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公开(公告)号：CN113655565A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110999127.9
申请日：2021-08-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于相变材料调控的Y分支波导结构偏振分束器，属于光器件应用和信息处理技术领域。偏振分束器包括基底、Y分支光波导和相变材料薄膜。相变材料薄膜分别呈单层上贴式和两个单层侧贴式沉积在Y分支波导上，通过波导中的倏逝场耦合作用可以改变相变材料薄膜的状态，调整混合光波导的尺寸可以将TM/TE偏振模式分离输出。相变材料薄膜在晶态和非晶态的光学常数存在巨大差异，可以改变光波导中的光传播行为。利用有效折射率的不同就可以实现偏振态输出和截止。本发明基于Si波导和相变材料的非易失性超快相变偏振分束器，实现器件的低损耗和微型化，设计结构简单，便于集成，为未来全光器件的发展奠定了基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114371532A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202110934195.7
申请日：2021-08-16
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于相变材料的分支波导交互调控超快全光开关，属于全光网络应用技术领域。全光开关包括层底、信号光波导、调控光波导和相变材料薄膜。信号光波导与调控光波导交互设计，相变材料薄膜嵌入在光波导交界处。利用调控光波导与相变材料薄膜倏逝场耦合作用，控制光脉冲的能量和数量来改变相变材料薄膜的相态。硫系化合物相变材料薄膜在晶态和非晶态的光学常数存在巨大差异，可以改变信号光的光场传输行为，从而实现了全光开关。本发明利用硫系化合物相变材料的非易失性超快相变(ps‑ns量级)特性，并结合光驱动的超快性，实现全光开关的低损耗、高速度和高消光比特性，结构简单，便于集成，为未来全光网络的发展奠定了基础。
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公开(公告)号：CN113724756B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202110997579.3
申请日：2021-08-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于波导光栅结构的非易失性十进制光电存储器，属于信息技术领域。存储器包括层底、光波导、导电极材料和相变材料薄膜。相变材料薄膜呈阵列光栅式结构沉积在波导上，通过电信号可以改变相变材料薄膜的状态，编程调控晶态和非晶态的个数，就可以将数据写入/擦除在光栅阵列中。相变材料薄膜在晶态和非晶态的光学常数存在巨大差异，可以改变光波导中的光传播行为。于是，利用光信号的透过率不同就可以读出写入的数据。本发明相变材料的非易失性超快相变特性，并结合电驱动的普适性和光读取的超快性，实现存储器的低损耗和大容量，同时，所设计结构简单，便于集成，为未来光电器件的发展奠定了基础。
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公开(公告)号：CN113655565B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202110999127.9
申请日：2021-08-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于相变材料调控的Y分支波导结构偏振分束器，属于光器件应用和信息处理技术领域。偏振分束器包括基底、Y分支光波导和相变材料薄膜。相变材料薄膜分别呈单层上贴式和两个单层侧贴式沉积在Y分支波导上，通过波导中的倏逝场耦合作用可以改变相变材料薄膜的状态，调整混合光波导的尺寸可以将TM/TE偏振模式分离输出。相变材料薄膜在晶态和非晶态的光学常数存在巨大差异，可以改变光波导中的光传播行为。利用有效折射率的不同就可以实现偏振态输出和截止。本发明基于Si波导和相变材料的非易失性超快相变偏振分束器，实现器件的低损耗和微型化，设计结构简单，便于集成，为未来全光器件的发展奠定了基础。
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公开(公告)号：CN113737133A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110934288.X
申请日：2021-08-16
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于多效应光学干涉的防伪薄膜及其制备方法涉及薄膜材料和光学防伪领域。薄膜包括：载体层(211)、基材层(212)、预干涉介质层(22)、功能层(231)、保护层(232)，其中，以基材层和预干涉介质层组成的干涉单元结构可以周期多次叠加。其中，该薄膜的制备是通过控制磁控溅射的转盘的转速和停/转，控制干涉介质层面的均匀性，以得到多效应复合干涉的防伪薄膜。本发明的防伪薄膜，通过非传统溅射工艺附着到工件表面后，可根据观察到制品表面不同的色彩变化，呈现出绚丽多彩的效果。此外。可以通过改变结构的各层材料及其厚度来获得多种特定色彩，实现对光学电磁波干涉的自由调控，防伪性能强，也适用多种场景下的不同需求。
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公开(公告)号：CN113724756A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110997579.3
申请日：2021-08-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于波导光栅结构的非易失性十进制光电存储器，属于信息技术领域。存储器包括层底、光波导、导电极材料和相变材料薄膜。相变材料薄膜呈阵列光栅式结构沉积在波导上，通过电信号可以改变相变材料薄膜的状态，编程调控晶态和非晶态的个数，就可以将数据写入/擦除在光栅阵列中。相变材料薄膜在晶态和非晶态的光学常数存在巨大差异，可以改变光波导中的光传播行为。于是，利用光信号的透过率不同就可以读出写入的数据。本发明相变材料的非易失性超快相变特性，并结合电驱动的普适性和光读取的超快性，实现存储器的低损耗和大容量，同时，所设计结构简单，便于集成，为未来光电器件的发展奠定了基础。
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