公开(公告)号：CN101179054A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200710170066.5

申请日：2007-11-09

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二

IPC: H01L23/00 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/84 ,  H01L21/762 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/76254 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/78603 ,  Y10S438/967 ,  Y10T428/31612

Abstract: 本发明提供一种非常适合于半导体装置的工艺的SOQ基板及其制造方法。本发明的手段为：将氢离子注入单结晶硅基板10的表面(主面)，形成氢离子注入层(离子注入损伤层)11。通过此氢离子注入，形成氢离子注入界面12。贴合此单结晶硅基板10和含有碳浓度100ppm以上的石英基板20，并对注入损伤层11附近赋予外部冲击，将贴合基板沿着单结晶硅基板10的氢离子注入界面12，剥离Si结晶膜。然后，对所得到的硅薄膜13的表面，进行研磨等，除去损伤，而得到SOQ基板。

公开(公告)号：CN101174658A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710185123.7

申请日：2007-10-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 伊藤厚雄 ,  秋山昌次 ,  川合信 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  久保田芳宏

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/1884 ,  H01L31/1896 ,  Y02B10/10 ,  Y02E10/547

Abstract: 一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子中的至少一种注入单晶硅基板的工序；以该离子注入面作为贴合面，经由透明导电性粘结剂，粘结该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序；固化该透明导电性粘结剂成为透明导电性膜，并贴合该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序；对该离子注入层施予冲击，机械性剥离该单晶硅基板，来形成单晶硅层的工序；以及在该单晶硅层形成pn结的工序。由此提供一种单晶硅太阳能电池，于硅太阳能电池中，为了有效活用其原料(硅)而将光变换层制成薄膜，且变换特性优异，并且因光照射产生的劣化少，所以可使用作为住宅等的采光窗材料的透视型太阳能电池。

公开(公告)号：CN119301315A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202380044300.7

申请日：2023-03-28

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 久保田芳宏

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/18 ,  H01L21/205

Abstract: 提供了一种III族氮化物单晶基板的制造方法，该方法可以缩短器件的制造时间，并且可以抑制器件制造期间的裂纹和特性劣化。该III族氮化物单晶基板的制造方法包括执行以下：准备包括氮化物陶瓷的支承基板的支承基板准备步骤；在支承基板的上表面上设置平坦化层的平坦化层形成步骤；在平坦化层的上表面设置晶种层的晶种层形成步骤；在晶种层的上表面上外延生长目标III族氮化物单晶来形成复合基板的外延成膜步骤；和除去平坦化层和晶种层中的至少一者从而将由III族氮化物单晶制成的III族氮化物单晶基板与复合基板的剩余部分分离的分离步骤。

公开(公告)号：CN114901876A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202080092360.2

申请日：2020-12-03

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 久保田芳宏 ,  永田和寿

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明的III族氮化物基板的制造方法包括以下工序：在基板的两面形成表面为III族元素面的III族氮化物膜，制作III族氮化物膜担载体；对III族氮化物膜担载体的III族氮化物膜进行离子注入，在III族氮化物膜上形成离子注入区；将已进行离子注入的III族氮化物膜与主要成分为III族氮化物的多晶基底基板贴合，将III族氮化物膜担载体接合于基底基板；使III族氮化物膜担载体从基底基板上分离，将离子注入区转印至基底基板，在基底基板上形成表面为N面的III族氮化物膜；以及利用THVPE法在基底基板的表面为N面的III族氮化物膜上形成III族氮化物膜，制作III族氮化物膜的厚膜。本发明的III族氮化物基板是利用本发明的III族氮化物基板的制造方法制造的。根据本发明，可提供：可制造大口径和高品质的III族氮化物基板的III族氮化物基板的制造方法；以及利用该制造方法制造的III族氮化物基板。

公开(公告)号：CN110892506A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201880046539.7

申请日：2018-07-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 久保田芳宏 ,  小西繁

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

Abstract: 提供一种具有高热导率、高散热性并且在高频损耗小的器件基板，以及该器件基板的制造方法。本发明的器件基板1可以通过以下方法制造：使用临时贴合粘合剂31将SOI器件基板10的Si器件层侧临时贴合到支撑基板20，该SOI器件基板包括Si基础基板11、形成在Si基础基板上的具有高热导率且为电绝缘体的Box层12、和形成在Box层上的Si器件层13；去除临时贴合的SOI器件基板的Si基础基板11，直到露出Box层，从而获得减薄的器件晶片10a；使用耐热温度至少150℃的转移粘合剂32，通过施加热量和压力，将减薄的器件晶片的Box层侧与转移基板40彼此转移贴合，该转移基板具有高热导率并且是电绝缘体；以及分离支撑基板20。

公开(公告)号：CN108367973A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680073809.4

申请日：2016-12-16

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 永田和寿 ,  久保田芳宏

IPC: C03C17/34 ,  B32B17/10 ,  C03C27/00 ,  C30B29/20 ,  C30B33/06

CPC classification number: B32B17/10 ,  C03C17/34 ,  C03C27/00 ,  C30B29/20 ,  C30B33/06

