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公开(公告)号：CN113257761B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202110209811.2
申请日：2021-02-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/38 , H01L23/31 , H01L23/16 , H01L21/56
Abstract: 一种倒装焊器件主动式散热结构及互联方法，主动式散热结构包括封装基板、倒装芯片、电互联材料、电互连材料、底部填充胶、散热片、散热装置，电互联材料设置于倒装芯片正面，倒装芯片倒装于封装基板上，通过底部填充胶粘接固定，散热装置底部中心区域通过散热片与倒装芯片相连，倒装芯片四周通过电互连材料与封装基板相连，并通过底部填充胶固定，互联方法采用主动散热方式，无需额外辅助散热，散热效率高，能够优化芯片工作温度环境，提高芯片使用寿命。
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公开(公告)号：CN116646335A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310187286.8
申请日：2023-03-02
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L23/538 , H01L23/485 , H01L21/60 , H01L25/18 , H01L23/488 , H10B80/00
Abstract: 本发明涉及一种封装互联结构、制备方法及电子系统，该结构包括基板、桥接芯片、中介层芯片集合和顶层芯片集合，其中基板内部开有槽体，桥接芯片嵌入槽体内，桥接芯片上层布有布线层实现中介层芯片组片间互联，中介层芯片集合上下层均有布线层，顶层芯片集合通过中介层芯片集合的上层布线实现片间互联，边缘与基板互联实现供电与信号传输；制备方法包括将中介层芯片重组，然后将桥接芯片与中介层芯片集合连接，随后模组倒装于基板上，最后将顶层芯片集合连接于中介层芯片组和基板上，本发明满足高性能、高集成、小型化产品封装需求，在增加封装集成度的同时，有效缩短片间信号互联，增强供电性能，从而满足产品性能提高。
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公开(公告)号：CN114724966A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210368568.3
申请日：2022-04-06
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/60
Abstract: 本申请涉及半导体封装领域，公开了一种可选择性晶圆定向凸点制备方法，先采用全开孔助焊剂涂覆网板在晶圆上完成助焊剂涂覆，随后根据晶圆中测结果或用户要求，完成KGD芯片或指定凸点制备区开孔的树脂薄膜3D打印，随后将树脂薄膜与UV键合膜贴合，按照植球网板定位孔将薄膜黏附在植球网板背面，随后完成晶圆落球、焊球回收与晶圆回流。在进行下一片晶圆凸点制备前，采用紫外灯完成晶圆背面UV照射与薄膜解键合，重复上述过程完成下一片晶圆凸点制备。本发明能够通过双层落球网板方法实现仅中测合格KDG芯片或用户指定芯片凸点制备，极大降低生产成本，提高成品率和可靠性；该方法也可实现单一晶圆不同成分不同直径凸点制备，工艺简单，灵活度高。
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公开(公告)号：CN114692499A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210331280.9
申请日：2022-03-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/27 , G06F119/04
Abstract: 一种基于机器学习的集成电路芯片寿命的评估方法与系统，方法包括步骤：根据寿命试验记录集成电路芯片的真实数据集并建立寿命分布函数；利用寿命分布函数求得相应的仿真寿命值，得到仿真数据集；合并真实数据集和仿真数据集，组成训练优化机器学习回归模型的原数据集；对于所述原数据集中的参数型数据，通过特征提取得到参数型特征向量；将二维结构连接图转换为特征向量，形成芯片的结构特征向量；合并参数型特征向量和结构特征向量，组成全特征向量集输入机器学习回归模型中进行模型融合，得到融合回归模型；利用训练集和测试集，最终形成端到端的芯片寿命预测模型。本发明方法能实现实时准确地集成电路芯片寿命预测与评估。
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公开(公告)号：CN104576414B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201410827891.8
申请日：2014-12-26
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/56
CPC classification number: H01L2224/73204 , H01L2224/8192
