公开(公告)号：CN115735269A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202180043421.0

申请日：2021-07-01

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 酒井敏彦 ,  安东靖典

IPC: H01L21/316

Abstract: 在作为沟道层而使用氧化物半导体的薄膜晶体管中，以低成本提供具有高可靠性的薄膜晶体管。一种薄膜晶体管，是在基板上依序层叠有栅电极、栅极绝缘层、包含氧化物半导体的沟道层、以及保护所述沟道层的表面的沟道保护层的底部栅极型的薄膜晶体管，其中所述沟道保护层包括含有氟的氧化硅膜，所述含有氟的氧化硅膜中O原子数(at％)相对于Si原子数(at％)的比即O/Si比为1.94以上。

公开(公告)号：CN115279938A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202180019740.8

申请日：2021-03-12

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 安东靖典 ,  东大介

IPC: C23C14/40 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明通过在真空容器的外部配置天线并缩短从靶材到被处理物的距离，从而可实现成膜速度或处理效率的提高，并且高效率地溅镀靶材。一种溅镀装置100，使用等离子体P来溅镀靶材T而在被处理物W进行成膜，且包括：真空容器1，经真空排气；天线5，设置在真空容器1的外部；介电质板6，设置在真空容器1的外壁1a的面向天线5的位置；以及靶材保持部3，在真空容器1内保持靶材T，靶材T设置在夹持介电质板6的位置中的一者或两者，其溅镀面Ta相对于介电质板6向与天线5相反的一侧倾斜延伸。

公开(公告)号：CN111656475B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN201980009942.7

申请日：2019-01-25

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 李东伟 ,  安东靖典

IPC: H01G5/06 ,  H01G5/013 ,  H01G5/08 ,  H05H1/46

Abstract: 提供一种电容元件及等离子体处理装置。在使用液体物质来作为电介质的电容元件中，防止静电电容变化。电容元件包括：收纳容器，具有将作为电介质的液体导入的导入端口及将所述液体导出的导出端口，且由所述液体来装满；以及至少一对电极，设置于所述收纳容器内且彼此相向，并且在所述收纳容器的上壁形成有用以将此收纳容器内的气泡排出的开口部。

公开(公告)号：CN110709968A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201880037318.3

申请日：2018-06-07

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 松尾大辅 ,  安东靖典 ,  瀬戸口佳孝 ,  岸田茂明

IPC: H01L21/336 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

Abstract: 一种薄膜晶体管的制造方法，制造在基板上具有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极的薄膜晶体管，且所述薄膜晶体管的制造方法包括通过使用等离子体来溅射靶材而在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层的步骤，所述形成氧化物半导体层的步骤包括：第一成膜步骤，仅供给氩气作为溅射气体来进行溅射；以及第二成膜步骤，供给氩气与氧气的混合气体作为溅射气体来进行溅射；并且对所述靶材施加的偏电压为-1kV以上的负电压。

公开(公告)号：CN104427736A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410415737.X

申请日：2014-08-21

Applicant: 日新电机株式会社 ,  株式会社日本制钢所

Inventor： 安东靖典 ,  入泽一彦 ,  岸田茂明 ,  千叶理树

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/505 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32541 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32119

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，可以提升在天线的长度方向上的基板处理的均匀性。天线形成将高频电极收纳在电介质盒内的构造。高频电极形成：使2片电极导体以两者作为整体来呈现矩形板状的方式，相互隔开间隙且接近并平行地配置，且利用导体将两电极导体的长度方向的其中一端彼此连接而构成返回导体构造，且高频电流相互逆向地流向两电极导体。且在电极导体的间隙侧的边形成开口部，将该开口部以多个分散并配置在高频电极的长度方向。将该天线以高频电极的主面与基板的表面成为实质上相互垂直的方向而配置在真空容器内。

公开(公告)号：CN104282768A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410324134.9

