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公开(公告)号：CN113201328A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110388977.5
申请日：2021-04-12
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C09K11/61 , C09K11/06 , C07C209/00 , C07C211/07 , H01L33/50
Abstract: 本发明属于发光材料技术领域，公开了一种单基质双带白光发射材料及其制备方法与应用，该材料的化学式为(C16H36N)CuI2，尤其可应用于在白光LED中。本发明通过对材料的化学组成进行改进，得到(C16H36N)CuI2材料，无需稀土元素参与，即可实现单基质双带白光发射，与现有技术相比能够有效扩展单基质白光材料的种类，实现了发射光谱覆盖整个可见光区域，在400～850nm，激发光谱覆盖250～400nm，其PLQY高达54.3％。
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公开(公告)号：CN113201328B
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202110388977.5
申请日：2021-04-12
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C09K11/61 , C09K11/06 , C07C209/00 , C07C211/07 , H01L33/50
Abstract: 本发明属于发光材料技术领域，公开了一种单基质双带白光发射材料及其制备方法与应用，该材料的化学式为(C16H36N)CuI2，尤其可应用于在白光LED中。本发明通过对材料的化学组成进行改进，得到(C16H36N)CuI2材料，无需稀土元素参与，即可实现单基质双带白光发射，与现有技术相比能够有效扩展单基质白光材料的种类，实现了发射光谱覆盖整个可见光区域，在400～850nm，激发光谱覆盖250～400nm，其PLQY高达54.3％。
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公开(公告)号：CN113337277A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110548572.3
申请日：2021-05-20
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明属于半导体材料制备与应用技术领域，公开了一种有机‑无机杂化铜基卤化物闪烁体及其制备与应用，其中闪烁体的化学通式为AxCuyXz，其中，A为[(CH3)(CH2)n]4N+，Cu为一价铜离子Cu+；X为卤素，选自Cl、Br、I中的至少一种。本发明与现有技术相比，能够有效扩展单晶闪烁体的种类，实现了发射光谱在可见光区域内可调，且荧光量子产率(PLQY)高达96.7％，能够应用于高能射线探测、X射线医学成像与安检、无损检测、工业探伤等领域。并且，本发明制备工艺简单，成本低，能够实现大规模工业化生产。基于本发明得到的柔性薄膜，尤其可应用于柔性X射线成像，得到很高的成像分辨率与极佳的成像效果。
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公开(公告)号：CN117185342A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310908014.2
申请日：2023-07-24
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种PbS纳米立方体量子点的制备方法，该方法包括铅前体制备、成核、持续注射生长、终止反应几个步骤，该方法通过对铅硫比、温度和注射速度进行精细调节，实现了在一步合成过程中制备高度均一的立方体PbS量子点。本发明所制备的PbS纳米立方体量子点具有干净的晶面，适用于理论和实验研究以及配体强弱的表征，相较于现有方法，本发明能够原位可调控纳米立方体的尺寸，解决了现有方法无法实现尺寸可调的问题，同时通过本发明的制备方法，可以获得尺寸可调、小尺寸的PbS纳米立方体，为光电器件等领域的应用提供了新的材料选择，并为进一步研究PbS量子点的特性和性能奠定了基础。
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公开(公告)号：CN113337277B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110548572.3
申请日：2021-05-20
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明属于半导体材料制备与应用技术领域，公开了一种有机‑无机杂化铜基卤化物闪烁体及其制备与应用，其中闪烁体的化学通式为AxCuyXz，其中，A为[(CH3)(CH2)n]4N+，Cu为一价铜离子Cu+；X为卤素，选自Cl、Br、I中的至少一种。本发明与现有技术相比，能够有效扩展单晶闪烁体的种类，实现了发射光谱在可见光区域内可调，且荧光量子产率(PLQY)高达96.7％，能够应用于高能射线探测、X射线医学成像与安检、无损检测、工业探伤等领域。并且，本发明制备工艺简单，成本低，能够实现大规模工业化生产。基于本发明得到的柔性薄膜，尤其可应用于柔性X射线成像，得到很高的成像分辨率与极佳的成像效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114164399B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202111314386.X
