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公开(公告)号：CN102376874B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201110385093.0
申请日：2011-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器，包括：一衬底，为半绝缘GaAs衬底或者半绝缘Si衬底；一复合缓冲层，该复合缓冲层为十字结构，该复合缓冲层生长在衬底上的中间部位；一下势垒层，该下势垒层生长在十字结构的复合缓冲层上；一下掺杂层，该下掺杂层生长在十字结构下势垒层上；一下隔离层，该下隔离层生长在十字结构的下掺杂层上；一沟道层，该沟道层生长在十字结构下隔离层上；一上隔离层，该上隔离层生长在十字结构沟道层上；一上掺杂层，该上掺杂层生长在十字结构上隔离层上；一上势垒层，该上势垒层生长在十字结构上掺杂层上；一帽层，该帽层生长在十字结构上势垒层上；欧姆接触电极，制作在十字结构的帽层的四端部的上面。
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公开(公告)号：CN102376874A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110385093.0
申请日：2011-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器，包括：一衬底，为半绝缘GaAs衬底或者半绝缘Si衬底；一复合缓冲层，该复合缓冲层为十字结构，该复合缓冲层生长在衬底上的中间部位；一下势垒层，该下势垒层生长在十字结构的复合缓冲层上；一下掺杂层，该下掺杂层生长在十字结构下势垒层上；一下隔离层，该下隔离层生长在十字结构的下掺杂层上；一沟道层，该沟道层生长在十字结构下隔离层上；一上隔离层，该上隔离层生长在十字结构沟道层上；一上掺杂层，该上掺杂层生长在十字结构上隔离层上；一上势垒层，该上势垒层生长在十字结构上掺杂层上；一帽层，该帽层生长在十字结构上势垒层上；欧姆接触电极，制作在十字结构的帽层的四端部的上面。
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公开(公告)号：CN101470347B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200710304255.7
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明是一种环形孔阵列结构的二维光子晶体的制作方法。包括：使用清洗液清洗SOI材料称底；在SOI称底上甩电子束胶，并进行前烘；以设计版图为掩模，进行电子束曝光；通过剂量补偿的方法对版图进行修正，消除图形进行电子束曝光时会受邻近效应的影响导致的曝光图形大小不一致；进行显影和定影，并进行后烘，形成环形阵列结构；刻蚀SOI材料的顶层硅，形成环形空气孔状阵列结构，孔中间为硅柱，完成二维光子晶体的制作。本发明实现了纳米量级的环形结构的制作工艺，该光子晶体结构在高频段出现了禁带，实现了制备具有高频段禁带的新型光子晶体结构。
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公开(公告)号：CN104300061A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410536321.3
申请日：2014-10-11
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/005 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L2933/0008
Abstract: 一种具有新型的P型电子阻挡层结构的发光二极管及生长方法，其为LED外延结构，从下向上的顺序依次包括衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、多量子阱层、N型或者非故意掺杂GaN电子阻挡层、高温P型GaN层、P型接触层；将衬底进行高温清洁处理进行氮化处理；所述GaN非掺杂层生长结束后，生长一层掺杂浓度稳定的N型GaN层；所述N型GaN层生长结束后，生长多量子阱层；所述多量子阱层生长结束后，生长阻挡层低温P型GaN层；生长P型接触层；外延生长结束后，降至室温即得LED外延结构，随后，经过清洗、沉积、光刻和刻蚀加工工艺制成单颗小尺寸芯片。
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公开(公告)号：CN104300060A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410535822.X
申请日：2014-10-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/12
Abstract: 一种具有组分渐变缓冲层的绿光LED结构，包括蓝宝石衬底层、GaN成核层、非掺杂GaN层、高温n型GaN层、InxGa1-xN/GaN多量子阱层和p型GaN层，其特点是在高温n型GaN层与InxGa1-xN/GaN多量子阱层之间设置一低温组分渐变n型InyGa1-yN缓冲层。通过设置该缓冲层可以缓解InGaN多量子阱发光层所受到的应力，从而提高量子阱结构层的晶体质量，降低非辐射复合，增加绿光LED的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104300053A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410535949.1
