一种基于旋转参量控制的多功能彩色防伪薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN113896566B

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202110978063.4

    申请日:2021-08-24

    Abstract: 一种基于旋转参量控制的多功能彩色防伪薄膜制备方法,涉及薄膜材料和光学防伪领域。包括:干涉介质层,复合于所述干涉介质层底部的基底层,以及复合于所述干涉介质层顶部的表面膜层;其中,所述基底层包括基材层,以及将所述基材层附着于其上的载体层;所述表面膜层包括复合于上述干涉介质层顶部的功能层,以及将复合于所述功能层顶部的保护层。其中,通过改变传统磁控溅射制备工艺,控制溅射时转盘周期及角度等,改变传统工艺,突破常规固态芯片式防伪设计,提高标识的外观表现力;亚波长量级的厚度也使标识的设计及应用场景更加灵活。

    一种基于相变材料调控的Y分支波导结构偏振分束器

    公开(公告)号:CN113655565A

    公开(公告)日:2021-11-16

    申请号:CN202110999127.9

    申请日:2021-08-28

    Abstract: 一种基于相变材料调控的Y分支波导结构偏振分束器,属于光器件应用和信息处理技术领域。偏振分束器包括基底、Y分支光波导和相变材料薄膜。相变材料薄膜分别呈单层上贴式和两个单层侧贴式沉积在Y分支波导上,通过波导中的倏逝场耦合作用可以改变相变材料薄膜的状态,调整混合光波导的尺寸可以将TM/TE偏振模式分离输出。相变材料薄膜在晶态和非晶态的光学常数存在巨大差异,可以改变光波导中的光传播行为。利用有效折射率的不同就可以实现偏振态输出和截止。本发明基于Si波导和相变材料的非易失性超快相变偏振分束器,实现器件的低损耗和微型化,设计结构简单,便于集成,为未来全光器件的发展奠定了基础。

    基于Ge2Sb2Te5的仿神经全光记忆器件

    公开(公告)号:CN108470575B

    公开(公告)日:2020-07-03

    申请号:CN201810244207.1

    申请日:2018-03-23

    Abstract: 基于Ge2Sb2Te5的仿神经全光记忆器件,属于皮秒激光应用技术领域。本发明基于多脉冲作用和STDP神经记忆理论。非晶态Ge2Sb2Te5和光波导耦合,Ge2Sb2Te5通过磁控溅射的方式附着于光波导上,耦合区域为仿生神经突触间隙。本器件可以通过全光信号实现器件的读取、记忆与擦除的过程。并且由于晶态Ge2Sb2Te5的折射率高于非晶态的折射率,这使得材料晶化后相对于非晶态光更易于往Ge2Sb2Te5方向偏折,这有利于记忆区的信息保持,使器件在使用过程中不断强化记录。

    一种基于飞秒激光诱导无定形GemSbnTek薄膜制备晶态纳米结构的方法

    公开(公告)号:CN108015410B

    公开(公告)日:2020-01-17

    申请号:CN201711250128.3

    申请日:2017-12-01

    Abstract: 一种基于飞秒激光诱导无定形GemSbnTek薄膜制备晶态纳米结构的方法,属于飞秒激光应用技术领域。本发明通过在一定能量范围内对单个入射飞秒激光脉冲聚焦光斑大小进行控制,实现了GemSbnTek晶态纳米颗粒加工及大小的控制,当聚焦光斑较大时,可得到较大直径纳米颗粒,缩小聚焦光斑大小,可减小纳米颗粒的直径。综合激光频率及平移台移动速度的控制可进一步实现高一致性、均匀晶态纳米颗粒的大面积高效制备。对比现有纳米结构加工方法,本发明有效提高了纳米结构的加工精度及加工效率,实现了单纳米结构及复合纳米结构的可控制备,同时实现了超快相变材料GemSbnTek纳米结构晶体性质的变化,在信息存储及超材料、纳米天线及光控制等方面具有至关重要的应用价值。

    一种基于透射电子显微镜观察激光诱导晶化纳米薄膜截面晶粒特征的样品制备方法

    公开(公告)号:CN104596818B

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201510024548.4

    申请日:2015-01-18

    Abstract: 本发明是一种基于透射电子显微镜观察激光诱导晶化纳米薄膜截面晶粒特征的样品制备方法。该方法步骤:1.运用磁控溅射手段在用于透射电子显微镜观察的基底上镀一层薄膜;2.将两片薄膜镀膜面相对贴合并固定,并剪断一部分;3.将剪断的薄膜用两块板状材料夹住,断面处在两块板状材料边缘的缝隙之中;4.断面用激光器进行单脉冲辐照;5.将其中一片薄膜平放在透射电子显微镜下进行观察,其断面边缘的晶化区域即为所要观察的激光辐照截面的晶粒生长形貌。该方法不通过镶样、磨试样,离子减薄等一系列复杂手段进行样品制备,流程时间大大缩短,污染非常小,且结果可信度较高。此方法对于揭示相变材料在厚度方向上的晶化行为的研究具有重大意义。

    一种用于金属与玻璃连接的材料预处理方法

    公开(公告)号:CN103723930A

    公开(公告)日:2014-04-16

    申请号:CN201310689911.5

    申请日:2013-12-16

    Abstract: 本发明公开了一种用于金属与玻璃连接的材料预处理方法。处理的关键在于材料处理图形的设计,采用不同直径实点层层嵌套的方式配合激光自动识别的特点,达到激光由外向内作用逐渐加强的目的,从而加工出纵截面为弧形的凹坑,增加基板与玻璃的表面积。毛化处理前需对材料表面去除杂物,加工过程中需要进行气体保护,处理完成后需要进行打磨和清洗后处理。本发明针对于玻璃与金属的钎料焊接,通过毛化促使钎料与玻璃及金属实现更为紧密的结合,从而达到高强度、高密封性封接的效果。

    一种利用激光在玻璃基体表面制备铌酸钾钠功能陶瓷薄膜的方法

    公开(公告)号:CN102701740B

    公开(公告)日:2014-01-01

    申请号:CN201210137471.8

    申请日:2012-05-04

    Abstract: 一种利用激光在玻璃基体表面制备铌酸钾钠功能陶瓷薄膜的方法,属于电子功能陶瓷制备领域。选取原料,按Na0.5K0.5NbO3化学计量比称取、混合、球磨,采用传统的熔盐法在800℃下预烧两小时制备所需功能陶瓷粉末;然后把陶瓷粉末与PVA混合均匀平铺在玻璃基体表面,利用所选取激光器的控制软件绘制所需制备的功能陶瓷薄膜的形状和尺寸,选取脉冲激光以合适的工艺参数直接烧结玻璃基体上的粉体得到所需陶瓷薄膜。本发明首先提出并在玻璃基体上直接制备出铌酸钾钠压电陶瓷薄膜,并且操作简单、快捷、可控性强。

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