Abstract: 本发明提供一种表面不易刮伤且破损时不易飞散的蓝宝石复合基材及其制造方法。具体来说，是一种包括无机玻璃基板、无机玻璃基板上的聚乙烯醇缩丁醛或二氧化硅的中间膜、以及中间膜上的单晶蓝宝石膜的蓝宝石复合基材。而且，是一种蓝宝石复合基材的制造方法，其至少包括：在单晶蓝宝石基板的内部形成离子注入层的工序；在选自由单晶蓝宝石基板的进行离子注入前的所述表面、单晶蓝宝石基板的进行了离子注入的表面以及无机玻璃基板的表面所组成的群组中的至少一个表面，形成聚乙烯醇缩丁醛或二氧化硅的中间膜的工序；经由中间膜，贴合单晶蓝宝石基板的进行了离子注入的表面与无机玻璃基板的表面而获得接合体的工序；以及经由中间膜将单晶蓝宝石膜转印至无机玻璃基板上的工序。

公开(公告)号：CN104736477B

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201380053732.0

申请日：2013-08-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 川合信 ,  久保田芳宏

IPC: C01B31/02

CPC classification number: H01L21/76254 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  C01B32/184 ,  C01B32/188 ,  C30B29/02 ,  C30B29/36 ,  C30B31/22 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02043 ,  H01L21/324

Abstract: 涉及可便宜地制造无缺陷的纳米碳膜的、使用混合基板的纳米碳膜的制造方法，其特征在于，自单晶的碳化硅基板的表面注入离子而形成离子注入区域，将上述碳化硅基板的经离子注入的表面与基底基板的表面贴合，随后在上述离子注入区域使碳化硅基板剥离而制造在基底基板上转印有包含单晶的碳化硅的薄膜的混合基板，接着加热该混合基板使硅原子从上述包含单晶的碳化硅的薄膜升华，得到纳米碳膜。

公开(公告)号：CN104040685B

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201280063158.2

申请日：2012-12-20

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 小西繁 ,  久保田芳宏 ,  川合信

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/02 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/2007

Abstract: 一种复合基板，具备热传导率为5W/m·K以上且体积电阻率为1×108Ω·cm以上的无机绝缘性烧结体基板和单晶体半导体膜，或上述无机绝缘性烧结体基板、单晶体半导体膜以及介于它们之间的选自氧化物、氮化物、氮氧化物的至少一种的薄层。根据本发明，可以采用对可见光不透明、热传导性好、进而在高频区域的损耗小的廉价无机绝缘性烧结体，提供抑制了金属杂质污染的廉价复合基板。

公开(公告)号：CN103648762B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201280033296.6

申请日：2012-07-02

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 茂木弘 ,  久保田芳宏

IPC: B32B5/02 ,  B32B5/16 ,  B32B7/02 ,  F16L59/04 ,  B60J1/00 ,  E06B5/00

CPC classification number: F16L59/029 ,  B32B5/02 ,  B32B5/16 ,  B32B7/02 ,  B32B7/12 ,  B32B17/064 ,  B32B27/12 ,  B32B27/30 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/20 ,  B32B2262/101 ,  B32B2264/102 ,  B32B2264/105 ,  B32B2307/304 ,  B32B2307/412 ,  B32B2307/584 ,  B32B2307/704 ,  B32B2307/71 ,  B32B2605/006 ,  B60J1/20 ,  Y10T442/623 ,  Y10T442/676 ,  Y10T442/699

Abstract: 提供一种高的绝热性和可视光透过率兼备，有防污性，且耐伤性优良的绝热叠层体。绝热叠层体，具有光触媒层4；二枚的透明基板1·1之间挟持由纤维集合体2以及无机粒子3形成的复合材料的透明绝热层10；以及粘着材料层5。光触媒层4为所述绝热叠层体的一个面的最外层，粘着材料层5为另一个面的最外层。光触媒层4和透明绝热层10之间以及透明绝热层10和粘着材料层5之间，至少一方可以具有硬涂布层。

公开(公告)号：CN104701239A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201510117172.1

申请日：2007-11-12

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明提供将高品质的硅薄膜转印在低熔点物质的衬底上而成的半导体衬底。本发明的方法为：以1.5×1017atoms/cm2以上的掺杂量，将氢离子注入单结晶硅衬底(10)的表面(主面)，形成氢离子注入层(离子注入损伤层)(11)。通过此氢离子注入，形成氢离子注入界面(12)。贴合单结晶硅衬底(10)和低熔点玻璃衬底(20)。以120℃以上250℃以下(但是，不超过支持衬底的熔点温度)的比较低的温度，加热贴合状态的衬底，利用赋予外部冲击，将热处理后的贴合衬底，沿着单结晶硅衬底(10)的氢离子注入界面(12)，剥离Si结晶膜。然后，对所得到的硅薄膜(13)的表面进行研磨等，除去损伤，而得到半导体衬底。