公开(公告)号：CN117488288A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202311338798.6

申请日：2023-10-17

Applicant: 华中科技大学 ,  湖北光谷实验室

Inventor： 张建兵 ,  罗浩 ,  许少恒 ,  李森 ,  唐江 ,  高亮 ,  王怿恺

IPC: C23C18/12

Abstract: 本发明提供了一种Ⅳ‑Ⅵ族半导体薄膜及其制备方法，将A溶于有机极性溶剂形成第一溶液，B溶于有机极性溶剂形成第二溶液，将第一溶液和第二溶液混合后得到前驱体溶液，或者将A和B混合后溶于有机极性溶剂中得到前驱体溶液，A为Ⅳ族化合物，B为Ⅵ族化合物；将基片放入所述前驱体溶液中，通过化学浴沉积反应过程在第一温度下进行薄膜生长，得到所需厚度的所述半导体薄膜。本发明直接将基片放在Ⅳ族化合物、Ⅵ族化合物的溶液中，在适宜温度下即可生长半导体薄膜；相比于溶液化学原位反应合成的薄膜，工艺简单、便利、可大面积制备半导体薄膜。

公开(公告)号：CN119836030A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411798904.3

申请日：2024-12-09

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 王怿恺 ,  唐江 ,  罗家俊 ,  张建兵 ,  李森 ,  刘婧

IPC: H10F71/00 ,  H10F77/12 ,  H10F30/10 ,  C01G21/00 ,  C01B19/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/26

Abstract: 本申请提供一种光电导器件的制备方法以及红外探测器，光电导器件的制备方法包括：将所述铅源前驱液和硒源前驱液进行混合的同时加入金属碘化物盐进行敏化，从而得到硒化铅溶液；利用所述硒化铅溶液在基底上生长硒化铅薄膜；在所述硒化铅薄膜上设置电极，从而制备得到光电导器件。该方法使用化学浴沉积技术制备硒化铅薄膜，在薄膜生长过程中原位加入金属碘化物盐的水溶液，延长了硒化铅薄膜生长的诱导期，使得硒化铅晶粒排布更加致密，减少了薄膜内部缺陷，使得掺杂浓度显著下降。原位敏化策略降低了晶界势垒，减少了晶界复合，使得暗电流下降，光响应显著提高。