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公开(公告)号：CN110892506A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201880046539.7
申请日：2018-07-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供一种具有高热导率、高散热性并且在高频损耗小的器件基板，以及该器件基板的制造方法。本发明的器件基板1可以通过以下方法制造：使用临时贴合粘合剂31将SOI器件基板10的Si器件层侧临时贴合到支撑基板20，该SOI器件基板包括Si基础基板11、形成在Si基础基板上的具有高热导率且为电绝缘体的Box层12、和形成在Box层上的Si器件层13；去除临时贴合的SOI器件基板的Si基础基板11，直到露出Box层，从而获得减薄的器件晶片10a；使用耐热温度至少150℃的转移粘合剂32，通过施加热量和压力，将减薄的器件晶片的Box层侧与转移基板40彼此转移贴合，该转移基板具有高热导率并且是电绝缘体；以及分离支撑基板20。
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公开(公告)号：CN108367973A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680073809.4
申请日：2016-12-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种表面不易刮伤且破损时不易飞散的蓝宝石复合基材及其制造方法。具体来说，是一种包括无机玻璃基板、无机玻璃基板上的聚乙烯醇缩丁醛或二氧化硅的中间膜、以及中间膜上的单晶蓝宝石膜的蓝宝石复合基材。而且，是一种蓝宝石复合基材的制造方法，其至少包括：在单晶蓝宝石基板的内部形成离子注入层的工序；在选自由单晶蓝宝石基板的进行离子注入前的所述表面、单晶蓝宝石基板的进行了离子注入的表面以及无机玻璃基板的表面所组成的群组中的至少一个表面，形成聚乙烯醇缩丁醛或二氧化硅的中间膜的工序；经由中间膜，贴合单晶蓝宝石基板的进行了离子注入的表面与无机玻璃基板的表面而获得接合体的工序；以及经由中间膜将单晶蓝宝石膜转印至无机玻璃基板上的工序。
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公开(公告)号：CN104736477B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201380053732.0
申请日：2013-08-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: H01L21/76254 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , C01B32/184 , C01B32/188 , C30B29/02 , C30B29/36 , C30B31/22 , C30B33/06 , H01L21/02043 , H01L21/324
Abstract: 涉及可便宜地制造无缺陷的纳米碳膜的、使用混合基板的纳米碳膜的制造方法，其特征在于，自单晶的碳化硅基板的表面注入离子而形成离子注入区域，将上述碳化硅基板的经离子注入的表面与基底基板的表面贴合，随后在上述离子注入区域使碳化硅基板剥离而制造在基底基板上转印有包含单晶的碳化硅的薄膜的混合基板，接着加热该混合基板使硅原子从上述包含单晶的碳化硅的薄膜升华，得到纳米碳膜。
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公开(公告)号：CN104040685B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201280063158.2
申请日：2012-12-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L29/02 , H01L21/02002 , H01L21/2007
Abstract: 一种复合基板，具备热传导率为5W/m·K以上且体积电阻率为1×108Ω·cm以上的无机绝缘性烧结体基板和单晶体半导体膜，或上述无机绝缘性烧结体基板、单晶体半导体膜以及介于它们之间的选自氧化物、氮化物、氮氧化物的至少一种的薄层。根据本发明，可以采用对可见光不透明、热传导性好、进而在高频区域的损耗小的廉价无机绝缘性烧结体，提供抑制了金属杂质污染的廉价复合基板。
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公开(公告)号：CN103648762B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280033296.6
申请日：2012-07-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: F16L59/029 , B32B5/02 , B32B5/16 , B32B7/02 , B32B7/12 , B32B17/064 , B32B27/12 , B32B27/30 , B32B2255/10 , B32B2255/20 , B32B2262/101 , B32B2264/102 , B32B2264/105 , B32B2307/304 , B32B2307/412 , B32B2307/584 , B32B2307/704 , B32B2307/71 , B32B2605/006 , B60J1/20 , Y10T442/623 , Y10T442/676 , Y10T442/699
Abstract: 提供一种高的绝热性和可视光透过率兼备，有防污性，且耐伤性优良的绝热叠层体。绝热叠层体，具有光触媒层4；二枚的透明基板1·1之间挟持由纤维集合体2以及无机粒子3形成的复合材料的透明绝热层10；以及粘着材料层5。光触媒层4为所述绝热叠层体的一个面的最外层，粘着材料层5为另一个面的最外层。光触媒层4和透明绝热层10之间以及透明绝热层10和粘着材料层5之间，至少一方可以具有硬涂布层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104701239A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510117172.1
