公开(公告)号：CN112259599B

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202011132090.1

申请日：2020-10-21

Applicant: 清华大学

Inventor： 严利人 ,  刘志弘

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L21/18

Abstract: 本发明公开了一种硅片键合式IGBT器件及其制作方法。该IGBT器件包括正面结构和背面结构，正面结构和背面结构实现在两片硅片上，两片硅片采用键合的方式构成完整一体的IGBT器件，两片硅片的键合接触面处均设有专门的接触面结构,接触面结构由金属接触层和终端结构组成，金属接触层位于中间位置，终端结构设于金属接触层四周对所述金属接触层进行保护。本发明提供了一种采用键合方式制作的IGBT器件及其制作方法，在将要键合的两片硅片上，分别制作终端结构和金属接触层，其中终端结构可以抑制漏电流和提高器件耐压，而两层金属层接触相接触，能够构成较好的键合，主要的空穴‑电子复合可以发生在此处，能够克服前述器件性能不佳的问题。

公开(公告)号：CN105355579A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201510920250.1

申请日：2015-12-11

Applicant: 清华大学 ,  上海集成电路研发中心有限公司

Inventor： 张伟 ,  严利人 ,  刘志弘 ,  刘荣华 ,  周伟 ,  王全

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/6719

Abstract: 本发明公开一种非封闭氩气保护工件台，主要针对现有技术下对需要保护的半导体晶圆片的激光加工时需要增加真空腔体及其抽真空机组使得激光退火系统变得庞大和复杂的问题，提出了一种非封闭氩气保护工件台，包括底板和分别与所述底板各边连接的若干侧板，所述各侧板连接成周向封闭的蓄气筒体，所述侧板底部设置有氩气管道，所述氩气管道的另一端连接有氩气供气装置的技术方案。本发明非封闭氩气保护工件台装置简单，改装方便。能够对半导体晶圆片形成良好的气体保护层。本发明非封闭氩气保护工件台转换方便，在既有的基础上能够进行低成本改造，降低了设备投资。本发明中激光发生设备与工件台互不干扰。

公开(公告)号：CN103000680B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201210551538.2

申请日：2012-12-18

Applicant: 清华大学

Inventor： 赵悦 ,  付军 ,  王玉东 ,  崔杰 ,  张伟 ,  刘志弘 ,  李高庆 ,  许平

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/40 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品输出输入电容大的缺陷而设计。本发明具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管包括衬底、埋层、外延层、集电极引出区、场氧层、本征基区、集电极多晶硅引出部、集电极、外基区多晶硅引出部、发射极多晶硅引出部、基极、以及发射极。在集电极与基极之间、或发射极与基极之间设置由导电材料制成的导电屏蔽层。本发明具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管及其制备方法有效地降低器件的输出输入电容，屏蔽输出端与输入端之间的反馈电容，改善晶体管高频性能，减小晶体管放大器的振荡和传输延迟，提高电路速度，适用于硅或锗硅异质结双极晶体管。

公开(公告)号：CN103000679B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201210558553.X

申请日：2012-12-20

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  张伟 ,  刘志弘 ,  许平

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种低电阻多晶连接基区全自对准双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品及方法不能有效减小基极电阻RB的缺点而发明。本发明低电阻多晶连接基区全自对准双极晶体管包括衬底、硅埋层集电区、硅外延层、硅集电极引出区、场区介质层、选择注入集电区、本征基区外延层、单晶发射区、发射区-基区隔离介质区、多晶发射区、抬升外基区、以及氧化硅隔离介质层。抬升外基区包括多晶硅层、多晶硅侧墙和Si/SiGe/Si多晶层。本发明低电阻多晶连接基区全自对准双极晶体管及其制备方法在保持了现有技术所具有的较低CBC这一优点的同时进一步减小了RB，从而能够进一步优化器件性能。

公开(公告)号：CN102651384B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201210153410.0

申请日：2012-05-16

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  许平

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/732 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括集电区、集电区上的基区和外基区、基区上的发射极、以及发射极两侧的侧墙，所述外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成，而且嵌入在集电区内。外基区的一部分位于侧墙的下方。外基区在基区上产生应力。本发明提供一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管避免了TED效应，同时也降低了器件的外基区电阻，使器件的性能得到提升。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法实现了上述嵌入式外延外基区双极晶体管结构，步骤简练，成本低，操作简易，所得结构性能良好。

