基于Ge2Sb2Te5的仿神经全光记忆器件

    公开(公告)号:CN108470575A

    公开(公告)日:2018-08-31

    申请号:CN201810244207.1

    申请日:2018-03-23

    Abstract: 基于Ge2Sb2Te5的仿神经全光记忆器件,属于皮秒激光应用技术领域。本发明基于多脉冲作用和STDP神经记忆理论。非晶态Ge2Sb2Te5和光波导耦合,Ge2Sb2Te5通过磁控溅射的方式附着于光波导上,耦合区域为仿生神经突触间隙。本器件可以通过全光信号实现器件的读取、记忆与擦除的过程。并且由于晶态Ge2Sb2Te5的折射率高于非晶态的折射率,这使得材料晶化后相对于非晶态光更易于往Ge2Sb2Te5方向偏折,这有利于记忆区的信息保持,使器件在使用过程中不断强化记录。

    紫外激光作用于“磁性材料/GeSbTe/基底”异质结构实现磁光耦合复合存储的方法

    公开(公告)号:CN108428790A

    公开(公告)日:2018-08-21

    申请号:CN201810237053.3

    申请日:2018-03-21

    Abstract: 紫外激光作用于“磁性材料/GeSbTe/基底”异质结构实现磁光耦合复合存储的方法,属于复合存储器技术领域;利用磁控溅射镀膜仪制备“磁性材料/GeSbTe/基底”异质结构,然后使用短波长的紫外激光辐照该异质结构,控制激光输入能量,使得GeSbTe薄膜发生相变(晶化或者非晶化)而磁性材料薄膜不发生相变,GeSbTe薄膜由于相变产生的体积效应,诱发磁性薄膜磁畴发生偏转并且这种偏转是可以有效控制的,同时相变和磁畴偏转又是可逆的,从而使得激光可以同时对GeSbTe薄膜和磁性薄膜产生作用和控制,有望实现磁存储和相变光存储的耦合复合存储。

    基于Ge2Sb2Te5的仿神经全光记忆器件

    公开(公告)号:CN108470575B

    公开(公告)日:2020-07-03

    申请号:CN201810244207.1

    申请日:2018-03-23

    Abstract: 基于Ge2Sb2Te5的仿神经全光记忆器件,属于皮秒激光应用技术领域。本发明基于多脉冲作用和STDP神经记忆理论。非晶态Ge2Sb2Te5和光波导耦合,Ge2Sb2Te5通过磁控溅射的方式附着于光波导上,耦合区域为仿生神经突触间隙。本器件可以通过全光信号实现器件的读取、记忆与擦除的过程。并且由于晶态Ge2Sb2Te5的折射率高于非晶态的折射率,这使得材料晶化后相对于非晶态光更易于往Ge2Sb2Te5方向偏折,这有利于记忆区的信息保持,使器件在使用过程中不断强化记录。

    一种伸缩杆式3D打印机
    7.
    实用新型

    公开(公告)号:CN207736754U

    公开(公告)日:2018-08-17

    申请号:CN201721829284.0

    申请日:2017-12-22

    Abstract: 一种伸缩杆式3D打印机,属于3D打印技术领域。包括外框架、打印平台、X-Y方向伸缩杆、导丝电机、出丝喷头;其中所述的外框架包括直立的竖直杆、下三角面板、上三角框,直立的竖直杆、下三角面板、上三角框围成三角柱,在三角柱的三个角边上均有竖直杆,外框架竖直杆的下端固定在下三角面板上,外框架竖直杆的上端固定在上三角框上;所述的打印平台固定在外框架的下三角面板上,所述的X-Y方向伸缩杆的一端与套在竖直杆上,另一端固定在导丝电机上;导丝电机的下端为出丝喷头;三角柱每个角边对应一个X-Y方向伸缩杆;每个X-Y方向伸缩杆配一个步进电机。此打印机打印质量较高,而且不需要调平。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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