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公开(公告)号：CN102891264B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210361343.1
申请日：2012-09-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种有机二极管及其制备方法。所述有机二极管包括透明柔性衬底、透明正电极、透明负电极、掺杂的柔性透明p区和掺杂的柔性透明n区，其中，所述透明负电极位于所述透明柔性衬底之上，所述掺杂的柔性透明n区位于所述透明负电极之上，所述掺杂的柔性透明p区位于所述掺杂的柔性透明n区之上，所述透明正电极位于所述掺杂的柔性透明p区之上。本发明还公开了一种有机二极管的制备方法。本发明所提供的有机二极管及其制备方法，使用透明的有机材料取代传统的无机材料，成本低，在保证不改变传统无机器件的基本特性的基础上，功耗低、响应速度快，制备过程中无需高温工艺，在降低能耗的基础上还节约了制备时间。
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公开(公告)号：CN104485416A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410669565.9
申请日：2014-11-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种采用超材料电极结构的阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括衬底和位于衬底上的电极-阻变层-电极结构，所述电极采用能够对电磁场产生共振的超材料结构。首先在衬底上采用传统半导体CMOS工艺生长阻变薄膜材料层；然后利用光刻胶作为牺牲层，利用传统半导体CMOS工艺的光刻技术，通过牺牲层在阻变薄膜材料层上刻蚀出超材料结构的电极图形；再在刻蚀出的图形上淀积金属电极材料，去除牺牲层后即形成阻变存储器结构。本发明将超材料做成电极结构应用在阻变存储器中，通过电磁波的非接触式激励来实现存储状态的改变，可以应用到电磁开关、电磁波探测等方面，极大的丰富了阻变存储器的应用。
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公开(公告)号：CN103035839B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201210555341.6
申请日：2012-12-19
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器形成于衬底上，所述阻变存储器包括第一电极、阻变材料和第二电极，所述第一电极、阻变材料和第二电极均生长在所述衬底表面，所述第一电极和所述第二电极相对设置，所述阻变材料位于所述第一电极和所述第二电极之间，且同时与所述第一电极和所述第二电极接触；所述第一电极与所述衬底的接触面面积大于所述第一电极与所述阻变材料相接触的第一接触面的面积，和/或所述第二电极与所述衬底的接触面面积大于所述第二电极与所述阻变材料相接触的第二接触面的面积。本发明实施例所提供的阻变存储器，大大减小了电极与阻变材料的接触面积，从而在很大程度上减小了操作电流。
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公开(公告)号：CN102623638B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210116833.5
申请日：2012-04-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于微电子技术领域。本发明通过在传统氧化物阻变材料层中引入N+离子，制备出氮氧化合物阻变材料层，利用N+的移动实现空位导电通道的形成和断裂。可降低器件的阻变电压，提升器件的阻变性能。同时，本发明提供的制备方法通过在金属氧化物阻变材料层上淀积一层阻挡层之后，对器件进行N+离子注入，再去除阻挡层，保证了离子注入时的效率，防止大量离子直接注入对金属氧化层的严重损伤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103606625A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310618361.8
申请日：2013-11-28
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L45/146 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 一种阻变存储器，其结构自下而上依次包括衬底、绝缘层、底电极、阻变材料薄膜、顶电极，其特征是，所述的阻变材料薄膜为由同种金属氧化物构成四层结构；所述的四层结构自下而上阻值依次提高10倍以上；所述四层结构自下而上氧浓度依次提高，厚度依次减小。本发明通过将同种金属氧化物阻变材料薄膜按不同氧浓度分为四层结构，可实现氧空位通道在各层中的完全通断，从而精确控制阻值，实现高一致性的2-bit存储。另外，通过合理调控4层结构中每层的阻值，即可进行低电流操作，进而实现低功耗。
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公开(公告)号：CN102456745B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201010523321.1
申请日：2010-10-22
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/788 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L27/115 , G11C16/02 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11556 , H01L29/7391 , H01L29/7889 , H01L29/8616
Abstract: 本发明公开了一种快闪存储器及其制备方法和操作方法。该快闪存储器包括两个垂直沟道的存储单元，以轻掺杂N型(或P型)硅作为衬底，在硅平面的两端各有一个P+区(或N+区)，中间为两个垂直于硅平面的沟道区域，沟道之上为两个沟道共用的N+区(或P+区)，每个沟道的外侧由内向外依次为隧穿氧化层、多晶硅浮栅、阻挡氧化层和多晶硅控制栅，多晶硅浮栅和多晶硅控制栅由侧墙氧化层与P+区(或N+区)隔开。整个器件呈两位垂直沟道的TFET型快闪存储器，与现有的标准CMOS工艺有着较好的兼容性，较之基于MOS场效应晶体管的传统快闪存储器具有编程效率高、功耗低、可有效抑制穿通效应、密度高等多方面的优点。
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公开(公告)号：CN102194849B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201010124705.6
申请日：2010-03-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/24
CPC classification number: G11C11/5621
Abstract: 本发明公开了一种多位快闪存储器，包括衬底、源端和漏端，以及依次层叠在沟道之上的遂穿氧化层、多晶硅浮栅(对应于浮栅型闪存)或氮化硅陷阱层(对应于分离陷阱型闪存)、阻挡氧化层、金属下电极、阻变材料层和金属上电极。其中金属下电极在读取时，通过外面串联的电阻接地，使得阻变材料层起到明显的分压效果。本发明以现有的快闪存储单元为基本架构，融入了阻变材料存储单元，与当前的主流闪存制备工艺兼相兼容，并在很大程度上提高了单位面积上的存储密度。
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公开(公告)号：CN102891678A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210361604.X
申请日：2012-09-25
Applicant: 北京大学
IPC: H03K19/094
Abstract: 本发明实施例公开了反相器电路和芯片，该电路包括：阻变忆阻器方阵和电流敏感模块；阻变忆阻器方阵中同一列阻变忆阻器的正相输入端相连接，以使同一列阻变忆阻器的正相输入端作为信号输入端口；阻变忆阻器方阵中同一行阻变忆阻器的反相输入端与一个电流敏感模块的输入端相连接，以使电流敏感模块的输出端作为信号输出端口；电流敏感模块的输入端工作时连接到低电平，电流敏感模块的输入端接收到的电流大于阈值电流时，电流敏感模块的输出端输出低电平，电流敏感模块的输入端接收到的电流小于阈值电流时，电流敏感模块的输出端输出高电平。本发明实施例中，在节省反相器电路所占面积的同时，实现了反相器电路可编程的性能。
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公开(公告)号：CN102891264A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210361343.1
申请日：2012-09-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种有机二极管及其制备方法。所述有机二极管包括透明柔性衬底、透明正电极、透明负电极、掺杂的柔性透明p区和掺杂的柔性透明n区，其中，所述透明负电极位于所述透明柔性衬底之上，所述掺杂的柔性透明n区位于所述透明负电极之上，所述掺杂的柔性透明p区位于所述掺杂的柔性透明n区之上，所述透明正电极位于所述掺杂的柔性透明p区之上。本发明还公开了一种有机二极管的制备方法。本发明所提供的有机二极管及其制备方法，使用透明的有机材料取代传统的无机材料，成本低，在保证不改变传统无机器件的基本特性的基础上，功耗低、响应速度快，制备过程中无需高温工艺，在降低能耗的基础上还节约了制备时间。
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