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公开(公告)号：CN110911365A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911032546.4
申请日：2019-10-28
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 一种倒装焊封装散热结构及制造方法，属于半导体封装技术领域。本发明将正面植有互联材料的芯片倒装在基板上，将柔性导热带的一端与散热片中心部位焊接，另一端焊接在芯片背面，最后将散热片的四角凸台通过导热胶粘接在基板上，芯片产生的热量可通过柔性导热带传输至散热片散出。本发明大幅提升了倒装焊封装器件的散热能力，同时具有结构稳定好、高度匹配冗余大、测试有效性提升的优点。
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公开(公告)号：CN106601655B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201611245712.5
申请日：2016-12-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种芯片倒装工艺芯片监测装置和方法。首先预装带凸点芯片特征点图像信息至控制计算机，然后将带凸点芯片倒置，吸附安装在芯片贴装头上，根据移动机构和芯片贴装头的位置信息，控制计算机发出控制信号，使芯片位于拍照装置的可视范围，且拍照装置摄像头与被检凸点芯片对焦，实时获取带凸点芯片凸点面图像信息，并识别图像信息中的特征点，向移动机构发送运动控制信号，调整芯片贴装头位置，使得特征点与预设的特征点图像吻合，保存此时拍摄的凸点面图像信息，并判断芯片是否可用，输出显示判断结果。本发明可保障芯片倒装工艺使用的芯片为良好芯片，减少了芯片损伤、焊球损伤等问题芯片的使用，显著提高了器件原材料的控制力度。
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公开(公告)号：CN105655264B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201511028690.2
申请日：2015-12-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了种CCGA器件的植柱装置及植柱方法。植柱装置包括焊柱载板、底座、压块和定位柱。植柱方法为将CCGA器件放置于底座凹槽中,然后利用定位柱将焊柱载板和底座对位固定,将焊柱依次放入焊柱载板的网孔中,通过这种方式保持焊柱在CCGA器件焊盘上的直立,并使用压块保证焊柱稳定,最后通过回流焊实现植柱工艺。本发明的装置和方法可将焊柱焊接在CCGA器件的焊盘上,能够达到98%以上的植柱成品率。
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公开(公告)号：CN107553038A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710908663.7
申请日：2017-09-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于双插头二极管引线焊接的工装及焊接方法，属于半导体分立器件封装技术领域。利用高精度模具与焊片-引线一体化结构配合，通过熔焊实现二极管玻璃封装体与外引线高精度、高可靠连接。本方法通过双插头同轴器件外引线与焊片的预先连接，并结合高精度模具精确定位引线与玻璃封装体，成功降低了由于各工件尺寸小导致装模难度及焊片偏移，解决了内外引线熔焊连接后焊缝、偏移以及质量一致性差等问题。这种引线焊接工艺技术方法的应用，既降低了装模过程对器件成品率的影响，同时提高了装模的效率，大大降低了二极管封装失效率，节省了贵金属焊片等原材料的耗量，降低了成本。
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公开(公告)号：CN102956515B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210375482.X
申请日：2012-09-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/83
Abstract: 本发明涉及一种银硅共晶焊接芯片的方法，该方法无需采用焊片进行导体器件的焊接方法，属于芯片焊接技术领域。将待焊接芯片的一侧进行金属化处理；将载体的一侧进行金属化处理；将待焊接芯片叠放在载体上，给待焊接芯片表面施加配重，然后放入高温炉中；将高温炉升高至合适温度，并保持一定时间后降温至室温，完成焊接。本发明的方法采用银硅共晶焊接可以将工艺温度提高至890～970℃，为后续的高温操作提供了大的工艺窗口；焊接时，不放置焊片，利用芯片与载体的金属结构进行焊接，有效的控制了焊料的融化范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104308315A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410286012.5
