-
公开(公告)号：CN114164399A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111314386.X
申请日：2021-11-08
Applicant: 华中科技大学 , 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种提高一维链状晶体结构硒化锑薄膜空穴浓度的方法，其中，该方法包括：将掺杂剂和硒化锑以粉末形式充分混合，形成混合粉末，所述掺杂剂包括第Ⅳ主族元素单质或含有第Ⅳ主族元素的硒化物；将所述混合粉末进行烧结再研磨，得到掺杂粉末；将所述掺杂粉末作为蒸发源，通过气相转移沉积法得到掺杂硒化锑薄膜，所述掺杂硒化锑薄膜中的锑元素被所述掺杂剂中的第Ⅳ主族元素替换。选用第Ⅳ主族元素单质或含有第Ⅳ主族元素的硒化物作为掺杂剂对硒化锑进行掺杂，实验研究表明，使用该掺杂剂能够将硒化锑薄膜的空穴载流子浓度提升至1×1016cm‑3以上。
-
公开(公告)号：CN114164399B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202111314386.X
申请日：2021-11-08
Applicant: 华中科技大学 , 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种提高一维链状晶体结构硒化锑薄膜空穴浓度的方法，其中，该方法包括：将掺杂剂和硒化锑以粉末形式充分混合，形成混合粉末，所述掺杂剂包括第Ⅳ主族元素单质或含有第Ⅳ主族元素的硒化物；将所述混合粉末进行烧结再研磨，得到掺杂粉末；将所述掺杂粉末作为蒸发源，通过气相转移沉积法得到掺杂硒化锑薄膜，所述掺杂硒化锑薄膜中的锑元素被所述掺杂剂中的第Ⅳ主族元素替换。选用第Ⅳ主族元素单质或含有第Ⅳ主族元素的硒化物作为掺杂剂对硒化锑进行掺杂，实验研究表明，使用该掺杂剂能够将硒化锑薄膜的空穴载流子浓度提升至1×1016cm‑3以上。
-
公开(公告)号：CN107546289A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710649458.3
申请日：2017-08-01
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0445 , H01L31/0216 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种硒化锑薄膜太阳能电池及其制备方法，其中电池包括：导电基底、n型层、p型层和电极，所述n型层为氧化锡薄膜，所述p型层为硒化锑薄膜。相比于传统的n型层硫化镉，本发明使用的氧化锡绿色无毒，可用以构筑绿色无毒的新型硒化锑薄膜太阳能电池。而且氧化锡禁带宽度大，化学性质稳定，可提高电池在短波段的吸光，增大电池的光电流，以及获得更高的器件稳定性。本方法有希望获得高效率的绿色无毒的硒化锑薄膜太阳能电池。
-
公开(公告)号：CN115064645A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210559014.1
申请日：2022-05-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L51/48
Abstract: 本发明提供一种分散剂、量子点分散液的制备方法以及红外探测器；本发明的分散剂包含有能够提供电子与两个及以上的量子点表面原子结合的有机结构，该有机结构能够对量子点表面进行有效的钝化，减少量子点表面欠配位原子引入的深缺陷，降低量子点红外探测器在反向工作偏压下的产生电流和陷阱辅助隧穿电流，同时在两个及以上的量子点之间形成桥接结构，有效避免量子点形成二聚体引入带尾态，进而降低暗电流。
-
公开(公告)号：CN112466969A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011358662.8
申请日：2020-11-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/042 , H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种具有V型能带结构的锑硫硒薄膜的制备方法及其应用，属于光电材料及薄膜技术领域，方法包括：将酒石酸锑钾、硫代硫酸钠、硒脲混合得到前驱体溶液；分三步沉积，通过调节每一步中硒脲的加入量，并满足第二步中硒脲含量大于第一步和第三步，在水浴中进行反应，干燥后得到锑硫硒前驱体薄膜；将锑硫硒前驱体薄膜进行退火，由于沉积得到的第二层前驱体薄膜中S与Se的原子比小于第一层和第三层，即第二层前驱体薄膜带隙小于第一层和第三层，从而最终能够得到具有V型能带结构的锑硫硒薄膜。如此，采用上述具有V型能带结构的锑硫硒薄膜制作的太阳能电池，能够实现开路电压和短路电流的协同提高从而获得更高的光电转换效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109652762B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201811439917.6
申请日：2018-11-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: C23C14/06 , C23C14/24 , H01L31/032
Abstract: 本发明属于半导体光电材料及薄膜领域，更具体地，涉及一种锑硫硒合金薄膜的制备方法。本发明由硒化锑粉末和单质硫粉末或者硒化锑粉末和硫化锑粉末作为蒸发源，分别放置在双温区管式炉的两个温区，通过气相转移沉积法在衬底上制得，其化学表达式为Sb2(Se1‑xSx)3，其厚度小于或等于2μm。本发明制备工艺简单，对设备要求低，制备出的合金薄膜均匀致密，其禁带宽度在1.17eV到1.7eV之间连续可调，可用于制备薄膜太阳能电池、光电探测器等光电器件。
-
公开(公告)号：CN114839500B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202210482812.9
申请日：2022-05-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种暗电流分析方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。暗电流分析方法包括：获取器件的电流特性以及电压特性；基于电流特性、电压特性以及拟合参数中至少一种确定器件的暗电流的类型；其中，暗电流的类型包括二极管结电流和漏电流中至少一种或任意组合；基于暗电流的类型抑制暗电流。本发明的暗电流分析方法能够快速分析出暗电流的类型以及其构成，进一步基于暗电流的类型，有效的抑制暗电流，进而降低器件的噪声，提高器件的灵敏度。
-
公开(公告)号：CN114839500A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210482812.9
申请日：2022-05-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种暗电流分析方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。暗电流分析方法包括：获取器件的电流特性以及电压特性；基于电流特性、电压特性以及拟合参数中至少一种确定器件的暗电流的类型；其中，暗电流的类型包括二极管结电流和漏电流中至少一种或任意组合；基于暗电流的类型抑制暗电流。本发明的暗电流分析方法能够快速分析出暗电流的类型以及其构成，进一步基于暗电流的类型，有效的抑制暗电流，进而降低器件的噪声，提高器件的灵敏度。
-
公开(公告)号：CN113871508A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110959821.8
申请日：2021-08-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种碲半导体薄膜红外探测器件，属于红外探测技术领域，能够解决当前Te短波红外探测器难以兼顾暗电流、响应度以及CMOS兼容性的技术难题。所述碲半导体薄膜红外探测器件包括：第一电极，第一电极为透明电极；电子传输层，设置在第一电极上；碲薄膜层，设置在电子传输层上；第二电极，设置在碲薄膜层上。本发明用于制作红外探测器件。
-
公开(公告)号：CN109652762A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811439917.6
申请日：2018-11-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: C23C14/06 , C23C14/24 , H01L31/032
Abstract: 本发明属于半导体光电材料及薄膜领域，更具体地，涉及一种锑硫硒合金薄膜的制备方法。本发明由硒化锑粉末和单质硫粉末或者硒化锑粉末和硫化锑粉末作为蒸发源，分别放置在双温区管式炉的两个温区，通过气相转移沉积法在衬底上制得，其化学表达式为Sb2(Se1-xSx)3，其厚度小于或等于2μm。本发明制备工艺简单，对设备要求低，制备出的合金薄膜均匀致密，其禁带宽度在1.17eV到1.7eV之间连续可调，可用于制备薄膜太阳能电池、光电探测器等光电器件。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.019 seconds)
