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公开(公告)号：CN101256934B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200810005732.4
申请日：2008-02-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/265 , H01L21/762 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 本发明在硅基板10的主面上使SiGe混晶的缓冲层及Ge外延膜生长。在Ge外延膜11中，虽然高密度的缺陷从与Si基板10的界面被导入，但是施加700～900℃的热处理，来使贯穿位错12变化成为在Si基板界面附近的环状位错缺陷12’。接着，对形成有离子注入层的Ge外延膜11和支撑基板20的至少一方的主面，施加以表面净化或表面活化等作为目的的等离子体处理或臭氧处理，然后使主面之间密接而贴合。对贴合界面施加外部冲击，且沿着氢离子注入界面13进行Ge外延膜的剥离而得到Ge薄膜14，进而，若对该Ge薄膜14的表面施加最后表面处理来除去起因于氢离子注入的损伤时，能够得到其表面具有Ge薄膜14的GeOI基板。
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公开(公告)号：CN101207009B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200710161139.4
申请日：2007-12-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 一种SOI基板的制造方法，包括：离子注入工艺，此工艺是在硅基板的主面侧，形成氢离子注入层；表面处理工艺，此工艺是对绝缘性基板和上述硅基板的至少其中一方的主面，施行活性化处理；贴合工艺，此工艺是贴合上述绝缘性基板的主面和上述硅基板的主面；以及剥离工艺，此工艺是从上述贴合基板的上述硅基板，机械性地剥离硅薄膜，而在上述绝缘性基板的主面上，形成硅膜；上述离子注入工艺中的上述硅基板的温度，保持在400℃以下。本发明的方法可抑制剥离后的SOI膜的表面粗糙度，确保SOI基板的全部表面有均匀的SOI膜的厚度。由于全部是低温工艺，又可抑制转印缺陷或滑移错位等的发生，而得到高品质的SOI晶片。
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公开(公告)号：CN101571671A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910137734.3
申请日：2009-04-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明目的在于提供一种防护薄膜组件，其具备EUV用防护薄膜，该防护薄膜透光性、机械性、化学稳定性优异，且制造良品率高，成本低廉实用。为达成上述目的，本发明之防护薄膜组件以硅单晶膜为防护薄膜，该硅单晶膜以自属于{100}面群和{111}面群的其中任一个晶格面倾斜3～5°的晶面为主面。由于以该等晶面为主面的硅单晶，跟 方位的硅单晶相比，其有效键结密度或杨氏系数高出40～50％左右，故不易发生解理或龟裂等问题。又，耐氢氟酸性等的化学耐性很高而不易发生腐蚀陷斑或孔隙等缺陷。
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公开(公告)号：CN117043910A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280012407.9
申请日：2022-02-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 秋山昌次
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种复合晶圆的制造方法，该复合晶圆的制造方法具备以下阶段：准备支撑衬底，该支撑衬底为钽酸锂及铌酸锂的任一种，且实质上不极化；准备活性衬底，该活性衬底为贴合在支撑衬底的一面侧的钽酸锂及铌酸锂的任一种，且极化；对活性衬底注入离子而产生界面；将支撑衬底与活性衬底贴合；将贴合后的支撑衬底与活性衬底升温；以及在界面剥离活性衬底。另外，本发明还提供该复合晶圆。
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公开(公告)号：CN109891747B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201780066532.7
申请日：2017-10-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种不需要发生金属杂质的扩散的高温工艺，散热性优异，并且相对于高频的损耗小的基板的制造方法及高热传导性基板。本发明的复合基板是具有压电单晶基板、支承基板以及设置在所述压电单晶基板与所述支承基板之间的中间层的复合基板。本发明的复合基板的特征在于，中间层为由无机材料构成的膜，其至少一部分为热合成二氧化硅。中间层可以沿着复合基板的接合面分为至少2层，与支承基板相接的第一中间层设为含有热合成二氧化硅的层为宜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109417367B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201780040222.8
申请日：2017-05-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种即使在贴合后的工序中加热到400℃以上也不会产生压电单晶膜的整面剥落的声表面波器件用复合基板。通过准备压电单晶基板和支承基板，将由无机材料构成的膜成膜于压电单晶基板和支承基板中的至少任意一方，并且将压电单晶基板与支承基板以夹持由无机材料构成的膜的方式进行接合，从而制造复合基板。
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公开(公告)号：CN115315779A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202180022997.9
申请日：2021-04-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 秋山昌次
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种复合基板以及制造该复合基板的方法，所述复合基板的待粘合的晶片具有足够小的表面粗糙度并且能够防止膜剥离的发生。本发明的复合基板(40)具有按列出顺序层叠的硅晶片(10)、夹层(11)和单晶硅薄膜或氧化物单晶薄膜(20a)，并且在硅晶片(10)的位于夹层(11)一侧的部分中具有损伤层(12a)。
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公开(公告)号：CN108702141B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN201780006333.7
申请日：2017-01-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种在压电材料层和支承基板的贴合中能够得到充分的接合强度的复合基板及复合基板的制造方法。本发明提供一种复合基板，其具备：单晶支承基板，其以第一元素为主成分；氧化物单晶层，其设于单晶支承基板上，以除氧以外的第二元素为主成分；非晶质层，其设于单晶支承基板和氧化物单晶层之间，含有第一元素、第二元素及Ar，所述复合基板的特征在于，非晶质层具有：第一元素的比例比第二元素的比例高的第一非晶质区域和第二元素的比例比第一元素的比例高的第二非晶质区域，第一非晶质区域中所含的Ar的浓度比第二非晶质区域中所含的Ar的浓度高，且为3原子％以上。
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公开(公告)号：CN107636801B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201680031978.1
申请日：2016-06-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/425 , H01L27/12 , H01L41/187 , H01L41/312
Abstract: 本发明提供一种复合晶片及其制造方法，复合晶片在支持晶片和氧化物单晶薄膜的贴合界面无破裂或剥落，且在支持晶片上的整个面转印有作为钽酸锂或铌酸锂的氧化物单晶的薄膜。所述方法包括：从表面注入氢原子离子或氢分子离子，从而在氧化物单晶晶片的内部形成离子注入层的工序；对氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面中的至少一者实施表面活化处理的工序；将氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面贴合而获得接合体的工序；在90℃以上且不会产生破裂的温度下对接合体进行热处理的工序；以及对经热处理的接合体的离子注入层赋予机械冲击的工序，且沿着离子注入层剥离而获得被转印于支持晶片上的氧化物单晶薄膜的工序。
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公开(公告)号：CN110366611B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201880014716.3
申请日：2018-03-01
Applicant: 信越化学工业株式会社 , CUSIC股份有限公司
IPC: C30B29/36 , H01L21/205
Abstract: 本发明为碳化硅基板的制造方法，具有：准备在由碳、硅或碳化硅构成的母材基板1a的两面设置包含氧化硅、氮化硅、氮化碳化硅或硅化物的被覆层1b、1b并使该被覆层1b、1b表面成为平滑面的支承基板1的工序；在所述支承基板1的两面采用气相生长法或液相生长法形成多晶碳化硅的膜10的工序；将所述支承基板1中至少被覆层1b、1b以化学方式除去，在使被覆层1b、1b表面的平滑性反映于表面的状态下将多晶碳化硅的膜从该支承基板1分离，作为晶粒直径为10nm以上且10μm以下、至少一个主面的算术平均粗糙度Ra为0.3nm以下的碳化硅基板10a、10b得到该多晶碳化硅的膜的工序。由此实现表面平滑且平坦并且内部应力也减小的碳化硅基板。
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