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公开(公告)号：CN108568594B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201810239428.X
申请日：2018-03-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 基于类等离子体透镜效应调控晶硅表面波纹结构的方法属于飞秒激光应用技术领域。该方法采用单个倍频后基频飞秒激光脉冲预先在镀有贵金属薄膜的基底硅上加工出金属纳米环结构，之后采用第二束单个传统基频高斯飞秒激光脉冲作用于纳米环结构上，在贵金属纳米结构的类等离子体效应作用下，实现基底晶硅表面圆环形同心波纹结构的加工。当采用线偏振飞秒激光脉冲时，所加工波纹结构呈半圆环分布，波纹对称轴垂直于激光偏振方向；当采用圆偏振飞秒激光脉冲时，所加工波纹结构呈中心对称的圆环分布形态。本发明提出了实现高效精确的表面周期性微纳结构形态的控制，在表面浸润性及图像存储等方面具有至关重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN109434289A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811546951.3
申请日：2018-12-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种可调谐相变纳米结构超表面的飞秒激光制造方法属于飞秒激光应用技术领域。本发明目的是为解决现行超表面纳米结构加工过程中工艺复杂，纳米结构单元精确、高效、有序化、大面积加工难题。本发明提出以相对简单的工艺精确、高效、有序化、大范围、制备出具有纳米结构预期形貌，通过调控飞秒激光与相变材料表面作用时瞬时电子激发动态，实现了相变材料超表面纳米结构单元的间距、形貌、相态、排列方式的调制以及大幅面的制作和改性。在梯度超表面、信息存储、全息成像、电磁波操控、可切换或可重新配置的元器件件等方面具有至关重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN108258568A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810032440.3
申请日：2018-01-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种使用相变材料和磁致伸缩材料的薄膜太赫兹光源，属于通信调制技术领域。至少包括磁致伸缩薄膜、相变材料薄膜、隔热层和防氧化层；磁致伸缩薄膜与相变材料薄膜叠加，且在两薄膜之间夹有隔热层，最上层磁致伸缩薄膜上还有防氧化层。使用简便，结构简单，能耗小，制作成本低廉。
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公开(公告)号：CN108015410B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201711250128.3
申请日：2017-12-01
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K26/00 , B23K26/362 , B82Y40/00
Abstract: 一种基于飞秒激光诱导无定形GemSbnTek薄膜制备晶态纳米结构的方法，属于飞秒激光应用技术领域。本发明通过在一定能量范围内对单个入射飞秒激光脉冲聚焦光斑大小进行控制，实现了GemSbnTek晶态纳米颗粒加工及大小的控制，当聚焦光斑较大时，可得到较大直径纳米颗粒，缩小聚焦光斑大小，可减小纳米颗粒的直径。综合激光频率及平移台移动速度的控制可进一步实现高一致性、均匀晶态纳米颗粒的大面积高效制备。对比现有纳米结构加工方法，本发明有效提高了纳米结构的加工精度及加工效率，实现了单纳米结构及复合纳米结构的可控制备，同时实现了超快相变材料GemSbnTek纳米结构晶体性质的变化，在信息存储及超材料、纳米天线及光控制等方面具有至关重要的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108568594A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810239428.X
申请日：2018-03-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K26/0622 , B23K26/352
Abstract: 基于类等离子体透镜效应调控晶硅表面波纹结构的方法属于飞秒激光应用技术领域。该方法采用单个倍频后基频飞秒激光脉冲预先在镀有贵金属薄膜的基底硅上加工出金属纳米环结构，之后采用第二束单个传统基频高斯飞秒激光脉冲作用于纳米环结构上，在贵金属纳米结构的类等离子体效应作用下，实现基底晶硅表面圆环形同心波纹结构的加工。当采用线偏振飞秒激光脉冲时，所加工波纹结构呈半圆环分布，波纹对称轴垂直于激光偏振方向；当采用圆偏振飞秒激光脉冲时，所加工波纹结构呈中心对称的圆环分布形态。本发明提出了实现高效精确的表面周期性微纳结构形态的控制，在表面浸润性及图像存储等方面具有至关重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN108015410A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711250128.3
申请日：2017-12-01
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K26/00 , B23K26/362 , B82Y40/00
Abstract: 一种基于飞秒激光诱导无定形GemSbnTek薄膜制备晶态纳米结构的方法，属于飞秒激光应用技术领域。本发明通过在一定能量范围内对单个入射飞秒激光脉冲聚焦光斑大小进行控制，实现了GemSbnTek晶态纳米颗粒加工及大小的控制，当聚焦光斑较大时，可得到较大直径纳米颗粒，缩小聚焦光斑大小，可减小纳米颗粒的直径。综合激光频率及平移台移动速度的控制可进一步实现高一致性、均匀晶态纳米颗粒的大面积高效制备。对比现有纳米结构加工方法，本发明有效提高了纳米结构的加工精度及加工效率，实现了单纳米结构及复合纳米结构的可控制备，同时实现了超快相变材料GemSbnTek纳米结构晶体性质的变化，在信息存储及超材料、纳米天线及光控制等方面具有至关重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN109434289B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201811546951.3
申请日：2018-12-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种可调谐相变纳米结构超表面的飞秒激光制造方法属于飞秒激光应用技术领域。本发明目的是为解决现行超表面纳米结构加工过程中工艺复杂，纳米结构单元精确、高效、有序化、大面积加工难题。本发明提出以相对简单的工艺精确、高效、有序化、大范围、制备出具有纳米结构预期形貌，通过调控飞秒激光与相变材料表面作用时瞬时电子激发动态，实现了相变材料超表面纳米结构单元的间距、形貌、相态、排列方式的调制以及大幅面的制作和改性。在梯度超表面、信息存储、全息成像、电磁波操控、可切换或可重新配置的元器件件等方面具有至关重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN108258568B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201810032440.3
申请日：2018-01-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种使用相变材料和磁致伸缩材料的薄膜太赫兹光源，属于通信调制技术领域。至少包括磁致伸缩薄膜、相变材料薄膜、隔热层和防氧化层；磁致伸缩薄膜与相变材料薄膜叠加，且在两薄膜之间夹有隔热层，最上层磁致伸缩薄膜上还有防氧化层。使用简便，结构简单，能耗小，制作成本低廉。
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公开(公告)号：CN108213718B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201810009815.4
申请日：2018-01-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K26/362 , B23K26/60 , B23K26/0622 , B23K26/046
Abstract: 一种飞秒激光调控GemSbnTek晶态纳米结构几何形态方法，属于飞秒激光应用领域。该方法通过多脉冲飞秒激光脉冲诱导无定形GemSbnTek薄膜材料去润湿效应制备多维晶态纳米结构的基础上，通过对入射飞秒激光脉冲偏振态进行控制，实现对多维纳米结构几何形态的控制。当采用线偏振飞秒激光脉冲辐照时，所得晶态纳米结构呈各向异性的纺锤形几何形态，且长轴方向垂直于入射激光线偏振方向；当采用圆偏振飞秒激光脉冲辐照时，所得晶态纳米结构呈各项同性圆球形几何形态。本方法简单有效，通过激光偏振态的调节，精确控制产生纳米结构的几何形态，从而控制电介质纳米结构的光学响应。该方法在大面积、低损耗光子应用上光的控制具有至关重要的应用前景。
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