公开(公告)号：CN104427736B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410415737.X

申请日：2014-08-21

Applicant: 日新电机株式会社 ,  株式会社日本制钢所

Inventor： 安东靖典 ,  入泽一彦 ,  岸田茂明 ,  千叶理树

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/505 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32541 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32119

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，可以提升在天线的长度方向上的基板处理的均匀性。天线形成将高频电极收纳在电介质盒内的构造。高频电极形成：使2片电极导体以两者作为整体来呈现矩形板状的方式，相互隔开间隙且接近并平行地配置，且利用导体将两电极导体的长度方向的其中一端彼此连接而构成返回导体构造，且高频电流相互逆向地流向两电极导体。且在电极导体的间隙侧的边形成开口部，将该开口部以多个分散并配置在高频电极的长度方向。将该天线以高频电极的主面与基板的表面成为实质上相互垂直的方向而配置在真空容器内。

公开(公告)号：CN104427736A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410415737.X

申请日：2014-08-21

Applicant: 日新电机株式会社 ,  株式会社日本制钢所

Inventor： 安东靖典 ,  入泽一彦 ,  岸田茂明 ,  千叶理树

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/505 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32541 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32119

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，可以提升在天线的长度方向上的基板处理的均匀性。天线形成将高频电极收纳在电介质盒内的构造。高频电极形成：使2片电极导体以两者作为整体来呈现矩形板状的方式，相互隔开间隙且接近并平行地配置，且利用导体将两电极导体的长度方向的其中一端彼此连接而构成返回导体构造，且高频电流相互逆向地流向两电极导体。且在电极导体的间隙侧的边形成开口部，将该开口部以多个分散并配置在高频电极的长度方向。将该天线以高频电极的主面与基板的表面成为实质上相互垂直的方向而配置在真空容器内。

公开(公告)号：CN119908070A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202380067372.3

申请日：2023-09-20

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 丸子拓也 ,  岩田浩一 ,  菊地弘一 ,  千叶理树 ,  横田裕章

IPC: H03H3/08 ,  H03H9/25 ,  H01L21/02

Abstract: 提供了具有高接合强度的接合基板，其中抑制了空隙的形成。根据本公开的一方面的接合基板是第一基板和第二基板通过它们的接合面彼此接合的接合基板。第一基板在接合面侧具有第一改性层，第二基板在接合面侧具有第二改性层。根据本公开的一方面的用于接合基板的制造方法是用于第一基板和第二基板彼此接合的接合基板的制造方法，该方法包括：等离子体处理第一基板的表面，以在第一基板的表面上形成第一改性层；等离子体处理第二基板的表面，以在第二基板的表面上形成第二改性层；在第一改性层和第二改性层面向彼此的状态下将第一基板和第二基板彼此暂时接合；以及对暂时接合的基板进行退火，以将第一基板和第二基板彼此接合。

公开(公告)号：CN109385619A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810827079.3

申请日：2018-07-25

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 寅丸雅光 ,  鹫尾圭亮 ,  千叶理树 ,  中田真生

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/545 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45536

Abstract: 为抑制于基板上形成的膜的膜质劣化，电浆原子层成长装置(1)具备：原料气体供给口(14)，设置于成膜容器(1)的成膜容器(1A)的第一侧壁，且还具有作为清洁气体供给口的功能；原料气体排出口(15)，设置于成膜容器(1A)的第二侧壁，且还具有作为清洁气体排出口的功能。