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公开(公告)号：CN113724756B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202110997579.3
申请日：2021-08-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于波导光栅结构的非易失性十进制光电存储器，属于信息技术领域。存储器包括层底、光波导、导电极材料和相变材料薄膜。相变材料薄膜呈阵列光栅式结构沉积在波导上，通过电信号可以改变相变材料薄膜的状态，编程调控晶态和非晶态的个数，就可以将数据写入/擦除在光栅阵列中。相变材料薄膜在晶态和非晶态的光学常数存在巨大差异，可以改变光波导中的光传播行为。于是，利用光信号的透过率不同就可以读出写入的数据。本发明相变材料的非易失性超快相变特性，并结合电驱动的普适性和光读取的超快性，实现存储器的低损耗和大容量，同时，所设计结构简单，便于集成，为未来光电器件的发展奠定了基础。
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公开(公告)号：CN113655565B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202110999127.9
申请日：2021-08-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于相变材料调控的Y分支波导结构偏振分束器，属于光器件应用和信息处理技术领域。偏振分束器包括基底、Y分支光波导和相变材料薄膜。相变材料薄膜分别呈单层上贴式和两个单层侧贴式沉积在Y分支波导上，通过波导中的倏逝场耦合作用可以改变相变材料薄膜的状态，调整混合光波导的尺寸可以将TM/TE偏振模式分离输出。相变材料薄膜在晶态和非晶态的光学常数存在巨大差异，可以改变光波导中的光传播行为。利用有效折射率的不同就可以实现偏振态输出和截止。本发明基于Si波导和相变材料的非易失性超快相变偏振分束器，实现器件的低损耗和微型化，设计结构简单，便于集成，为未来全光器件的发展奠定了基础。
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公开(公告)号：CN113896566A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202110978063.4
申请日：2021-08-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B41/52
Abstract: 一种基于旋转参量控制的多功能彩色防伪薄膜制备方法，涉及薄膜材料和光学防伪领域。包括：干涉介质层，复合于所述干涉介质层底部的基底层，以及复合于所述干涉介质层顶部的表面膜层；其中，所述基底层包括基材层，以及将所述基材层附着于其上的载体层；所述表面膜层包括复合于上述干涉介质层顶部的功能层，以及将复合于所述功能层顶部的保护层。其中，通过改变传统磁控溅射制备工艺，控制溅射时转盘周期及角度等，改变传统工艺，突破常规固态芯片式防伪设计，提高标识的外观表现力；亚波长量级的厚度也使标识的设计及应用场景更加灵活。
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公开(公告)号：CN113737133A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110934288.X
申请日：2021-08-16
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于多效应光学干涉的防伪薄膜及其制备方法涉及薄膜材料和光学防伪领域。薄膜包括：载体层(211)、基材层(212)、预干涉介质层(22)、功能层(231)、保护层(232)，其中，以基材层和预干涉介质层组成的干涉单元结构可以周期多次叠加。其中，该薄膜的制备是通过控制磁控溅射的转盘的转速和停/转，控制干涉介质层面的均匀性，以得到多效应复合干涉的防伪薄膜。本发明的防伪薄膜，通过非传统溅射工艺附着到工件表面后，可根据观察到制品表面不同的色彩变化，呈现出绚丽多彩的效果。此外。可以通过改变结构的各层材料及其厚度来获得多种特定色彩，实现对光学电磁波干涉的自由调控，防伪性能强，也适用多种场景下的不同需求。
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公开(公告)号：CN113724756A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110997579.3
申请日：2021-08-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于波导光栅结构的非易失性十进制光电存储器，属于信息技术领域。存储器包括层底、光波导、导电极材料和相变材料薄膜。相变材料薄膜呈阵列光栅式结构沉积在波导上，通过电信号可以改变相变材料薄膜的状态，编程调控晶态和非晶态的个数，就可以将数据写入/擦除在光栅阵列中。相变材料薄膜在晶态和非晶态的光学常数存在巨大差异，可以改变光波导中的光传播行为。于是，利用光信号的透过率不同就可以读出写入的数据。本发明相变材料的非易失性超快相变特性，并结合电驱动的普适性和光读取的超快性，实现存储器的低损耗和大容量，同时，所设计结构简单，便于集成，为未来光电器件的发展奠定了基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113267907A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110531761.X