申请日：2014-06-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
CPC classification number: B23K3/00 , B23K1/0008 , B23K1/008
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷器件回流焊工艺的装置及方法。回流焊工艺的装置包括螺旋轴、石墨板、石墨板支架、石英加热灯、加热灯支架及密闭腔室。回流焊工艺的方法为将待回流的陶瓷器件、焊接件及焊膏放置于方形石墨板上，在真空密闭腔室中，采用石英加热灯对器件进行均匀加热，通过控制回流焊温度曲线和炉内气压实现真空环境下的回流焊工艺。本发明的装置和方法可在保障陶瓷器件均匀受热的前提下，实现无空洞、高可靠的回流焊焊接工艺，显著提高器件的回流焊焊点质量，同时此方法亦可应用于类似产品的高可靠回流焊接工艺过程。
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公开(公告)号：CN102956515A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210375482.X
申请日：2012-09-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/83
Abstract: 本发明涉及一种银硅共晶焊接芯片的方法，该方法无需采用焊片进行导体器件的焊接方法，属于芯片焊接技术领域。将待焊接芯片的一侧进行金属化处理；将载体的一侧进行金属化处理；将待焊接芯片叠放在载体上，给待焊接芯片表面施加配重，然后放入高温炉中；将高温炉升高至合适温度，并保持一定时间后降温至室温，完成焊接。本发明的方法采用银硅共晶焊接可以将工艺温度提高至890～970℃，为后续的高温操作提供了大的工艺窗口；焊接时，不放置焊片，利用芯片与载体的金属结构进行焊接，有效的控制了焊料的融化范围。
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公开(公告)号：CN102856215A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210264353.3
申请日：2012-07-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷柱栅阵列元器件的植柱装置及方法，属于陶瓷电子元器件封装技术领域。该装置从下往上依次包括底座、焊柱平整化机构、焊柱定位机构、陶瓷外壳定位机构和上盖；焊柱平整化机构、焊柱定位机构、陶瓷外壳定位机构和上盖用螺钉固定连接，底座与焊柱平整化机构用螺钉固定连接；连接后，陶瓷外壳定位机构和焊柱定位机构的植柱孔都位于上盖的中空部位。通过本发明制备的柱栅阵列元器件的焊柱位置度和共面性较好。
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公开(公告)号：CN207798944U
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201721591713.5
申请日：2017-11-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种倒装焊陶瓷管壳寄生电阻测试装置，包括底座、支架、夹板、连接装置、夹钳；支架的一端固定连接在底座上，支架的另一端与夹钳可锁紧的连接；夹板通过连接装置可调节的安装在支架上，连接装置用于调节夹板在支架上的安装位置并锁定，夹板用于夹紧被测陶瓷管壳。夹钳包括壳体、第一钳嘴、第二钳嘴和调节装置；第一钳嘴和第二钳嘴均通过螺纹与调节装置连接，第一钳嘴的螺纹和第二钳嘴的螺纹方向相反；通过旋转调节装置使第一钳嘴和第二钳嘴相对或相向移动，调节夹钳的钳口大小；调节装置安装在壳体上。
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公开(公告)号：CN205809174U
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201620670224.8
申请日：2016-06-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01R27/02
Abstract: 一种陶瓷封装管壳差分走线阻抗测试装置，包括阻抗测试设备、预制电路板和同轴电缆，预制电路板上设置有一个焊盘阵列和多个同轴接头，焊盘阵列中的焊盘与陶瓷封装管壳的引脚一一对应，焊盘阵列中焊盘的布局与陶瓷封装管壳的引脚布局相对应，且焊盘节距等于对应的引脚节距；同轴接头的个数与陶瓷封装管壳上待测引脚个数相同，陶瓷封装管壳上每个待测引脚对应的焊盘均通过差分信号线与一个同轴接头相连，阻抗测试设备通过同轴电缆与待测试的一对同轴接头连接，实现陶瓷封装管壳一对差分走线的阻抗测试。本实用新型有效地提高了测试结果的稳定性，突破了阻抗匹配测试对差分信号引脚间距的限制，为多种陶瓷封装形式管壳的阻抗匹配测试提供有效途径。
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