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公开(公告)号：CN119894332A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510028748.0
申请日：2025-01-08
Applicant: 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种PbS量子点探测器及其制备方法，包括以下步骤：在底电极层上使用溶胶‑凝胶法制备NiO薄膜；并在NiO表面涂覆EDT溶液，形成EDT薄膜；将(S)‑(‑)‑1‑(2‑萘基)乙基溴化铅铵(S(1‑2)NPB)溶解于第一溶液中，然后加入至PbS溶液中，形成第一混合溶液；将第一混合溶液旋涂在EDT薄膜上，形成初始薄膜；使用IBr溶液对初始薄膜进行配体交换，形成PbS薄膜；在PbS量子点薄膜上真空蒸C60作为电子传输层；使用旋涂法在电子传输层上沉积SnO2纳米颗粒，形成强n型层；使用热蒸发法在强n型层沉积Au电极，形成顶电极层。本发明实施例所述的PbS量子点探测器能显著降低暗电流，提高器件的光电响应性能和信噪比。
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公开(公告)号：CN119060013A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411173251.X
申请日：2024-08-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: C07D333/20 , C09K11/06
Abstract: 本发明属于新材料技术领域，更具体地，涉及一种烷氧基三苯胺共轭修饰的二噻吩基乙烯衍生物及其应用。该二噻吩基乙烯衍生物具有如式(一)所示的结构单元：#imgabs0#其中R1O、R2O各自独立地为C1‑C4的烷氧基，Ar为C6‑C14的芳基。本发明设计的烷氧基三苯胺修饰的二噻吩基乙烯分子开关，其吸收波长红移至可见光区域，以致可由可见光驱动闭环反应，同时开环反应本身就由长波可见光驱动，实现了二噻吩基乙烯分子开关的全可见光调控，且具有强烈、高效的可见光响应性和不凡的光异构化转化率。
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公开(公告)号：CN114774859A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210302597.X
申请日：2022-03-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: C23C14/24 , C23C14/14 , C23C14/58 , H01L31/032 , H01L31/102
Abstract: 本申请公开了一种基底诱导改善硫化铅薄膜取向结晶性方法和硫化铅薄膜及其应用，所述方法包括：(1)通过热蒸发法将铅单质沉积在基片上，获得负载金属铅薄膜的基底；(2)将步骤(1)获得的负载金属铅薄膜的基底置于含有铅源的溶液A中，加入含有硫源的溶液B，混合、反应，获得所述硫化铅薄膜。所述制备方法是一种基底诱导改善薄膜取向结晶性的方法。所述基底诱导是指在已有基底上利用热蒸发法蒸镀一层金属铅。本申请包括利用热蒸发法在基底上蒸镀金属铅，利用得到的铅基底改善硫化铅薄膜取向结晶性，此方法成本低廉、流程可控、制备方法简单、工艺流程可重复性高。利用此方法得到的硫化铅薄膜具有平整、孔洞少、取向单一、结晶性好等优点。
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公开(公告)号：CN114291841A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111304639.5
申请日：2021-11-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: C01G21/21 , C03C17/22 , C04B41/85 , H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本申请公开了一种金属元素掺杂硫化铅材料及其制备方法和在金属元素掺杂硫化铅薄膜中的应用。所述金属元素掺杂硫化铅材料的化学通式为MxPb1‑xS，其中M选自ⅤA族金属元素中的至少一种；0.0001≤x≤0.01。本申请包括利用化学水浴沉积法制备硫化铅材料的薄膜，利用后处理方法将ⅤA族金属元素掺杂入制备好的硫化铅材料的薄膜中，其掺杂浓度可控、制备流程可控、制备方法简单。制备好的薄膜具有优良的均匀性及光敏特性，可用于制备近红外光电探测器。
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公开(公告)号：CN113890110A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111066474.2
申请日：2021-09-13
