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公开(公告)号：CN120036054A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202380072706.6
申请日：2023-11-27
Applicant: 日新电机株式会社
Inventor： 松尾大辅
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H05H1/00
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其可容易地实现天线的长边方向上的等离子体的密度的均匀化。等离子体处理装置(1)包括真空容器(2)、高频窗(3)及天线部(AP)。天线部(AP)包括天线(7)、第一导体(9a)及第二导体(9b)、对天线(7)与第一导体(9a)的第一连接角度进行变更的第一电容器部(8a)、以及对天线(7)与第二导体(9b)的第二连接角度进行变更的第二电容器部(8b)。
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公开(公告)号：CN119896038A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202280100164.4
申请日：2022-11-22
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明的等离子体处理装置使用等离子体对配置于处理室的被处理物进行真空处理，所述等离子体处理装置包括：真空容器，具有突出部分，所述突出部分是将形成所述处理室的壁以自大气侧朝向所述处理室侧成为凸形的方式弯曲而形成的部分，并形成有沿厚度方向贯穿的开口；天线，设于所述处理室的外部且设于由所述突出部分的大气侧的壁面形成的凹部内，与高频电源连接而产生高频磁场；介电板，以自大气侧封堵所述突出部分的开口的方式配置于所述凹部内，使自所述天线产生的高频磁场透射至所述处理室内；以及支撑构件，是安装于所述凹部的能弹性变形的构件，能选择性地配置于支撑位置及退避位置，所述支撑位置是与所述介电板接触，利用弹性力将所述介电板朝向所述凹部的壁面施力而予以支撑的位置，所述退避位置是自所述支撑位置退避的位置。
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公开(公告)号：CN115053398B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202080095331.1
申请日：2020-03-10
Applicant: 日新电机株式会社
Abstract: 本发明涉及一种天线机构及等离子体处理装置，能够通过简单的结构来调整为了生成等离子体而流通高频电流的天线本体的阻抗，其为用来生成等离子体(P)的天线机构(3)，包括：天线本体(31)，流通高频电流；以及一条或多条调整电路(32)，与天线本体(31)邻接设置，调整电路(32)具有构成闭路的金属导体(321)、及构成闭路的电容器(322)。
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公开(公告)号：CN116998224A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202280021245.5
申请日：2022-07-11
Applicant: 日新电机株式会社
Inventor： 松尾大辅
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明对被处理物均匀地进行等离子体处理。等离子体处理装置(1)包括：真空容器(2)，在内部收容被处理物(W1)；天线(6)，设置于真空容器(2)的外部，且产生高频磁场；磁场导入窗(3)，设置于真空容器(2)的壁面(22)，且将高频磁场导入至真空容器(2)的内部；以及机构部(7)，在天线(6)产生高频磁场的状态下，使天线(6)沿着磁场导入窗(3)平行移动。
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公开(公告)号：CN116261773A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202180064165.3
申请日：2021-11-04
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 为了可对沿着天线的长边方向的等离子体密度分布进行细微调整，实现等离子体密度分布的进一步均匀化，本发明的等离子体处理装置包括：真空容器(1)；天线(2)，设置于真空容器(1)的外部，流通高频电流(IR)；以及高频窗(9)，将形成于真空容器(1)的面向天线(2)的位置的开口(10x)堵塞，且天线(2)包括高频电流(IR)的流通方向彼此反向的去路导体(21)及返路导体(22)，所述等离子体处理装置还包括距离调整机构(10)，所述距离调整机构(10)对去路导体(21)及返路导体(22)的相对距离进行局部调整。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114008752A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202080042357.X
申请日：2020-06-22
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L21/34 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种加工方法，在结晶性不同的两种氧化物半导体层叠而成的氧化物半导体层的加工中容易获得所需的形状。所述加工方法将包含氧化物半导体的第一半导体层、与包含较构成所述第一半导体层的氧化物半导体而言结晶性高的氧化物半导体的第二半导体层自基板侧依序层叠而成的半导体层叠体，利用离子研磨法进行加工而成形。
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公开(公告)号：CN118235527A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202280074964.3
申请日：2022-12-08
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C14/40 , C23C16/505 , H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 本发明在谋求天线所包括的电容元件的静电电容的增大的情况下，使电流在电容元件所包括的各第二电极中充分且均匀地流动。天线(3)包括天线元件(31)及电容元件(32)，电容元件(32)包括第一电极(32A)及第二电极(32B)，在第一电极(32A)所包括的第一圆柱部(321A)的内侧形成多个贯穿孔(H1)，所述多个贯穿孔(H1)沿着第一圆柱部(321A)的侧面(ES1)排列形成，并且供第二电极(32B)所包括的多个棒状电极(32C)分别插入。
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公开(公告)号：CN110709968B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201880037318.3
申请日：2018-06-07
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L21/336 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 一种薄膜晶体管的制造方法，制造在基板上具有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极的薄膜晶体管，且所述薄膜晶体管的制造方法包括通过使用等离子体来溅射靶材而在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层的步骤，所述形成氧化物半导体层的步骤包括：第一成膜步骤，仅供给氩气作为溅射气体来进行溅射；以及第二成膜步骤，供给氩气与氧气的混合气体作为溅射气体来进行溅射；并且对所述靶材施加的偏电压为‑1kV以上的负电压。
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公开(公告)号：CN110382734B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201880016032.7
申请日：2018-03-14
Applicant: 日新电机株式会社
Abstract: 本发明在使用等离子体的溅射装置中提高成膜的均匀性。本发明的溅射装置(100)使用等离子体(P)对靶(T)进行溅射而于基板(W)上成膜，且包括：真空容器(2)，经真空排气且供导入气体；基板保持部(3)，在真空容器(2)内保持基板(W)；靶保持部(4)，在真空容器(2)内保持靶(T)；多根天线(5)，沿着由基板保持部(3)所保持的基板(W)的表面而排列，且产生等离子体(P)；以及往返扫描机构(14)，使基板保持部(3)沿着多根天线(5)的排列方向(X)而往返扫描。
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公开(公告)号：CN110709968A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201880037318.3
申请日：2018-06-07
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L21/336 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 一种薄膜晶体管的制造方法，制造在基板上具有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极的薄膜晶体管，且所述薄膜晶体管的制造方法包括通过使用等离子体来溅射靶材而在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层的步骤，所述形成氧化物半导体层的步骤包括：第一成膜步骤，仅供给氩气作为溅射气体来进行溅射；以及第二成膜步骤，供给氩气与氧气的混合气体作为溅射气体来进行溅射；并且对所述靶材施加的偏电压为-1kV以上的负电压。
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