申请日：2021-11-08
Applicant: 华中科技大学 , 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种提高一维链状晶体结构硒化锑薄膜空穴浓度的方法，其中，该方法包括：将掺杂剂和硒化锑以粉末形式充分混合，形成混合粉末，所述掺杂剂包括第Ⅳ主族元素单质或含有第Ⅳ主族元素的硒化物；将所述混合粉末进行烧结再研磨，得到掺杂粉末；将所述掺杂粉末作为蒸发源，通过气相转移沉积法得到掺杂硒化锑薄膜，所述掺杂硒化锑薄膜中的锑元素被所述掺杂剂中的第Ⅳ主族元素替换。选用第Ⅳ主族元素单质或含有第Ⅳ主族元素的硒化物作为掺杂剂对硒化锑进行掺杂，实验研究表明，使用该掺杂剂能够将硒化锑薄膜的空穴载流子浓度提升至1×1016cm‑3以上。
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公开(公告)号：CN118724053A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410715447.0
申请日：2024-06-04
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C01G21/21 , B82Y40/00 , B82Y20/00 , B82Y15/00 , G01V8/10 , C09K11/66 , H01L31/032 , H01L31/0352
Abstract: 本申请公开了一种硫化铅纳米立方体量子点、制备方法及应用，该制备方法通过将ZnS量子点溶液和PbS量子点溶液按一定比例进行混合，在混合反应的过程中，ZnS在非极性溶剂中产生较高浓度的硫源，硫源会与PbS量子点吸附的配体反应，生成额外的PbS附加在PbS的量子点表面；同时由于PbS量子点的表面配体的减少，少量的配体就可实现钝化，有利于PbS(100)面的生长，最终形成PbS立方体量子点。该制备方法制备的PbS立方体量子点尺寸小，具有较强的量子限域效应，非常适用于红外探测器、太阳能电池、近红外激光器等光学器件，另外，该制备方法，流程简单，稳定性好，适合PbS立方体量子点的大规模制备。
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公开(公告)号：CN114164399A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111314386.X
申请日：2021-11-08
Applicant: 华中科技大学 , 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种提高一维链状晶体结构硒化锑薄膜空穴浓度的方法，其中，该方法包括：将掺杂剂和硒化锑以粉末形式充分混合，形成混合粉末，所述掺杂剂包括第Ⅳ主族元素单质或含有第Ⅳ主族元素的硒化物；将所述混合粉末进行烧结再研磨，得到掺杂粉末；将所述掺杂粉末作为蒸发源，通过气相转移沉积法得到掺杂硒化锑薄膜，所述掺杂硒化锑薄膜中的锑元素被所述掺杂剂中的第Ⅳ主族元素替换。选用第Ⅳ主族元素单质或含有第Ⅳ主族元素的硒化物作为掺杂剂对硒化锑进行掺杂，实验研究表明，使用该掺杂剂能够将硒化锑薄膜的空穴载流子浓度提升至1×1016cm‑3以上。
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公开(公告)号：CN119940023A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510093331.2
申请日：2025-01-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/13 , G16C60/00 , G06F18/24 , G06F17/11 , G06F17/16 , G06F111/04 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种基于分形几何与主应力线分布的壳体结构设计方法，属于材料结构优化技术领域。该基于分形几何与主应力线分布的壳体结构设计方法包括以下步骤：根据壳体结构模型的性能和设计约束开发相关的设计参数，使用相关的设计参数初始化的壳体结构模型；根据初始化的壳体结构模型相应的载荷和边界条件生成主应力线，并提取壳体结构模型离散拓扑的主要载荷路径，然后将主要载荷路径应用于构建加劲肋布局，以确定壳体结构模型中加劲肋的布局。本发明的基于分形几何与主应力线分布的壳体结构设计方法，能设计出具有高强度和高效材料利用率的壳体结构模型，能在满足不同应力条件下优化结构的形状和布局。
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公开(公告)号：CN119815973A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510031569.2
申请日：2025-01-09
IPC: H10F71/00 , H10F30/222 , H10F77/30
Abstract: 本申请提供一种量子点探测器以及量子点探测器的制备方法，所述量子点探测器的制备方法，包括：在所述衬底上依次制备底电极、电子阻挡层、P型空穴传输层、吸光层、牺牲层；在所述牺牲层的一侧表面制备亲水层；所述亲水层材料为WOx；在所述亲水层一侧表面制备n型电子传输层，在所述n型电子传输层远离所述亲水层的一侧表面制备顶电极。本申请的方案在牺牲层C60表面上设置一层亲水层，水源沉积在亲水层上后，会大大减小接触角(根据实验结果，水的接触角为6°)，这会提高n型电子传输层质量，整体提升探测器的探测性能，此外，氧化钨界面层的引入以及电子传输层质量的提高可以一定程度上抑制卤素离子(I‑)迁移，提升器件稳定性。
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