Applicant: 华中科技大学 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网上海市电力公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于能源路由器的交直流混合能源系统及其运行优化方法，属于电力系统优化运行领域，包括：N个能源路由器，能源路由器之间通过电气联络线互联；多个能源子网，其中配电网馈线通过电气联络线连接至能源路由器的端口；配电网包括交流配电网和直流配电网；以及调度中心，用于确定调度计划，并发送至各能量管理系统，以对能源路由器和能源子网中的可控调节设备进行联合调度，使交直流混合能源系统的运行成本和节点电压偏差最小；调度计划包括可控调节设备中连续调节设备的功率和离散调节设备的动作指令，以及各能源路由器的端口功率。本发明使能源路由器和能源子网中的可控调节设备协调运行，以降低系统综合成本，并提升电能质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113871508A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110959821.8
申请日：2021-08-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种碲半导体薄膜红外探测器件，属于红外探测技术领域，能够解决当前Te短波红外探测器难以兼顾暗电流、响应度以及CMOS兼容性的技术难题。所述碲半导体薄膜红外探测器件包括：第一电极，第一电极为透明电极；电子传输层，设置在第一电极上；碲薄膜层，设置在电子传输层上；第二电极，设置在碲薄膜层上。本发明用于制作红外探测器件。
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公开(公告)号：CN112531049A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010999796.1
申请日：2020-09-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本申请公开了一种量子点吸光层以及制备方法、应用。所述量子点吸光层包括量子点，所述量子点为经改性组分修饰的胶体量子点；所述改性组分包括金属元素Sn和卤化铅配体；所述胶体量子点包括PbS、PbSe中的至少一种。该量子点吸光层中含有经金属元素Sn和卤化铅配体修饰的胶体量子点，并且协同制备过程中的熟化处理，大大降低了量子点的表面缺陷，提高载流子的迁移率，从而降低探测器件的暗电流噪声，提高探测性能。
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公开(公告)号：CN112521943A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010999795.7
申请日：2020-09-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种量子点材料以及制备方法、应用。所述量子点材料为经改性组分修饰的胶体量子点；所述改性组分包括金属元素Sn和卤化铅配体。该量子点材料通过引入金属Sn元素，与卤化铅配体共同修饰胶体量子点，从而降低了量子点材料的表面缺陷，提高载流子的迁移率，从而降低探测器件的暗电流噪声，提高探测性能。
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公开(公告)号：CN107287656B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201710442213.3
申请日：2017-06-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种III‑V族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法，包括以下步骤：(1)将III‑V族量子点分散于非极性溶剂中得到量子点溶液，将无机配体溶解于极性溶剂中得到无机配体分散液，再将量子点溶液与无机配体分散液混合搅拌，极性溶剂所在层即对应第一前驱体溶液；(2)将PbX2与MAX均匀分散于极性溶剂中得到第二前驱体溶液；(3)将第一前驱体溶液与第二前驱体溶液混合后利用反溶剂法生长晶体，从而在III‑V族量子点上外延诱导生长得到MAPbX3钙钛矿晶体。本发明通过对关键III‑V族量子点异质外延生长界面配体的种类和结构等进行改进，能够有效解决III‑V族量子点无法与Pb、X卤族元素相键合的问题。
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公开(公告)号：CN119836030A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411798904.3
申请日：2024-12-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请提供一种光电导器件的制备方法以及红外探测器，光电导器件的制备方法包括：将所述铅源前驱液和硒源前驱液进行混合的同时加入金属碘化物盐进行敏化，从而得到硒化铅溶液；利用所述硒化铅溶液在基底上生长硒化铅薄膜；在所述硒化铅薄膜上设置电极，从而制备得到光电导器件。该方法使用化学浴沉积技术制备硒化铅薄膜，在薄膜生长过程中原位加入金属碘化物盐的水溶液，延长了硒化铅薄膜生长的诱导期，使得硒化铅晶粒排布更加致密，减少了薄膜内部缺陷，使得掺杂浓度显著下降。原位敏化策略降低了晶界势垒，减少了晶界复合，使得暗电流下降，光响应显著提高。
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