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公开(公告)号：CN108258568B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201810032440.3
申请日：2018-01-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种使用相变材料和磁致伸缩材料的薄膜太赫兹光源，属于通信调制技术领域。至少包括磁致伸缩薄膜、相变材料薄膜、隔热层和防氧化层；磁致伸缩薄膜与相变材料薄膜叠加，且在两薄膜之间夹有隔热层，最上层磁致伸缩薄膜上还有防氧化层。使用简便，结构简单，能耗小，制作成本低廉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108470575B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201810244207.1
申请日：2018-03-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: G11C13/04
Abstract: 基于Ge2Sb2Te5的仿神经全光记忆器件，属于皮秒激光应用技术领域。本发明基于多脉冲作用和STDP神经记忆理论。非晶态Ge2Sb2Te5和光波导耦合，Ge2Sb2Te5通过磁控溅射的方式附着于光波导上，耦合区域为仿生神经突触间隙。本器件可以通过全光信号实现器件的读取、记忆与擦除的过程。并且由于晶态Ge2Sb2Te5的折射率高于非晶态的折射率，这使得材料晶化后相对于非晶态光更易于往Ge2Sb2Te5方向偏折，这有利于记忆区的信息保持，使器件在使用过程中不断强化记录。
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公开(公告)号：CN108470575A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810244207.1
申请日：2018-03-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: G11C13/04
Abstract: 基于Ge2Sb2Te5的仿神经全光记忆器件，属于皮秒激光应用技术领域。本发明基于多脉冲作用和STDP神经记忆理论。非晶态Ge2Sb2Te5和光波导耦合，Ge2Sb2Te5通过磁控溅射的方式附着于光波导上，耦合区域为仿生神经突触间隙。本器件可以通过全光信号实现器件的读取、记忆与擦除的过程。并且由于晶态Ge2Sb2Te5的折射率高于非晶态的折射率，这使得材料晶化后相对于非晶态光更易于往Ge2Sb2Te5方向偏折，这有利于记忆区的信息保持，使器件在使用过程中不断强化记录。
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公开(公告)号：CN108428790A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810237053.3
申请日：2018-03-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L43/12
Abstract: 紫外激光作用于“磁性材料/GeSbTe/基底”异质结构实现磁光耦合复合存储的方法，属于复合存储器技术领域；利用磁控溅射镀膜仪制备“磁性材料/GeSbTe/基底”异质结构，然后使用短波长的紫外激光辐照该异质结构，控制激光输入能量，使得GeSbTe薄膜发生相变(晶化或者非晶化)而磁性材料薄膜不发生相变，GeSbTe薄膜由于相变产生的体积效应，诱发磁性薄膜磁畴发生偏转并且这种偏转是可以有效控制的，同时相变和磁畴偏转又是可逆的，从而使得激光可以同时对GeSbTe薄膜和磁性薄膜产生作用和控制，有望实现磁存储和相变光存储的耦合复合存储。
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公开(公告)号：CN108258568A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810032440.3
申请日：2018-01-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种使用相变材料和磁致伸缩材料的薄膜太赫兹光源，属于通信调制技术领域。至少包括磁致伸缩薄膜、相变材料薄膜、隔热层和防氧化层；磁致伸缩薄膜与相变材料薄膜叠加，且在两薄膜之间夹有隔热层，最上层磁致伸缩薄膜上还有防氧化层。使用简便，结构简单，能耗小，制作成本低廉。
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