公开(公告)号：CN1778984A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200410009815.2

申请日：2004-11-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨少延 ,  柴春林 ,  刘志凯 ,  陈涌海 ,  陈诺夫 ,  王占国

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/06 ,  C23C14/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/318

Abstract: 本发明提供一种利用离子束外延(IBE)生长设备制备氮化锆(ZrN)薄膜材料的方法。在具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备上，选用纯度要求不高的氯化锆(ZrCl4)固体粉末和氮气(N2)分别作为产生同位素纯低能金属锆离子(Zr+)束和氮离子(N+)束的原材料，通过准确控制参与生长的两种同位素纯低能离子的交替沉积束流剂量与配比、离子能量、离子束斑形状及生长温度，在超高真空生长室内，实现了氮化锆(ZrN)薄膜的低成本高纯、正化学配比的优质生长与低温外延。本发明的生长工艺便于调控和优化，是一种经济实用的制备应用于半导体技术领域的氮化锆(ZrN)薄膜材料的方法。

公开(公告)号：CN1216401C

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN02142452.7

申请日：2002-09-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张志成 ,  杨少延 ,  黎大兵 ,  陈涌海 ,  朱勤生 ,  王占国

IPC: H01L21/00

Abstract: 本发明一种制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法，其中包括如下步骤：(1)选择一机械支撑衬底，该机械支撑衬底对于整个结构起机械支撑作用；(2)用分子束外延在机械支撑衬底上生长去耦合的中间层；(3)用分子束外延在去耦合的中间层上生长顶层结构。

公开(公告)号：CN1484276A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN02142452.7

申请日：2002-09-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张志成 ,  杨少延 ,  黎大兵 ,  陈涌海 ,  朱勤生 ,  王占国

IPC: H01L21/00

Abstract: 本发明一种制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法，其中包括如下步骤：(1)选择一机械支撑衬底，该机械支撑衬底对于整个结构起机械支撑作用；(2)用分子束外延在机械支撑衬底上生长去耦合的中间层；(3)用分子束外延在去耦合的中间层上生长顶层结构。

公开(公告)号：CN1452214A

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN02105735.4

申请日：2002-04-16

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张志成 ,  杨少延 ,  黎大兵 ,  陈涌海 ,  王占国

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/00 ,  H01L31/18 ,  H01L31/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明一种键合强度可调节的柔性衬底，其中包括：一机械支撑衬底，对于整个结构起机械支撑作用；在机械支撑衬底上生长一层去耦合的中间层结构，中间层结构与机械支撑衬底之间选择性腐蚀能力较强；在去耦合的中间层上生长一顶层结构，与机械支撑衬底共同完成键合强度的调节，与中间层的选择性腐蚀能力较强；本发明的键合强度可调节柔性衬底成功的解决了柔性层与机械支撑衬底的键合强度问题，可以生长出高质量的外延膜。

公开(公告)号：CN116568118A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202210103636.3

申请日：2022-01-27

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 曾晓琳 ,  陈涌海 ,  吴静 ,  朱申波

IPC: H10N50/01 ,  H01L29/04 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  G01N21/21

Abstract: 本公开提供了一种调控P型GaAs自旋轨道耦合的方法，包括：在衬底上沿[001]晶向生长P型GaAs材料；沿[110]晶向切割得到条形P型GaAs样品；将条形P型GaAs样品的两端固定，在其中间任意一点施加沿[001]晶向的应力，使其在该应力施加点的两侧分别产生沿[110]晶向梯度增加和减小的应变，以调控P型GaAs的自旋轨道耦合。本公开的方法简单易行、成本低廉，且调控效果明显，调控范围较大。

公开(公告)号：CN105717467B

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201610116108.6

申请日：2016-03-01

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 邬庆 ,  刘雨 ,  李远 ,  黄威 ,  陈涌海