申请日：2007-11-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L27/1266 , H01L29/78603
Abstract: 本发明提供将高品质的硅薄膜转印在低熔点物质的衬底上而成的半导体衬底。本发明的方法为：以1.5×1017atoms/cm2以上的掺杂量，将氢离子注入单结晶硅衬底(10)的表面(主面)，形成氢离子注入层(离子注入损伤层)(11)。通过此氢离子注入，形成氢离子注入界面(12)。贴合单结晶硅衬底(10)和低熔点玻璃衬底(20)。以120℃以上250℃以下(但是，不超过支持衬底的熔点温度)的比较低的温度，加热贴合状态的衬底，利用赋予外部冲击，将热处理后的贴合衬底，沿着单结晶硅衬底(10)的氢离子注入界面(12)，剥离Si结晶膜。然后，对所得到的硅薄膜(13)的表面进行研磨等，除去损伤，而得到半导体衬底。
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公开(公告)号：CN104040685A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201280063158.2
申请日：2012-12-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L29/02 , H01L21/02002 , H01L21/2007
Abstract: 一种复合基板，具备热传导率为5W/m·K以上且体积电阻率为1×108Ω·cm以上的无机绝缘性烧结体基板和单晶体半导体膜，或上述无机绝缘性烧结体基板、单晶体半导体膜以及介于它们之间的选自氧化物、氮化物、氮氧化物的至少一种的薄层。根据本发明，可以采用对可见光不透明、热传导性好、进而在高频区域的损耗小的廉价无机绝缘性烧结体，提供抑制了金属杂质污染的廉价复合基板。
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公开(公告)号：CN102017070B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN200980116731.X
申请日：2009-10-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/76256
Abstract: 本发明提供了一种SOI晶片的制造方法，上述方法可防止由绝缘性基板和SOI层的热膨胀系数的差异引起的热应力、剥离、裂缝等问题的产生，同时改善SOI层的膜厚均一性。上述SOI晶片的制造方法包含以下工序：对绝缘性晶片的表面及具有氢离子注入层的单晶硅晶片的氢离子注入面中的至少一个表面施以表面活化处理的工序；将氢离子注入面与绝缘性晶片的表面贴合以获得贴合晶片的工序；将贴合晶片在第1温度进行热处理的工序；为了降低贴合晶片中单晶硅晶片的厚度，对贴合晶片中单晶硅晶片侧施以研削和/或蚀刻的工序；将贴合晶片在高于第1温度的第2温度下进行热处理的工序；通过对贴合晶片中的氢离子注入层施以机械性冲击，将氢离子注入层进行剥离的工序。
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公开(公告)号：CN102591136A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210015148.3
申请日：2012-01-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/62 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/62 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , Y10T428/24975 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供一种EUV用防尘薄膜组件，其将膜厚均匀的单晶硅膜作为防尘薄膜。该防尘薄膜由厚度为20nm-1μm的单晶硅薄膜以及强化该薄膜的辅助结构构成，其特征在于上述单晶硅薄膜与辅助结构通过硅氧化物层而牢固地结合。上述防尘薄膜的制造方法，其特征在于含有将辅助结构用图案设置在SOI基板的硅支持基板表面后，进行干式蚀刻直到硅氧化膜露出为止，接着除去露出的硅氧化物层的工序，所述SOI基板由单晶硅层、硅氧化物层以及上述硅支持基板构成，且上述单晶硅层以及硅氧化物层的厚度分别为20nm-1μm，而上述硅支持基板的厚度为30μm-300μm。
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公开(公告)号：CN101286442B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200810088667.6
申请日：2008-04-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/762 , H01L21/84 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/76256 , H01L27/12
Abstract: 提供一种回蚀法薄膜化后的硅层的基板面内的膜厚均匀性和电阻率均匀性优异的SOI基板的制造方法。从单晶硅基板(10)的表面，注入硼离子，在最表面形成深度L的高浓度硼添加p层(11)，使单晶硅基板(10)和石英基板(20)在室温下密接而贴合。从单晶硅基板(10)的背面，施行化学蚀刻，使其厚度为L以下。对所得到的SOI基板，在含氢气氛中施行热处理，使硼从高浓度硼添加p层(11)向外方扩散，得到期望电阻值的硼添加p层(12)。在此热处理中，硅结晶内部的硼，以与环境中的氢结合的状态，扩散至结晶外，高浓度硼添加p层(11)内的硼浓度，逐渐降低。此时的热处理温度，由绝缘性基板的软化点，设为700～1250℃。
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