有机-无机杂化铜基卤化物闪烁体及其制备与应用

    公开(公告)号:CN113337277A

    公开(公告)日:2021-09-03

    申请号:CN202110548572.3

    申请日:2021-05-20

    Abstract: 本发明属于半导体材料制备与应用技术领域,公开了一种有机‑无机杂化铜基卤化物闪烁体及其制备与应用,其中闪烁体的化学通式为AxCuyXz,其中,A为[(CH3)(CH2)n]4N+,Cu为一价铜离子Cu+;X为卤素,选自Cl、Br、I中的至少一种。本发明与现有技术相比,能够有效扩展单晶闪烁体的种类,实现了发射光谱在可见光区域内可调,且荧光量子产率(PLQY)高达96.7%,能够应用于高能射线探测、X射线医学成像与安检、无损检测、工业探伤等领域。并且,本发明制备工艺简单,成本低,能够实现大规模工业化生产。基于本发明得到的柔性薄膜,尤其可应用于柔性X射线成像,得到很高的成像分辨率与极佳的成像效果。

    一种PbS量子点探测器及其制备工艺

    公开(公告)号:CN119894332A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202510028748.0

    申请日:2025-01-08

    Abstract: 本发明公开了一种PbS量子点探测器及其制备方法,包括以下步骤:在底电极层上使用溶胶‑凝胶法制备NiO薄膜;并在NiO表面涂覆EDT溶液,形成EDT薄膜;将(S)‑(‑)‑1‑(2‑萘基)乙基溴化铅铵(S(1‑2)NPB)溶解于第一溶液中,然后加入至PbS溶液中,形成第一混合溶液;将第一混合溶液旋涂在EDT薄膜上,形成初始薄膜;使用IBr溶液对初始薄膜进行配体交换,形成PbS薄膜;在PbS量子点薄膜上真空蒸C60作为电子传输层;使用旋涂法在电子传输层上沉积SnO2纳米颗粒,形成强n型层;使用热蒸发法在强n型层沉积Au电极,形成顶电极层。本发明实施例所述的PbS量子点探测器能显著降低暗电流,提高器件的光电响应性能和信噪比。

    一种PbS纳米立方体量子点的制备方法

    公开(公告)号:CN117185342A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202310908014.2

    申请日:2023-07-24

    Abstract: 本发明公开了一种PbS纳米立方体量子点的制备方法,该方法包括铅前体制备、成核、持续注射生长、终止反应几个步骤,该方法通过对铅硫比、温度和注射速度进行精细调节,实现了在一步合成过程中制备高度均一的立方体PbS量子点。本发明所制备的PbS纳米立方体量子点具有干净的晶面,适用于理论和实验研究以及配体强弱的表征,相较于现有方法,本发明能够原位可调控纳米立方体的尺寸,解决了现有方法无法实现尺寸可调的问题,同时通过本发明的制备方法,可以获得尺寸可调、小尺寸的PbS纳米立方体,为光电器件等领域的应用提供了新的材料选择,并为进一步研究PbS量子点的特性和性能奠定了基础。

    有机-无机杂化铜基卤化物闪烁体及其制备与应用

    公开(公告)号:CN113337277B

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN202110548572.3

    申请日:2021-05-20

    Abstract: 本发明属于半导体材料制备与应用技术领域,公开了一种有机‑无机杂化铜基卤化物闪烁体及其制备与应用,其中闪烁体的化学通式为AxCuyXz,其中,A为[(CH3)(CH2)n]4N+,Cu为一价铜离子Cu+;X为卤素,选自Cl、Br、I中的至少一种。本发明与现有技术相比,能够有效扩展单晶闪烁体的种类,实现了发射光谱在可见光区域内可调,且荧光量子产率(PLQY)高达96.7%,能够应用于高能射线探测、X射线医学成像与安检、无损检测、工业探伤等领域。并且,本发明制备工艺简单,成本低,能够实现大规模工业化生产。基于本发明得到的柔性薄膜,尤其可应用于柔性X射线成像,得到很高的成像分辨率与极佳的成像效果。

    一种PbS量子点探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN119789575A

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202411989977.0

    申请日:2024-12-31

    Abstract: 本发明公开了一种PbS量子点探测器及其制备方法,包括以下步骤:将PbS量子点溶解于第一溶液中,制备PbS量子点溶液;将BMIM‑BF4溶解于第二溶液中,制备第一离子液体溶液;将第三溶液加入第一离子液体溶液,搅拌至均匀透明,形成混合溶液;并将混合溶液加入PbS量子点溶液中,并搅拌,形成浑浊溶液;对浑浊溶液进行离心沉淀分离,并加入洗涤剂进行洗涤,得到表面经BMIM‑BF4改性的PbS量子点;将表面经BMIM‑BF4改性的PbS量子点制备为BMIM‑BF4修饰的PbS量子点薄膜;以ITO为底电极,在其表面依次沉积ZnO、BMIM‑BF4修饰的PbS量子点薄膜、MoO3和Ag,形成p‑n异质结光电探测器。本发明实施例所述的PbS量子点探测器能有效解决离子迁移问题,显著提高薄膜的光电性能和长期稳定性。

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