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公开(公告)号：CN111331263A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010232751.1
申请日：2020-03-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K26/382 , B23K26/064 , B23K26/70
Abstract: 一种皮秒激光精确制备涡轮叶片冷却孔的装置及方法属于超快激光精密加工领域。通过控制整合了同轴CCD，激光器与六自由度平移台一体化的控制软件，将涡轮叶片冷却孔的加工过程分为两个阶段：设备属性选择与程序编写，加工工作开展与实时监控。使用皮秒固体激光器所发出的固定位置的高斯光束，六自由度平移台夹持工件进行运动，使皮秒激光在工件表面沿预先设定的路径进行辐照，激光与材料发生相互作用，从而进行加工。本发明可以实现高圆整度，低锥度的，无微裂纹及热影响区的高质量冷却孔加工。
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公开(公告)号：CN108470575A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810244207.1
申请日：2018-03-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: G11C13/04
Abstract: 基于Ge2Sb2Te5的仿神经全光记忆器件，属于皮秒激光应用技术领域。本发明基于多脉冲作用和STDP神经记忆理论。非晶态Ge2Sb2Te5和光波导耦合，Ge2Sb2Te5通过磁控溅射的方式附着于光波导上，耦合区域为仿生神经突触间隙。本器件可以通过全光信号实现器件的读取、记忆与擦除的过程。并且由于晶态Ge2Sb2Te5的折射率高于非晶态的折射率，这使得材料晶化后相对于非晶态光更易于往Ge2Sb2Te5方向偏折，这有利于记忆区的信息保持，使器件在使用过程中不断强化记录。
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公开(公告)号：CN111331263B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202010232751.1
申请日：2020-03-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K26/382 , B23K26/064 , B23K26/70
Abstract: 一种皮秒激光精确制备涡轮叶片冷却孔的装置及方法属于超快激光精密加工领域。通过控制整合了同轴CCD，激光器与六自由度平移台一体化的控制软件，将涡轮叶片冷却孔的加工过程分为两个阶段：设备属性选择与程序编写，加工工作开展与实时监控。使用皮秒固体激光器所发出的固定位置的高斯光束，六自由度平移台夹持工件进行运动，使皮秒激光在工件表面沿预先设定的路径进行辐照，激光与材料发生相互作用，从而进行加工。本发明可以实现高圆整度，低锥度的，无微裂纹及热影响区的高质量冷却孔加工。
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公开(公告)号：CN108258568B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201810032440.3
申请日：2018-01-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种使用相变材料和磁致伸缩材料的薄膜太赫兹光源，属于通信调制技术领域。至少包括磁致伸缩薄膜、相变材料薄膜、隔热层和防氧化层；磁致伸缩薄膜与相变材料薄膜叠加，且在两薄膜之间夹有隔热层，最上层磁致伸缩薄膜上还有防氧化层。使用简便，结构简单，能耗小，制作成本低廉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111258001A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010202823.8
申请日：2020-03-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 基于Si-Ge2Sb2Te5混合波导的片上光子多级开关，属于皮秒激光和连续激光应用技术领域。本发明基于激光多脉冲作用和倏逝波耦合理论。非晶Ge2Sb2Te5和单模Si波导直接耦合，Ge2Sb2Te5薄膜通过磁控溅射法沉积，通过调节皮秒激光脉冲数和脉冲能量来调节Ge2Sb2Te5不同结晶状态实现多级开关操作。本器件不需要维持传统光开关由于热光效应和电光效应带来的能耗，是一种绿色的器件。并且由于Ge2Sb2Te5在不同结晶状态下具有不同的光学常数，其晶态折射率和消光系数高于非晶态的折射率和消光系数，这使得材料与光的耦合及对光的吸收能力不同，进而实现多级操作。本发明可广泛应用于光通信系统。
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公开(公告)号：CN108428790A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810237053.3
申请日：2018-03-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L43/12
Abstract: 紫外激光作用于“磁性材料/GeSbTe/基底”异质结构实现磁光耦合复合存储的方法，属于复合存储器技术领域；利用磁控溅射镀膜仪制备“磁性材料/GeSbTe/基底”异质结构，然后使用短波长的紫外激光辐照该异质结构，控制激光输入能量，使得GeSbTe薄膜发生相变(晶化或者非晶化)而磁性材料薄膜不发生相变，GeSbTe薄膜由于相变产生的体积效应，诱发磁性薄膜磁畴发生偏转并且这种偏转是可以有效控制的，同时相变和磁畴偏转又是可逆的，从而使得激光可以同时对GeSbTe薄膜和磁性薄膜产生作用和控制，有望实现磁存储和相变光存储的耦合复合存储。
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公开(公告)号：CN108258568A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810032440.3
申请日：2018-01-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种使用相变材料和磁致伸缩材料的薄膜太赫兹光源，属于通信调制技术领域。至少包括磁致伸缩薄膜、相变材料薄膜、隔热层和防氧化层；磁致伸缩薄膜与相变材料薄膜叠加，且在两薄膜之间夹有隔热层，最上层磁致伸缩薄膜上还有防氧化层。使用简便，结构简单，能耗小，制作成本低廉。
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公开(公告)号：CN108470575B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201810244207.1
申请日：2018-03-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: G11C13/04
Abstract: 基于Ge2Sb2Te5的仿神经全光记忆器件，属于皮秒激光应用技术领域。本发明基于多脉冲作用和STDP神经记忆理论。非晶态Ge2Sb2Te5和光波导耦合，Ge2Sb2Te5通过磁控溅射的方式附着于光波导上，耦合区域为仿生神经突触间隙。本器件可以通过全光信号实现器件的读取、记忆与擦除的过程。并且由于晶态Ge2Sb2Te5的折射率高于非晶态的折射率，这使得材料晶化后相对于非晶态光更易于往Ge2Sb2Te5方向偏折，这有利于记忆区的信息保持，使器件在使用过程中不断强化记录。
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