Abstract: 本发明提供一种倒装焊耐潮湿防护工艺方法，包括：将电路烘干；放入真空涂覆机中抽真空处理；装入涂覆材料并加热；对电路进行真空涂覆；填充环氧树脂。经上述处理后，在封装结构的焊点表面、芯片下表面、以及基板上表面均涂覆有涂覆材料，此薄膜大大提高了倒装焊封装结构的耐潮湿防护性能，并提高了焊点强度。这种工艺主要应用于非气密性倒装焊电路封装工艺中，可保障非气密性倒装焊电路防护的完整性，并能得到良好均匀性的防护层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104438010B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201410708118.X
申请日：2014-11-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种用于非气密性倒装焊器真空涂覆工艺的装置，包括螺孔、掩膜下座、掩膜上盖、外密封圈、中密封圈和划膜模板。真空涂覆工艺的方法为将待涂覆的已经完成芯片倒装的器件放置于方形掩膜下盖的凹槽内，盖好掩膜上盖，通过螺旋轴和内外密封圈的共同作用，在真空密闭腔室环境中，采用气相沉积方法对倒装焊器件进行真空涂覆，通过控制冷却井和裂解区之间的温度差和真空密闭腔室的真空度实现非气密性倒装焊器件真空涂覆工艺。本发明的装置可实现在非气密性倒装焊器件表面涂覆一层厚度均匀的有机物薄膜的真空涂覆工艺，保护倒装焊器件凸点免受水汽影响。
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公开(公告)号：CN113257761A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110209811.2
申请日：2021-02-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/38 , H01L23/31 , H01L23/16 , H01L21/56
Abstract: 一种倒装焊器件主动式散热结构及互联方法，主动式散热结构包括封装基板、倒装芯片、电互联材料、电互连材料、底部填充胶、散热片、散热装置，电互联材料设置于倒装芯片正面，倒装芯片倒装于封装基板上，通过底部填充胶粘接固定，散热装置底部中心区域通过散热片与倒装芯片相连，倒装芯片四周通过电互连材料与封装基板相连，并通过底部填充胶固定，互联方法采用主动散热方式，无需额外辅助散热，散热效率高，能够优化芯片工作温度环境，提高芯片使用寿命。
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公开(公告)号：CN106601655B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201611245712.5
申请日：2016-12-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种芯片倒装工艺芯片监测装置和方法。首先预装带凸点芯片特征点图像信息至控制计算机，然后将带凸点芯片倒置，吸附安装在芯片贴装头上，根据移动机构和芯片贴装头的位置信息，控制计算机发出控制信号，使芯片位于拍照装置的可视范围，且拍照装置摄像头与被检凸点芯片对焦，实时获取带凸点芯片凸点面图像信息，并识别图像信息中的特征点，向移动机构发送运动控制信号，调整芯片贴装头位置，使得特征点与预设的特征点图像吻合，保存此时拍摄的凸点面图像信息，并判断芯片是否可用，输出显示判断结果。本发明可保障芯片倒装工艺使用的芯片为良好芯片，减少了芯片损伤、焊球损伤等问题芯片的使用，显著提高了器件原材料的控制力度。
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公开(公告)号：CN117524893A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311415841.4
申请日：2023-10-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种高铅凸点芯片与金丝球混合倒装互连方法，包括：倒装焊盘共面性测试；基板等离子清洗；依据共面性测试结果在基板倒装焊盘上键合至少一层金丝球；基板等离子清洗；对芯片上与金丝球相对应位置的高铅凸点进行冲压，使高铅凸点表面形成凹坑；将芯片翻转至高铅凸点朝下蘸取助焊剂；芯片和基板经识别对准，使高铅凸点表面凹坑与基板倒装焊盘上金丝球尾丝一一对应，芯片下移指定距离，释放芯片完成贴装；将贴装后器件进行回流焊接，完成芯片倒装互连。本发明解决了基板倒装焊盘共面性不足、高温焊接条件下基板翘曲导致高铅凸点与倒装焊盘无法接触形成焊接的问题，以及高铅凸点润湿性差，凸点与焊盘容易虚焊的问题，提升倒装焊接良率。
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公开(公告)号：CN114141639A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111228221.0
申请日：2021-10-21
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/603
Abstract: 本发明一种沙漏形倒装焊点成形工艺，包括：将带焊点芯片倒装至基板上，使芯片上焊点与基板上焊盘一一对应，加热芯片和基板使焊点熔化，在芯片背面施加指定压力持续指定时间促使焊点与焊盘充分接触并铺展润湿，此时焊点为腰鼓形，焊点与焊盘发生焊接反应后，采用真空吸附方式吸附芯片上移指定距离使焊点被拉伸为沙漏形，保持该距离以指定冷却速度使焊点冷却至凝固点以下成形。该成形方法在焊点受热熔化后能动态调节焊点高度，通过预设移动距离、拉伸速度等参数可实现不同尺寸的沙漏形焊点控制。沙漏形焊点能降低小尺寸、窄节距凸点芯片倒装焊接时发生焊点桥连的风险，改善焊点内部应力分布，缓解焊点焊接界面应力集中的情况，提升倒装焊点寿命。
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