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公开(公告)号：CN119894332A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510028748.0
申请日：2025-01-08
Applicant: 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种PbS量子点探测器及其制备方法，包括以下步骤：在底电极层上使用溶胶‑凝胶法制备NiO薄膜；并在NiO表面涂覆EDT溶液，形成EDT薄膜；将(S)‑(‑)‑1‑(2‑萘基)乙基溴化铅铵(S(1‑2)NPB)溶解于第一溶液中，然后加入至PbS溶液中，形成第一混合溶液；将第一混合溶液旋涂在EDT薄膜上，形成初始薄膜；使用IBr溶液对初始薄膜进行配体交换，形成PbS薄膜；在PbS量子点薄膜上真空蒸C60作为电子传输层；使用旋涂法在电子传输层上沉积SnO2纳米颗粒，形成强n型层；使用热蒸发法在强n型层沉积Au电极，形成顶电极层。本发明实施例所述的PbS量子点探测器能显著降低暗电流，提高器件的光电响应性能和信噪比。
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公开(公告)号：CN118724053A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410715447.0
申请日：2024-06-04
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C01G21/21 , B82Y40/00 , B82Y20/00 , B82Y15/00 , G01V8/10 , C09K11/66 , H01L31/032 , H01L31/0352
Abstract: 本申请公开了一种硫化铅纳米立方体量子点、制备方法及应用，该制备方法通过将ZnS量子点溶液和PbS量子点溶液按一定比例进行混合，在混合反应的过程中，ZnS在非极性溶剂中产生较高浓度的硫源，硫源会与PbS量子点吸附的配体反应，生成额外的PbS附加在PbS的量子点表面；同时由于PbS量子点的表面配体的减少，少量的配体就可实现钝化，有利于PbS(100)面的生长，最终形成PbS立方体量子点。该制备方法制备的PbS立方体量子点尺寸小，具有较强的量子限域效应，非常适用于红外探测器、太阳能电池、近红外激光器等光学器件，另外，该制备方法，流程简单，稳定性好，适合PbS立方体量子点的大规模制备。
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公开(公告)号：CN109054814A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811053118.5
申请日：2018-09-10
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种紫外激发白光多元非铅钙钛矿荧光粉及其制备方法，该荧光粉具有钙钛矿结构，其化学式满足A2B1xB21‑xB3yB41‑yX1mX2nX36‑m‑n，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0＜m≤6，0＜n≤6，0≤6‑m‑n≤6；此外，A为Cs+；B1、B2、B3、B4分别为Na+、Ag+、In3+、Bi3+；X1、X2、X3分别为F‑、Cl‑、Br‑。本发明通过对多元非铅钙钛矿荧光粉关键的组成，相应制备方法的整体流程工艺设置以及各个步骤所采用的参数条件进行改进，与现有技术相比能够有效扩展了近紫外激发的单一基质荧光粉其种类，实现了激发光谱和吸收光谱连续可调的功能，实现了对LED发光色温的调节。
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公开(公告)号：CN108659827A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810622237.1
申请日：2018-06-15
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种近紫外激发的双钙钛矿单基质白光荧光材料及制备与应用，该双钙钛矿材料的化学式满足A2B1-xCxB′1-yLnyX6，其中，A、B和C为正一价阳离子或者阳离子基团中的一种或几种的组合，A、B、C三者互不相同；B′为Al、Bi、In正三价阳离子或者阳离子基团中的一种或几种的组合；Ln为正三价的各种稀土元素中的一种或几种的组合。双钙钛矿材料尤其可作为白光荧光材料的应用。本发明通过对双钙钛矿中的两类B位元素的组成进行改进，将部分B被C取代，部分B′被稀土元素Ln取代，并通过控制取代对应的摩尔分数x、y，对应得到的近紫外激发的双钙钛矿单基质白光荧光材料与YAG:Ce3+相比发射光谱范围更宽、制备简单，尤其适用于白光LED器件中。
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公开(公告)号：CN108447915A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810174504.3
申请日：2018-03-02
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L29/786 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/06 , H01L21/34 , G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种薄膜场效应晶体管(TFT)型气体传感器及其制备方法，其中该传感器为底栅顶接触式结构或底栅底接触式结构的薄膜场效应晶体管；以底栅顶接触式结构的薄膜场效应晶体管为例，该晶体管自下而上包括衬底、栅极绝缘层、沟道有源层，沟道有源层为量子点薄膜，其上方沉积有源电极和漏电极；衬底还引出有栅电极。本发明通过对薄膜场效应晶体管型气体传感器其内部组成及结构、相应制备方法的整体工艺及各个步骤的参数进行改进，以量子点薄膜同时作为沟道有源层和气体敏感层，利用栅极偏压的调控综合多参数的气体响应，制备出高灵敏、低功耗和高选择性气体传感器，达到检测低浓度目标气体如NO2、H2S的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108444927A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810200969.1