申请日：2014-07-09

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 安东靖典

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/428 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明为薄膜晶体管的制作方法，其课题在于当进行自对准工序中的准分子激光照射时，防止构成薄膜晶体管的膜的温度过大地上升。此制作方法中，从基板2侧对于如下的构造体14a照射准分子激光16，构造体14a是在使准分子激光16透过的基板2上形成有防扩散膜4、在防扩散膜4上形成有栅极电极6及栅极绝缘膜8、在栅极绝缘膜8上形成有氧化物半导体层10的构造体，使用栅极电极6作为掩模，对于氧化物半导体层10的与栅极电极6对应的区域的两外侧的区域照射准分子激光16而进行低电阻化处理，使两外侧的区域中的一者成为源极区域18，使另一者成为漏极区域19。防扩散膜4包含在氮化硅膜中含氟的氟化氮化硅膜(SiN:F)。

公开(公告)号：CN103688371A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201280034187.6

申请日：2012-02-03

Applicant: 国立大学法人东京农工大学 ,  日新电机株式会社

Inventor： 鲛岛俊之 ,  安东靖典

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/075 ,  H01L31/0368

CPC classification number: H01L31/1824 ,  H01L31/062 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/077 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0745

Abstract: 本发明的主要目的在于，能够进行在成膜时缺陷少且不含过量的氢的薄膜形成，进而，能够在成膜后对在成膜时产生的缺陷进行补偿，以减少界面及薄膜中的缺陷，由此，实现长载流子寿命。本发明是具有在结晶硅基板(50)上形成有硅薄膜(52)的结构的太阳能电池的制造方法。所述制造方法包括：薄膜形成工序，其通过由电感耦合生成等离子体的电感耦合型等离子体CVD法，在结晶硅基板(50)上，形成包含微小的硅结晶的微晶硅薄膜，以作为硅薄膜(52)；以及水蒸气热处理工序，其在5×105Pa以上压力的水蒸气环境中，对形成有该微晶硅薄膜的基板实施热处理。

公开(公告)号：CN103098187A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201080069030.8

申请日：2010-12-08

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 安东靖典 ,  高桥英治 ,  藤原将喜

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/0214 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种不含氢及游离氟，从而膜特性良好的绝缘性膜。本发明的氮氧化硅膜包含硅、氮、氧及氟而成，氮N、氧O及氟F的合计(N+O+F)相对于硅Si的元素比率(N+O+F)/Si处于1.93～1.48的范围内，且该膜中的硅的元素比率处于0.34～0.41、氮的元素比率处于0.10～0.22、氧的元素比率处于0.14～0.38及氟的元素比率处于0.17～0.24的范围内。该膜可使用例如四氟化硅气体、氮气及氧气来作为原料气体28，利用通过感应耦合而生成等离子40的感应耦合型等离子化学气相沉积法，而形成在基板20上。

公开(公告)号：CN119896038A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202280100164.4

申请日：2022-11-22

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 松尾大辅 ,  中尻佳秀 ,  安东靖典

IPC: H05H1/46

Abstract: 本发明的等离子体处理装置使用等离子体对配置于处理室的被处理物进行真空处理，所述等离子体处理装置包括：真空容器，具有突出部分，所述突出部分是将形成所述处理室的壁以自大气侧朝向所述处理室侧成为凸形的方式弯曲而形成的部分，并形成有沿厚度方向贯穿的开口；天线，设于所述处理室的外部且设于由所述突出部分的大气侧的壁面形成的凹部内，与高频电源连接而产生高频磁场；介电板，以自大气侧封堵所述突出部分的开口的方式配置于所述凹部内，使自所述天线产生的高频磁场透射至所述处理室内；以及支撑构件，是安装于所述凹部的能弹性变形的构件，能选择性地配置于支撑位置及退避位置，所述支撑位置是与所述介电板接触，利用弹性力将所述介电板朝向所述凹部的壁面施力而予以支撑的位置，所述退避位置是自所述支撑位置退避的位置。

公开(公告)号：CN118251754A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202180104037.7

申请日：2021-12-14

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 安东靖典

IPC: H01L21/363 ,  C23C14/34

Abstract: 一种溅镀装置，使用通过向天线供给高频电力而产生的等离子体来对靶进行溅镀，且所述溅镀装置包括：虚设电极，设置于所述靶的周围且与所述靶等电位；以及阳极电极，以覆盖所述虚设电极中的与所述靶的溅镀面朝向相同的方向的表面的方式设置且为接地电位。