申请日：2021-05-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于相变材料GemSbnTek的石墨烯辅助驱动微环光开关，属于光开关技术领域。包括衬底层、波导层、相变材料层、石墨烯传热层、电极层，其特征在于石墨烯裹覆于相变材料上层。本发明利用电脉冲激发石墨烯薄膜产生焦耳热，并通过热传导加热相变材料薄膜，驱动相变材料相态改变，利用相变材料不同晶相间的光学常数差异调控输出光信号大小，即可实现开关控制。对于传统的电光、热光开关，本发明使用导热系数超高的石墨烯材料，增加了传热速率，降低了开关能耗，提高了开关响应速度。本发明具有尺寸小、能耗低、开关响应速度快等优点，在光纤通信领域具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN107042308B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201710285560.X
申请日：2017-04-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种用于铺粉式选区熔融设备成型缸的防塞粉装置，特别涉及一种将四个薄板连接起来的卡扣的设计方案，主要目的在于：成型基板下降过程中带动矩形环四个边上的四个薄板向下移动，相邻两个薄板通过矩形环四个角上的卡扣进行垂直连接，并配合底部的矩形薄板共同组成一个长方体成型仓，使成型基板、成型件和粉末全部置于其中。与现有成型仓机构相比，该机构通过四个薄板将成型基板与成型缸四壁隔开，并将成型基板和金属粉末置于由四个薄板和底部薄板组成的封闭槽内，这样在保证成型基板能够向下移动的同时又使成型基板和粉末与成型仓四壁相隔离，避免了粉末堆塞在成型基板和成型仓四壁之间，进而发生塞粉。
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公开(公告)号：CN108470575A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810244207.1
申请日：2018-03-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: G11C13/04
Abstract: 基于Ge2Sb2Te5的仿神经全光记忆器件，属于皮秒激光应用技术领域。本发明基于多脉冲作用和STDP神经记忆理论。非晶态Ge2Sb2Te5和光波导耦合，Ge2Sb2Te5通过磁控溅射的方式附着于光波导上，耦合区域为仿生神经突触间隙。本器件可以通过全光信号实现器件的读取、记忆与擦除的过程。并且由于晶态Ge2Sb2Te5的折射率高于非晶态的折射率，这使得材料晶化后相对于非晶态光更易于往Ge2Sb2Te5方向偏折，这有利于记忆区的信息保持，使器件在使用过程中不断强化记录。
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公开(公告)号：CN102560411A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210006302.0
申请日：2012-01-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C16/14
Abstract: 一种钛合金表面抗烧蚀涂层的制备方法，本发明属于材料腐蚀与防护领域。利用化学反应WF6+3H2→W+6HF，在钛合金表面得到难熔金属钨涂层。钛合金表面抗烧蚀涂层的制备方法，其特征在于：化学反应温度420～480℃，H2流量为3.2～3.8L/min，WF6流量为5.2～5.8g/min，升温速度为8～12℃/min，降温速度为10～15℃/min，化学反应时间为25～35min。通过对化学反应温度、气体流量以及升温和降温速度等参数的控制，可得到抗烧蚀性能良好的钨涂层，该涂层在1000℃的恒温炉中检验，效果明显。
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公开(公告)号：CN102560333A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210006419.9
申请日：2012-01-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C10/08
Abstract: 一种提高镁合金耐磨耐腐蚀性的方法，属于材料腐蚀与防护领域。利用化学反应WF6+3H2→W+6HF，在镁合金表面得到难熔金属钨涂层。化学反应温度400～550℃，H2流量为0.2～0.8L/min，WF6流量为0.2～0.8g/min，升温速度为5～10℃/min，降温速度为1～10℃/min，化学反应时间为20～60min。通过对化学反应温度、气体流量以及升温和降温速度等参数的控制，不仅得到了与平面和凹面基体结合良好的钨涂层，还解决了涂层与凸面基体结合的困难。本发明操作简单，易产业化；适应各种形状尺寸的镁合金，应用性广；所得涂层成分为100％钨，致密、均匀，耐磨、耐腐蚀性强。
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