申请日：2014-10-11
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/005 , H01L33/32 , H01L2933/0008
Abstract: 本发明涉及一种ITO结构的LED芯片结构及其制备方法，在衬底上外延成核层、非掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、InGaN/GaN多量子阱结构；外延生长多量子阱结构后，终止生长，采用P型掺杂ITO层代替传统的P型GaN外延层；在P型掺杂ITO层上制备P电极，刻蚀至N型掺杂GaN层，在其上制备N电极；所述P电极对应设置在P型掺杂ITO层上；对所述外延片进行刻蚀，在N型掺杂GaN层上制作N电极。本发明可以避免InGaN/GaN多量子阱结构后升温生长P-GaN所带来的In组分布不均匀，有利于提高波长均匀性；避免P-GaN外延生长，降低成本，提高产能；采用高透光、高电导率的ITO超薄层作为P型电流扩展层，可以有效的提高光出射效率，提高外量子效率。
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公开(公告)号：CN108267285B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201810363819.2
申请日：2018-04-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种使用舵机的三段折叠机翼动力学特性实验装置，属于飞行器实验技术领域。该实验装置包括固定底座、折叠机翼内段翼、折叠机翼中段翼和折叠机翼外段翼，该实验装置用以模拟折叠机翼的结构。固定底座与折叠机翼内段翼中的支撑铝型材、角码通过螺栓进行螺纹连接，折叠机翼内段翼的内段舵机与折叠机翼中段翼的舵机臂通过螺栓进行螺纹连接，折叠机翼中段翼)的舵机臂和折叠机翼外段翼的外段舵机通过螺栓进行螺纹连接，组成折叠机翼模型装置。本发明通过闭环控制系统保持内段翼与外段翼在运动当中的平行关系，同时操作简单、方便，极大程度上减少了占地空间，减轻了机构的整体质量和加工难度，降低了成本。
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公开(公告)号：CN106596020A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611253923.3
申请日：2016-12-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01M7/02
CPC classification number: G01M7/02
Abstract: 本发明公开了一种折叠机翼动力学特性实验装置，底座主体采用稳定的“H”型结构，四周开有用于固定的螺纹孔，为了保证结构强度，设计了一组肋板焊接与底座侧壁与下板之间。底座可用相应的六角螺栓固定于激振台上，直线伺服电机通过圆锥销过盈配合将一端固定于底座上，另一端的电机动子和从动构件连接。使用一系列沉头螺钉将蒙皮覆于连杆机构表面。辅助系统可固定于底座壁板之上，模拟悬臂的边界条件。通电驱动直线伺服系统，电机动子可以进行不同速度的进给与回收运动，整个辅助机构通过运动部件的直线运动，驱动摇杆作绕铰链的圆周运动，外侧杆件通过机构自身的约束，做一种直线和圆周的耦合运动，且始终保持水平。
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公开(公告)号：CN104300047A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410535513.2
申请日：2014-10-11
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L2933/0008
Abstract: 一种Si基GaN的LED结构及其制作方法，该其结构依次包括Si衬底、第一高温AlN、组分渐变AlGaN或AlN/GaN超晶格、第二高温AlN、GaN非掺杂层、P型接触层、高温P型GaN层、P型电子阻挡层、多量子阱层、N型GaN层；所述第一高温AlN、组分渐变AlGaN或AlN/GaN超晶格、第二高温AlN4组成的三明治结构缓冲层。本发明中三明治缓冲层结构以夹心层形成裂纹的形式来缓解结构材料与Si衬底之间的晶格失配和热失配，同时在衬底剥离之后，在P型GaN表面形成光线的漫反射区从而有效提高氮化镓基发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN104636591B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201410748985.6
申请日：2014-12-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种电动汽车转向稳定性的非线性分析方法，通过建立能够描述电动汽车转向的非线性动力学模型，构造非线性微分方程，然后运用绝热消去原理对构造的电动汽车转向非线性微分方程进行降阶处理，消去系统中快弛豫参量，得到简化后的非线性微分方程，最后根据等倾斜线原理，采用多步递推法绘制出电动汽车转向非线性动力学系统的相轨迹，将系统的平衡状态、稳定精度和稳定性直观的反映出来，分析出不同车速和转角下电动汽车转向过程中的稳定性。
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