公开(公告)号：CN103551731A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201310495854.7

申请日：2013-10-21

Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司 ,  清华大学

Inventor： 周伟 ,  严利人 ,  刘志弘 ,  刘荣华 ,  王全 ,  张伟

IPC: B23K26/00 ,  B23K26/06 ,  B23K26/064

CPC classification number: B23K26/06 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/67115

Abstract: 本发明的一种可旋转匀化器，包括：匀化部件，用于均匀化激光束；旋转装置，具有旋转套筒和内部空腔；其中，匀化部件的边缘外侧通过固定装置固定在内部空腔中；旋转套筒，构成内部空腔的腔体，用于带动匀化部件进行旋转；传动部件，设置于旋转装置上，且连接有驱动装置，在驱动装置的带动下使传动部件进行旋转，进而带动旋转装置进行旋转；固定支座，用于将所述旋转装置固定在光路板上。本发明的激光应用光路和激光退火设备，采用上述可旋转匀化器，避免激光束产生的毛刺长时间固定作用于匀化器的某一位置造成匀化器的损坏，延长了其使用寿命和降低了使用成本。

公开(公告)号：CN103035685A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210535456.9

申请日：2012-12-12

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  吴正立 ,  李高庆

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品BC结电容大的缺陷而设计。本发明包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管包括集电区、本征基区、埋氧层、发射极、侧墙、硅层，以及外基区。外基区的一部分位于侧墙的下方。外基区在基区上产生应力。本发明包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管在外基区下加入埋氧层，降低了BC结电容，提高了器件性能。本发明包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管制备方法实现了本发明包含埋氧层的选择外延外基区双极晶体管，步骤简练，成本低，操作简易，所得结构性能良好。

公开(公告)号：CN103000680A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210551538.2

申请日：2012-12-18

Applicant: 清华大学

Inventor： 赵悦 ,  付军 ,  王玉东 ,  崔杰 ,  张伟 ,  刘志弘 ,  李高庆 ,  许平

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/40 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品输出输入电容大的缺陷而设计。本发明具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管包括衬底、埋层、外延层、集电极引出区、场氧层、本征基区、集电极多晶硅引出部、集电极、外基区多晶硅引出部、发射极多晶硅引出部、基极、以及发射极。在集电极与基极之间、或发射极与基极之间设置由导电材料制成的导电屏蔽层。本发明具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管及其制备方法有效地降低器件的输出输入电容，屏蔽输出端与输入端之间的反馈电容，改善晶体管高频性能，减小晶体管放大器的振荡和传输延迟，提高电路速度，适用于硅或锗硅异质结双极晶体管。

公开(公告)号：CN102075123B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201110005324.0

申请日：2011-01-12

Applicant: 清华大学

Inventor： 刘志弘 ,  刘晓屏 ,  崔杰 ,  严利人 ,  王玉东 ,  付军

IPC: H02N15/00

Abstract: 本发明涉及一种旋转机构，尤其涉及一种在高温和真空状态下的磁悬浮旋转机构。其结构为：下永磁铁固定在高温真空腔体的内部底面，上永磁铁位于下永磁铁的上方，并与上永磁铁之间通过磁斥力产生间隙；支架固定在上永磁铁上，而转子固定在支架上；定子固定在高温真空腔体外部与转子相对的位置。其核心为应用磁悬浮技术以及开关磁阻电动机的原理实现了在高温真空环境下实现无磨擦非接触旋转，因而避免了传统真空系统中密封圈的磨损老化问题以及无法耐高温的问题，从而提供了一种全新的高温真空旋转装置的解决方案。

公开(公告)号：CN102664191A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201210153269.4

申请日：2012-05-16

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  许平

IPC: H01L29/73 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括重掺杂的埋层集电区、集电区、基区、外基区、发射极以及侧墙，外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成，而且嵌入在集电区内。外基区的一部分位于侧墙的下方。外基区在基区上产生应力。本发明提供一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管避免了TED效应，同时也降低了器件的外基区电阻，使器件的性能得到提升。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法实现了上述嵌入式外延外基区双极晶体管结构，步骤简练，成本低，操作简易，所得结构性能良好。