IPC: G01R33/032

Abstract: 一种铁磁半导体平面内磁各向异性的光电流测试系统，包括钛蓝宝石激光器、斩波器、起偏器、光弹性调制器、光阑、光学平面反射镜、变温冷热台装置、直流电压源以及由两台锁相放大器、计算机组成的数据采集和存储系统。以及采用所述测试系统表征铁磁半导体平面内的磁各向异性的测试方法。利用该测试系统，通过旋转低温冷热台和光学平面反射镜，可以测得不同方位角、入射角下的圆偏振相关的光电流，从而可以研究铁磁半导体平面内磁各向异性的信息。

公开(公告)号：CN106785911A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710054287.X

申请日：2017-01-22

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨冠卿 ,  梁平 ,  徐波 ,  陈涌海 ,  王占国

IPC: H01S5/223

Abstract: 一种窄脊半导体器件的制备方法，包括以下步骤：外延生长形成半导体外延片，在半导体外延片上依次形成一二氧化硅掩膜及一第一光刻胶掩膜，并光刻形成周期性的第一窗口；干法刻蚀去除第一窗口区的二氧化硅掩膜及部分外延层，形成窄脊结构；在形成的窄脊结构的上表面形成一第二光刻胶掩膜，并光刻形成脊型窗口；用选择性腐蚀液去除第一窗口区外剩余的二氧化硅掩膜，完成器件制备。本发明的制备方法在用选择性腐蚀液腐蚀去除脊型波导结构表面残存的二氧化硅时，选择性腐蚀液只与残存的二氧化硅和第二光刻胶掩膜接触，从而避免了在腐蚀去除残存二氧化硅的过程中脊型结构从本体上的脱落；制备的器件性能及良品率高，能够实现良好的光输出。

公开(公告)号：CN105651785A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201511021603.0

申请日：2015-12-31

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 黄威 ,  陈涌海 ,  刘雨 ,  高寒松 ,  李远 ,  邬庆

IPC: G01N21/95

CPC classification number: G01N21/9501

Abstract: 本发明公开了一种测量半导体材料表面微结构缺陷的显微成像装置和方法。所述测试装置包括：光源、偏振调制反射差分系统、分光棱镜、扫描平台、共聚焦显微系统、信号采集系统。根据光弹性效应原理以及晶体缺陷理论可知，半导体材料表面的微结构缺陷虽然自身很小，但是会在其周围产生一个相对自身很大的应变分布场，而该应变场会产生光学反射各向异性信号，该测试方法通过测量微结构缺陷周围每一测量点处光学反射各向异性信号，从而可以直接获得微结构缺陷附近与应变场相关且随着空间位置变化的光学反射各向异性显微成像图，进而获得缺陷的种类、密度和应变分布等信息。本发明对材料微结构缺陷的表征具有操作简便快捷、无损伤、可移植性强等优点。

公开(公告)号：CN104502281A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201410821124.6

申请日：2014-12-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张宏毅 ,  陈涌海 ,  高寒松

IPC: G01N21/21

Abstract: 本发明提供了一种光弹调制测量系统。该光弹调制测量系统中，引入一参考信号，该参考信号中包含了光弹调制器对偏振状态的调制偏差的信息，通过该参考信号抑制因光弹调制器调制状态偏差导致的数据噪声。

公开(公告)号：CN103940537A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410143013.4

申请日：2014-04-10

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 高寒松 ,  陈涌海 ,  刘雨 ,  张宏毅 ,  黄威 ,  朱来攀 ,  李远 ,  邬庆

IPC: G01L1/24 ,  G01N21/21

Abstract: 本发明公开了一种材料的微区应力测试系统，其采用微区透射差分偏振谱法(μ-TDS，microscopic transmission difference spectroscopy)建立。整个测试系统包括线偏振激光源(1)、光相位调制器(2)、斩波器(3)、聚焦物镜(41)、收集物镜(42)、检偏器(6)和信号采集系统(7)，采用计算机控制逐点扫描并采集处理数据。本发明通过测量材料表面相互垂直的两个方向上的光强反射比率差ΔT／T求得测试材料的应力分布，可以克服现有测试系统带来的负面影响，对于材料不具有损伤性，小范围的表征材料应力的分布情况。且测试过程简单快捷，测试精度高。