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公开(公告)号：CN115161010B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202210801538.7
申请日：2022-07-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: C09K11/02 , C09K11/56 , C09K11/88 , C09K11/66 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H01L31/0352 , H01L31/08
Abstract: 本申请提供一种离子型量子点的提纯方法和量子点薄膜制备方法，采用长链型量子点溶液和配体前驱体溶液制备含有配体前驱体杂质的第一离子型量子点粉末；向承载有所述第一离子型量子点粉末的容器中加入提纯剂；摇晃或震荡容器，以使提纯剂与配体前驱体杂质充分作用；丢弃已作用的提纯剂，向容器再次加入提纯剂，直至加入提纯剂后溶液不变色；对提纯后的第一离子型量子点粉末进行真空干燥处理，得到不包含配体前驱体杂质的第二离子型量子点粉末。本申请的提纯方法可以有效地去除残留的配体前驱体，减小量子点的间距，增加量子点薄膜的迁移率，提升量子点光电转换器件的光响应性能；此外，经提纯后的量子点薄膜质量、致密度、均匀性均有明显提高。
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公开(公告)号：CN115064645A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210559014.1
申请日：2022-05-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L51/48
Abstract: 本发明提供一种分散剂、量子点分散液的制备方法以及红外探测器；本发明的分散剂包含有能够提供电子与两个及以上的量子点表面原子结合的有机结构，该有机结构能够对量子点表面进行有效的钝化，减少量子点表面欠配位原子引入的深缺陷，降低量子点红外探测器在反向工作偏压下的产生电流和陷阱辅助隧穿电流，同时在两个及以上的量子点之间形成桥接结构，有效避免量子点形成二聚体引入带尾态，进而降低暗电流。
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公开(公告)号：CN112531049B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202010999796.1
申请日：2020-09-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本申请公开了一种量子点吸光层以及制备方法、应用。所述量子点吸光层包括量子点，所述量子点为经改性组分修饰的胶体量子点；所述改性组分包括金属元素Sn和卤化铅配体；所述胶体量子点包括PbS、PbSe中的至少一种。该量子点吸光层中含有经金属元素Sn和卤化铅配体修饰的胶体量子点，并且协同制备过程中的熟化处理，大大降低了量子点的表面缺陷，提高载流子的迁移率，从而降低探测器件的暗电流噪声，提高探测性能。
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公开(公告)号：CN113328006A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110807337.3
申请日：2021-07-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0216 , H01L31/0224
Abstract: 本申请公开了一种量子点光电探测器及其制备方法。所述量子点光电探测器包括基底、量子点层和顶电极层；所述量子点层位于所述基底的上方；所述顶电极层位于所述量子点层的上方；所述顶电极层为整面化的形状。该量子点光电探测器利用量子点本身迁移率低的特点，在光电探测器上采用整面覆盖的透明导电电极作为顶电极，而不用像传统探测器那样将顶电极光刻为像素化阵列，避免了额外的走线，同时实现了对水氧的隔绝。
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公开(公告)号：CN114899328A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210481426.8
申请日：2022-05-05
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请提供一种光电探测器及其制作方法，包括：基底、电子传输层、空穴传输层和有源层，所述电子传输层、所述空穴传输层和所述有源层设置在所述基底上，所述有源层设置在所述电子传输层和所述空穴传输层之间，其中，所述有源层包括第一胶体量子点和第二胶体量子点，所述第一胶体量子点和所述第二胶体量子点的吸收峰不相同。在本申请中，所述有源层包括第一胶体量子点和第二胶体量子点，所述第一胶体量子点和所述第二胶体量子点的吸收峰不相同，能够对有源层进行平带化处理，得到宽光谱响应探测器，光谱范围可以从可见光到1700nm的近红外光，并且截止波长可调。此外，经过平带化处理的量子点光电探测器件相较于大尺寸量子点器件，有更低的暗电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112521943B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202010999795.7
申请日：2020-09-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种量子点材料以及制备方法、应用。所述量子点材料为经改性组分修饰的胶体量子点；所述改性组分包括金属元素Sn和卤化铅配体。该量子点材料通过引入金属Sn元素，与卤化铅配体共同修饰胶体量子点，从而降低了量子点材料的表面缺陷，提高载流子的迁移率，从而降低探测器件的暗电流噪声，提高探测性能。
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公开(公告)号：CN113241298A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110359561.0
申请日：2021-04-02
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种碲半导体薄膜的制备方法，以及得到的碲半导体薄膜、相关制备仪器、应用。所述制备方法包括：将Te源进行气相传输沉积，获得所述碲半导体薄膜。本申请提供了一种碲半导体薄膜的制备方法，气相传输沉积(Vapor transport deposition)法与热蒸发法和磁控溅射方法相比之下具有操作简便、设备简单、生长成本低、可实时观察(基于VTD设备的翻盖设计)等优点。
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公开(公告)号：CN115141625B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202210800555.9
申请日：2022-07-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供一种分散剂、量子点分散液、薄膜制备方法，本发明的分散剂包括：混合的第一有机物、第二有机物和第三有机物；其中，所述第一有机物用于使量子点多聚体分离为单个量子点；所述第二有机物用于维持量子点胶粒的电学平衡；所述第三有机物用于阻止所述第一有机物与所述第二有机物反应。本发明通过第三有机物阻止第一有机物与第二有机物反应，利用第一有机物使量子点多聚体分离为单个量子点，保证了量子点分散液的单分散性；通过第二有机物维持量子点胶粒的电学平衡，保证了稳定性。
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公开(公告)号：CN113241298B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202110359561.0
申请日：2021-04-02
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种碲半导体薄膜的制备方法，以及得到的碲半导体薄膜、相关制备仪器、应用。所述制备方法包括：将Te源进行气相传输沉积，获得所述碲半导体薄膜。本申请提供了一种碲半导体薄膜的制备方法，气相传输沉积(Vapor transport deposition)法与热蒸发法和磁控溅射方法相比之下具有操作简便、设备简单、生长成本低、可实时观察(基于VTD设备的翻盖设计)等优点。
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公开(公告)号：CN115161010A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210801538.7
申请日：2022-07-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: C09K11/02 , C09K11/56 , C09K11/88 , C09K11/66 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H01L31/0352 , H01L31/08
Abstract: 本申请提供一种离子型量子点的提纯方法和量子点薄膜制备方法，采用长链型量子点溶液和配体前驱体溶液制备含有配体前驱体杂质的第一离子型量子点粉末；向承载有所述第一离子型量子点粉末的容器中加入提纯剂；摇晃或震荡容器，以使提纯剂与配体前驱体杂质充分作用；丢弃已作用的提纯剂，向容器再次加入提纯剂，直至加入提纯剂后溶液不变色；对提纯后的第一离子型量子点粉末进行真空干燥处理，得到不包含配体前驱体杂质的第二离子型量子点粉末。本申请的提纯方法可以有效地去除残留的配体前驱体，减小量子点的间距，增加量子点薄膜的迁移率，提升量子点光电转换器件的光响应性能；此外，经提纯后的量子点薄膜质量、致密度、均匀性均有明显提高。
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