申请日：2018-03-12
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种光谱分析芯片及其制备方法，该光谱分析芯片从下至上依次包括硅衬底层、量子点光敏薄膜、以及光学天线，其中，光学天线是由金属纳米结构周期性排列得到的阵列；该光谱分析芯片还包括至少一对与量子点光敏薄膜接触的金属电极构成光电探测器。探测芯片制备分三步：制备光学天线；制备量子点光敏薄膜；制作电极完成芯片制备。本发明利用金属纳米结构与量子点光敏薄膜之间的协同配合，利用光学天线的滤波和光场增强功能以及量子点的量子限域效应，对量子点光敏薄膜的光电响应进行波长调制和增敏，实现高灵敏、窄通带、可调谐的光电探测器单元，集成制备得到高灵敏光谱分析芯片。
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公开(公告)号：CN118931525A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410817249.5
申请日：2024-06-24
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C09K11/02 , H01L31/18 , H01L31/0352 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09K11/66 , C09K11/56 , C09K11/88 , C09K11/89
Abstract: 本发明提出了一种量子点超晶格薄膜的制备方法，该方法的步骤包括：S1、配制量子点溶液和乙二醇溶液；S2、在干燥磨具中注入乙二醇溶液；S3、在乙二醇液面上均铺撒一层滑石粉，作为缓冲层；S4、将量子点溶液滴加在乙二醇液面上，迅速盖上玻璃盖板，待液面上的薄膜干燥；S5、薄膜干燥后，在模具角落注入乙二胺溶液进行配体交换；S6、配体交换结束后，取出最终获得的薄膜进行干燥。该制备方法在气液界面滴加量子点溶液之前，先在液面上铺撒一层滑石粉作为缓冲层，缓冲层能够有效隔离量子点薄膜与模具之间的相互影响，使薄膜制备过程与模具解耦，能够很好地缓解量子点溶液蒸发组装过程中产生的内应力，提高了最终超晶格薄膜的可重复性和均匀性，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113201328A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110388977.5
申请日：2021-04-12
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C09K11/61 , C09K11/06 , C07C209/00 , C07C211/07 , H01L33/50
Abstract: 本发明属于发光材料技术领域，公开了一种单基质双带白光发射材料及其制备方法与应用，该材料的化学式为(C16H36N)CuI2，尤其可应用于在白光LED中。本发明通过对材料的化学组成进行改进，得到(C16H36N)CuI2材料，无需稀土元素参与，即可实现单基质双带白光发射，与现有技术相比能够有效扩展单基质白光材料的种类，实现了发射光谱覆盖整个可见光区域，在400～850nm，激发光谱覆盖250～400nm，其PLQY高达54.3％。
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公开(公告)号：CN111348674A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010054655.2
申请日：2020-01-17
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明属于类钙钛矿纳米晶技术领域，公开了一种Cs3Cu2X5纳米晶的制备方法及产物，其中制备方法是通过向热注入法制备Cs3Cu2X5纳米晶的前驱液中额外引入卤化铟InX3或卤化锌ZnX2，利用热注入法制备纳米晶的工艺制备得到Cs3Cu2X5纳米晶，其中X选自Cl、Br、I。本发明通过对纳米晶制备方法中关键的调控纳米晶生长的前驱物进行改进，以卤化铟或卤化锌作为前驱物中的添加剂，配合以铜元素作为铅元素的替代物，完成无铅金属卤化物发光纳米晶的制备，本发明制备过程易于实现，成本低，同时还能够解决含铅卤素钙钛矿纳米晶存在的缺陷。
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公开(公告)号：CN108807692B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201810557570.9
申请日：2018-06-01
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种抑制钙钛矿探测器暗电流的方法，该方法是通过向钙钛矿材料中掺杂痕量的高价阳离子，该高价阳离子的价态高于钙钛矿ABX3结构中的B位元素的价态，这些高价阳离子与钙钛矿材料中所含的B位元素两者的原子比不高于10‑5：1，从而降低钙钛矿材料的载流子浓度，并降低以该钙钛矿材料作为活性材料的探测器的暗电流。本发明通过控制掺杂元素的种类，尤其通过对掺杂元素浓度的调控，向钙钛矿活性层材料中掺杂痕量的高价阳离子，能够有效解决现有技术钙钛矿探测器中存在的暗电流高和灵敏度低的问题，并解决灵敏度、工作偏压、稳定性和环境污染等指标不能兼顾的问题，获得高性能、稳定的半导体探测器。
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