公开(公告)号：CN107490736A

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201710665603.7

申请日：2017-08-07

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 冯士维 ,  何鑫 ,  张亚民 ,  杨芳 ,  于文娟

IPC: G01R31/00 ,  G01K7/01

Abstract: 本发明公开了一种无损测量电子功能模块内部温度和热阻构成的方法及装置，涉及功率电子器件检测技术领域。装置包括热阻测试仪，加热和测试探头和被测模块。将被测模块放置在恒温平台上，加热探头紧贴于被测模块上表面并保持良好接触，加热探头在工作电源提供的电压与电流下工作时产生的热量经过被测模块传递到恒温平台，然后测量探头在冷却过程中电学温敏参数的变化，得到探头经被测模块到恒温平台的热阻构成，进而计算得到电子功能模块的热阻构成。本发明实现了无损检测电子功能模块的热阻构成并根据表面温度推算其内部温度，填补了相关技术的空缺。

公开(公告)号：CN106835052A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710246585.9

申请日：2017-04-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱慧 ,  汪鹏飞 ,  冯士维 ,  郭春生 ,  张亚民

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/02 ,  C23C14/04 ,  C23C14/58

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/021 ,  C23C14/042 ,  C23C14/08 ,  C23C14/5806

Abstract: 本发明公开了利用射频磁控溅射工艺制备BiFeO3薄膜阻变存储器的方法，本方法选择NSTO作为基底，通过射频磁控溅射法制备钙钛矿结构BFO铁电薄膜，然后通过直靶溅射在薄膜上制备0.3mmx0.3mm的顶部电极即可。与现有的技术相比，本发明工艺可控性强，易操作，成本低，制得产物纯度高。而且本发明制备的薄膜具有优越的阻变特性，并具有二极管的单向导电特性，这些优越的特性可使BFO铁电薄膜在阻变存储器中获得应用。

公开(公告)号：CN106443401A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610900251.4

申请日：2016-10-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 冯士维 ,  石帮兵 ,  史冬 ,  何鑫 ,  张亚民

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种功率MOS器件温升和热阻构成测试装置和方法属于功率MOS器件可靠性设计和测试领域。本发明设计了被测功率MOS器件漏-源电压和栅-源电压信号控制的快速切换开关；漏-源大电流工作的快速切换开关；采用FPGA设计了漏-源电压、栅-源电压和漏-源电流的采集和设定功能。测试中，首先得到温敏参数曲线；然后，给器件施加工作电流，使得器件升温，待器件输出功率达到稳态后，断开工作电流，接通测试电流，采集功率MOS器件源-漏寄生二极管的结电压，对应得到器件结温曲线，再使用结构函数法处理分析，就可得到功率MOS器件的热阻构成。本发明解决测试仪器价格高昂，测量技术操作复杂，测量周期长的问题。

公开(公告)号：CN106199366A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610476411.7

申请日：2016-06-25

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 冯士维 ,  石帮兵 ,  史冬 ,  张亚民 ,  王勋

IPC: G01R31/26

CPC classification number: G01R31/2601

Abstract: 一种功率MOS器件在线测温的方法属于功率半导体器件以及电力电子应用技术领域。使功率MOS器件处于工作状态下，在功率MOS器件栅极施加测试脉冲电压信号，检测栅极测试脉冲电压信号与对应漏极电流变化的开启延迟时间；测量功率MOS器件漏极输出电流呈线性增大时，该延迟时间与漏极电流的对应关系，再根据器件的漏极电流(所加功率)、热阻和温升之间的对应关系，可得到温度系数；测量在某个工作状态下，功率MOS器件栅极测试脉冲电压信号与对应漏电流变化的开启延迟时间，再由测得的温度系数,得到器件在该状态下的温升大小。即实现功率MOS器件温升的在线测量，也可监控功率MOS器件在某状态下的温升，来判定器件的工作状态。