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公开(公告)号：CN102810547A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210168410.8
申请日：2012-05-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L27/14609 , H01L27/1463 , H01L27/14676
Abstract: 本发明涉及一种检测器件制造方法、检测器件和检测系统。在制造检测器件的方法中，所述检测器件包括排列在基板上的多个像素，并且还包括层间绝缘层，所述像素各自包括开关元件和转换元件，所述转换元件包括设置在电极上的杂质半导体层，所述电极设置在所述开关元件之上，针对每个像素被隔离，并且由与所述开关元件接合的透明导电氧化物制成，所述层间绝缘层由有机材料制成，设置在所述开关元件与所述电极之间，并且覆盖所述开关元件，所述方法包括：形成绝缘构件，所述绝缘构件均由无机材料制成，并且被设置为与层间绝缘层接触地覆盖所述电极中的相邻两个之间的层间绝缘层；和形成杂质半导体膜，所述杂质半导体膜覆盖所述绝缘构件和所述电极，并且变为所述杂质半导体层。
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公开(公告)号：CN102593188A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210057047.2
申请日：2008-05-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1233
Abstract: 本发明涉及反相器。所述反相器包括形成在基板上的多个氧化物半导体薄膜晶体管，其中，所述多个氧化物半导体薄膜晶体管之中的每一个包含选自In、Ga和Zn的至少一种元素，至少两个氧化物半导体薄膜晶体管的沟道层的厚度互不相同，以及所述两个氧化物半导体薄膜晶体管的阈值电压互不相同。
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公开(公告)号：CN101681927B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200880015916.7
申请日：2008-05-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1233
Abstract: 为了提供可被容易地制造的增强-耗尽(E/D)反相器，在本发明中，提供包含在同一基板上形成的、沟道层包含选自In、Ga和Zn的至少一种元素的氧化物半导体的反相器的制造方法，该反相器是具有多个薄膜晶体管的E/D反相器，该制造方法的特征在于包括以下步骤：形成第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管的沟道层的厚度互不相同；以及对于第一晶体管和第二晶体管的沟道层中的至少一个执行热处理。
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公开(公告)号：CN101960571A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980107330.8
申请日：2009-03-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78633
Abstract: 在至少包括半导体的半导体元件的处理方法中，通过用波长比半导体的吸收边波长长的光照射半导体，改变半导体元件的阈值电压。半导体中的隙内状态的面密度为1013cm-2eV-1或更小。带隙可为2eV或更大。半导体可包括从由In、Ga、Zn和Sn构成的组中选择的至少一种。半导体可以是从由非晶In-Ga-Zn-O(IGZO)、非晶In-Zn-O(IZO)和非晶Zn-Sn-O(ZTO)构成的组中选择的一种。光照射可在半导体元件中引起阈值电压偏移，该阈值电压偏移具有与由制造工艺历史、时间相关变化、电应力或热应力导致的阈值电压偏移相反的符号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111387997A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201911333059.1
申请日：2019-12-23
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 公开了成像装置和成像系统。成像装置包括：像素区域，该像素区域包括多个像素；以及偏置布线，该偏置布线被放置在像素的光入射侧以经由限定像素区域的第二边将来自电源的偏置供应到像素区域中的像素。偏置布线包括放置在像素周围的第一布线部分和第二布线部分。第一布线部分放置在远离第二边的Y方向上，并且第二布线部分放置在与Y方向正交的X方向上。第一布线部分包括不透光构件。每一像素的第一布线部分的电阻小于每一像素的第二布线部分的电阻。由于第二布线部分而引起的光损失小于由于第一布线部分而引起的光入射的光损失。
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公开(公告)号：CN105702689B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201510906326.5
申请日：2015-12-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/144 , A61B6/00
Abstract: 一种放射线摄像设备、系统和该设备的控制方法。所述设备包括：检测像素，其包括转换元件和开关元件；包括不同转换元件和不同开关元件的不同像素；信号线，其共通连接至多个所述开关元件；驱动单元，其被配置成驱动所述不同开关元件和所述开关元件；以及控制单元，其被配置成控制所述驱动单元，其中，所述控制单元控制所述驱动单元，从而使得在向至少一个开关元件施加接通状态电压或者断开状态电压的情况下，向不同于所述至少一个开关元件的开关元件，施加相对所述接通状态电压或者所述断开状态电压极性相反的电压，或者向所述不同开关元件施加相对所述接通状态电压或者所述断开状态电压极性相反的电压。
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公开(公告)号：CN105361897B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201510494663.8
申请日：2015-08-12
Applicant: 佳能株式会社
IPC: A61B6/00
Abstract: 本发明涉及一种放射线摄像设备和放射线检测系统。所述放射线摄像设备包括：传感器部，其包括：像素阵列，用于获取与放射线相对应的图像信号；以及多个检测元件，其配置在所述像素阵列内，并且用于检测所述放射线；以及读出电路，用于从所述传感器部读出所述图像信号，其中，所述读出电路包括信号处理电路，所述信号处理电路用于进行以下操作：在判断放射线照射的有无的情况下，对来自所述多个检测元件的信号进行合成和处理，以及在判断放射线剂量的情况下，针对各检测元件对信号进行处理、或者对来自所述多个检测元件中的数量比所述多个检测元件的数量少的检测元件的信号进行合成和处理。
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公开(公告)号：CN107615750A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680028597.8
申请日：2016-03-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/32 , A61B6/00 , G01T1/17 , G01T1/20 , G01T7/00 , H01L27/144 , H01L27/146 , H04N5/357 , H04N5/374
Abstract: 提供一种放射线成像装置。该装置包括被布置在图像感测区域中的像素、被配置为获得放射线照射信息的第一和第二检测元件、来自所述第一检测元件的信号要被输出到的第一信号线和来自所述第二检测元件的信号要被输出到的第二信号线、以及被配置为处理从所述第一和第二检测元件输出的信号的信号处理电路。所述第一和第二信号线被布置在所述图像感测区域中或被布置为与所述图像感测区域相邻，所述第一检测元件具有比所述第二检测元件大的、用于检测放射线的区域。所述信号处理电路基于来自所述第一和第二信号线的信号产生放射线照射信息。
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公开(公告)号：CN106061088B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201610212513.8
申请日：2016-04-07
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G01T1/247 , G01N23/04 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/14663 , H04N5/32 , H04N5/3696 , H04N5/378
Abstract: 公开了放射线成像装置和放射线成像系统。放射线成像装置包括：第一控制线，电连接到成像开关元件的控制电极；第二控制线，电连接到检测开关元件的控制电极；信号线，电连接到检测开关元件的主电极；电容线，与第一控制线和第二控制线不同，被布置成与信号线电容性耦合；驱动单元，电连接到第二控制线和电容线并且被配置为向检测开关元件和电容线施加电压；及控制单元，被配置为控制驱动单元在接通状态电压或关断状态电压被施加到检测开关元件的情况下向电容线施加具有与该电压的极性相反的极性的电压。
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