 ,  许平

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开一种射频侧向扩散金属氧化物半导体器件及制备方法，为解决现有结构中源区和漏区接触电阻较大的缺陷而设计。本发明射频侧向扩散金属氧化物半导体器件在源区和高掺杂低阻区之间或在漏区上设有硅化物层。在沿栅电极至漏区的方向上包括2层或3层的法拉第屏蔽结构层与侧向扩散区上表面的距离增加。一种射频侧向扩散金属氧化物半导体器件制备方法，淀积法拉第屏蔽结构层的同时淀积了连接源区和高掺杂低阻区的金属层和/或漏区金属层，退火后形成金属硅化物。本发明射频侧向扩散金属氧化物半导体器件降低了源区和/或漏区电阻，降低了器件的栅源电容。本发明射频侧向扩散金属氧化物半导体器件制备方法提高了性能，简化了工艺。

公开(公告)号：CN102683399A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210153147.5

申请日：2012-05-16

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  许平

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括重掺杂的埋层集电区、集电区、选择性注入集电区、基区、外基区、发射极以及侧墙，外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成，而且嵌入在集电区内。外基区的一部分位于侧墙的下方。外基区在基区上产生应力。本发明提供一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管避免了TED效应，同时也降低了器件的外基区电阻，使器件的性能得到提升。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法实现了上述嵌入式外延外基区双极晶体管结构，步骤简练，成本低，操作简易，所得结构性能良好。